Memorias Semicondutoras_Amanda Razaboni

Prévia do material em texto

Eletrônica Digital II 
VISÃO GERAL DAS MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS BASEANDO-SE NOS CONCEITOS TEÓRICOS 
DE PORTAS LÓGICAS, REGISTRADORES, DECODIFICADORES". 
Amanda Razaboni 
1- Quais os tipos de memórias semicondutoras e quais as características de cada um dos 
tipos (pág. 96)? 
Existem dois tipos de memórias semicondutoras, a ROM (Read Only Memory - Memória apenas 
de Leitura) e a RAM (Random Access Memories - Memória de Acesso Randômico). 
ROM: São memórias apenas de leitura, que já é feita a sua gravação durante o processo de 
fabricação do semicondutor. Dentro dessa família, há alguns outros dispositivos que foram 
desenvolvidos, visando contornar algumas limitações. São eles: PROM (Programmable Read 
Only Memory), que vem apaga de fábrica e pode se gravar apenas uma vez; EPROM (Erasable 
Programmable ROM). essas memórias podiam ser apagadas com o uso de luz ultravioleta, 
podendo ser regravada; EEPROM ou E2PROM (Electrically Erasable Programmable ROM), 
circuito auxiliar que apaga o seu conteúdo eletricamente, geralmente realizado byte a byte; 
Flash EEPROM, similar a EEPROM, porém apaga o conteudo todo, não precisando de muitos 
circuitos auxiliares. 
RAM: Qualquer byte em seu interior pode ser acessado, mantem a informação gravada 
enquanto alimentada e perde a informação quando desligada. Dentro dessa família, também há 
outros dispositivos que foram desenvolvidos. São eles: DRAM (Dynamic RAM). memória simples 
e rápida, cada bit é basicamente um capacitor e um transistor, em que o nível lógico é 
determinado pela carga do capacitor: SRAM (Static RAM), mais convencional, cada bit é um flip 
flop D, estado não é mantido na falta de alimentação; NVSRAM (non-Volatie Static RAM), similar 
a SRAM mas com uma bateria integrada, mantendo o conteúdo na falta de alimentação. 
2- Cite os 3 tipos de barramentos existentes nas memórias semicondutoras. 
Endereço, dados, e controle. 
3- Quantos pinos de endereçamento (barramento de endereços) tem a memória 32k x 8 
na figura da página 99 da apostila? Ídem para o barramento de controle e barramento 
de dados? 
barramento de endereços – 15 pinos 
barramento de controle – 3 pinos 
barramento de dados – 8 pinos 
4- Qual a faixa de endereçamento da memória (maior e menor endereço em binário em 
em hexadecimal)? 
Menor: 0000 (0000) 
Maior: 111111111111111 (7FFF) 
5- Qual o maior e o menor valor que se pode armazenar em cada palavra da memória? 
0 a 256 
 
6- Qual a função de cada pino do barramento de controle da memória? 
CS: Chip Select, que em zero habilita o chip 
OE: Output Enable, também pode ser indicado como RD (Read), em 0 este sinal determina que 
a memória deve fornecer dados ao barramento de dados, e não o contrário. 
WR: Write, em zero determina que a memória deve armazenar o dado existente no barramento 
7- Estude e analise o comportamento da temporização para ler ou escrever um dado na 
memória usando a figura do Datasheet 62256 – Samsung Electronics. 
O dado deve permanecer válido durante as bordas de subida de WR e CS. Para evitar erros, é 
mantido o dado estático durante todo o ciclo de gravação (que se inicia com CS transitando para 
0, e termina com CS e WR retornando a nível 1). 
8- Estude o datasheet da memória EPROM 2716 e explique a pinagem e demais itens 
como os das questões 3, 4, 5, 6 e 7. 
barramento de endereços – 11 pinos 
barramento de dados – 8 pinos 
barramento de controle – 2 pinos 
 
EP Chip Enable / Program 
G Output Enable 
Menor valor: 0000 (0000) 
Maior valor: 11111111111 (7FF) 
0 a 256 
 
Dado deve permanecer válido durante todas as etapas. 
9- Idem para a memória RAM 6116 ou 6164. 
barramento de endereços – 11 pinos 
barramento de dados – 8 pinos 
 barramento de controle – 3 pinos 
 
CS Chip Select 
WE Write Enable 
OE Output Enable 
Menor valor: 0000 (0000) 
Maior valor: 11111111111 (7FF) 
0 a 256 
O dado deve permanecer válido durante as bordas de subida de OE e CS. 
10- Como usar dois CIs de memória RAM 2716 para dobrar a capacidade de palavras de 
memória de um sistema. Como interligar as duas memórias? 
As memorias devem ser interligadas em paralelo.