Avaliação II - Eletrônica Analógica I

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Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123) 
Avaliação: Avaliação II - Individual ( Cod.:670677) ( peso.:1,50) 
Prova: 30485463 
Nota da Prova: 10,00 
 
Legenda: Resposta Certa Sua Resposta Errada 
1. O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 
1947 foi a válvula (diodo criada por J. A. Fleming em 1904). Algo importante a ser 
citado é que impulsionado pelo rádio e a televisão, tendo uma ampliação de 
aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 para cerca de 10 milhões de 
válvulas em 1937. Este setor ao passar dos anos apresentou grandes avanços em 
diversos setores, sendo projeto, técnica de fabricação, miniaturização além de 
aplicações em alta potência e alta frequência. Com base no exposto, assinale a 
alternativa CORRETA: 
 a) Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William 
Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de 
amplificação do primeiro transistor. 
 b) Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William 
Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de 
amplificação do primeiro transistor. 
 c) Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, 
Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do 
primeiro transistor. 
 d) Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William 
Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de 
amplificação do primeiro transistor. 
 
2. Para o estudo das operações básicas de um transistor bipolar de junção foi utilizado 
um transistor pnp. Com relação à operação de um transistor npn, as características 
são equivalentes, sendo somente necessário a troca das funções das lacunas e dos 
elétrons. O transistor pnp não possui a polarização base-emissor e o transistor pnp 
não possui a polarização base-emissor. Com base nesse contexto, analise as 
sentenças a seguir: 
 
I- Muitos portadores minoritários atravessam para a região do tipo n (base) através 
da junção pn (emissor-base) que está diretamente polarizada. 
II- Devido a ser muito fina a camada do tipo n e pouco condutiva, poucos portadores 
contribuíram para a corrente de base, sendo essa corrente normalmente na ordem de 
microampères, enquanto a corrente do coletor e do emissor é na ordem de 
miliampères. 
III- A maior parte dos portadores majoritários entrará através da junção polarizada 
reversamente no material do tipo p conectado ao terminal do coletor. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) Somente a sentença II está correta. 
 b) As sentenças I e III estão corretas. 
 c) As sentenças II e III estão corretas. 
 d) As sentenças I e II estão corretas. 
 
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3. Fontes e espelhos de corrente são subcircuitos eletrônicos que funcionam como 
cargas ativas em arquiteturas analógicas modernas. Podem ser construídas com 
transistores de efeito de campo, JFET ou MOS, ou com transistores bipolares, BJT. 
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA: 
 a) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente eddy 
para um ou mais ramos, criando correntes alternadas com valores iguais ou 
proporcionais ao da corrente eddy. 
 b) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de 
condução para um ou mais ramos, criando correntes contínuas com valores iguais 
ou proporcionais ao da corrente de condução. 
 c) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de 
referência para um ou mais ramos, criando correntes de espelhamento com 
valores iguais ou proporcionais ao da corrente de referência. 
 d) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de 
Foucault para um ou mais ramos, criando correntes de condução com valores 
iguais ou proporcionais ao da corrente Foucault. 
 
4. O transistor FET, do inglês "Field Effect Transistor", ou, em português Transistor de 
Efeito de Campo, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este 
tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores, em chaves ou em 
controle de corrente sobre uma carga. Com base nesse contexto, classifique V para as 
sentenças verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do inglês) é um 
dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ um dispositivo 
controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão. 
( ) O nome "efeito de campo" é derivado da característica de que para os 
dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas presentes 
que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de 
contato direto entre as grandezas controladas e controladoras. 
( ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de 
tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis em termos de 
temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados. 
( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de 
canal p, porém os transistores bipolares de junção, assim como o nome diz, são 
bipolares (condução por dois portadores de carga: elétrons ou lacunas) e os 
transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares (dependem unicamente da 
condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p). 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - V - V - F. 
 b) V - F - F - V. 
 c) F - V - F - V. 
 d) V - V - F - F. 
 
5. O Transistor Bipolar de Junção (TBJ ou BJT, do inglês: bipolar junction transistor) é 
formado por duas junções pn. Há duas possibilidades básicas de TBJs que são: NPN 
e PNP. O terminal central, denominado base, "controla" a corrente que circula pelos 
dois terminais principais, emissor e coletor. O TBJ pode ser empregado como um 
dispositivo amplificador de modo que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal 
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senoidal de entrada em amplitude. Com base no exposto, assinale a alternativa 
CORRETA: 
 a) Como a amplitude do sinal de saída é maior, podemos dizer também que a 
potência de saída é maior que a potência de entrada. 
 b) Como a amplitude do sinal de entrada é maior, podemos dizer também que a 
potência de saída é maior que a potência de entrada. 
 c) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a 
potência de saída é maior que a potência de entrada. 
 d) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a 
potência de entrada é maior que a potência de saída. 
 
6. O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente 
de saída. O nome "efeito de campo" do JFET vem das zonas de depleção que 
rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as 
lacunas da zona p. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças 
verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) A fonte de pressão de águapode ser comparada com à tensão aplicada do dreno 
para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira 
(fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo 
de água (carga) para o dreno. 
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a 
conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato 
ôhmico temos o dreno (D - drain). 
( ) Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte 
do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de 
material do tipo np. 
( ) O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - V - V - F. 
 b) V - F - F - V. 
 c) V - V - F - F. 
 d) F - V - F - V. 
 
7. A sigla JFET significa Junction Field Effect Transistor (transistor de junção com 
efeito de campo). E um tipo unipolar de transistor. Este nome deriva do fato de que a 
maioria dos portadores de cargas fluindo através do Transistor são somente elétrons 
(como no caso do transistor JFET com canal N) ou apenas lacunas (como no caso do 
transistor JFET com canal P). Com base nesse contexto, classifique V para as 
sentenças verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) Como qualquer outro componente eletrônico, a folha de dados de um JFET é de 
grande importância na hora da escolha e utilização de um componente em um 
projeto. 
( ) Muitas características como especificações máximas (normalmente 
apresentados no início da folha de especificações de um JFET e para um bom projeto 
é recomendado não ultrapassar, podendo danificar de forma definitiva o 
componente), características térmicas (apresenta variações das características do 
componente pela variação da temperatura de uso), características elétricas 
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(características de estado "ligado", "desligado" e pequenos sinais) e características 
usuais (variedade de curvas que demonstram como parâmetros importantes se 
comportam de acordo com variação de tensão, corrente, temperatura e frequência). 
( ) Existe uma forma mais rápida para se obter a curva de um JFET através da 
curva de Schockley, onde podemos pré-determinar quatro valores relacionas entre 
Vd E ID. 
( ) O número de pontos deve ser dois, é possível melhorar a precisão da curva 
determinando mais pontos. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) V - V - F - F. 
 b) F - V - F - V. 
 c) V - F - V - F. 
 d) F - V - V - F. 
 
8. O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas 
semicondutoras. Diferentemente dos transistores de junção, que são ativados por 
uma corrente elétrica, os FETs são ativados por tensões elétricas e, por isso, podem 
amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. Esses transistores são mais 
baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, sendo 
largamente utilizados em chips eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as 
sentenças a seguir: 
 
I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um 
metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para 
os MOSFETs tipo n. 
II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através 
do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas 
aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando 
fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. 
III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o 
que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir 
transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar 
frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) Somente a sentença II está correta. 
 b) As sentenças II e III estão corretas. 
 c) As sentenças I e III estão corretas. 
 d) As sentenças I e II estão corretas. 
 
9. Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um 
dispositivo semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um JFET 
com uma junção Schottky (metal - semicondutor) em vez de uma junção p-n para 
uma porta. Os MESFETs são construídos em tecnologias de semicondutores 
compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, como arseneto de gálio, 
fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais rápidos, e mais caros do que 
JFETs ou MOSFETs baseados em silício. Os MESFETs de produção são operados 
até aproximadamente 45 GHz, e são comumente usados para radares e comunicações 
de frequência de microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 
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e, um ano depois, seu desempenho de microondas RF de frequência extremamente 
alta foi demonstrado. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças 
verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito 
de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal 
diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e 
sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande 
mobilidade dos portadores no material de GaAs. 
( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de 
transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs). 
( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à 
observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p. 
( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada 
no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - V - F - V. 
 b) V - F - V - F. 
 c) F - V - V - F. 
 d) V - V - F - F. 
 
10. Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para 
amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. 
Resulta assim em maior potência do som produzido. o MOSFET também é 
constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas formas: transistores 
MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui 
a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de 
canal-N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F 
para as falsas: 
 
( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-
semicondutor. 
( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET. 
( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob 
a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material do 
tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao 
material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é isolada do material do 
tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de 
entrada do dispositivo. 
( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexõesdo dreno, fonte e 
porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se 
relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - F - V - V. 
 b) F - V - F - V. 
 c) V - F - V - F. 
 d) V - V - F - F. 
 
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