Diodos de Junção PN

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Considerando que o circuito apresentado na Figura 4 
possui um diodo de junção PN, com uma tensão de 
barreira 0,7V e uma tensão de ruptura de 40V, indique 
em qual região da curva do diodo o dispositivo se 
encontrará quando você aplicar, respectivamente, a 
tensões na fonte VS de -50V, -10V, 10V, 50V. 
 
Região de ruptura, região inversa, região direta e 
região direta 
Sabendo que o circuito apresentado na figura a 
seguir possui uma fonte senoidal cuja tensão de pico 
é da ordem de 180V. 
Analise a tabela em que são apresentadas as 
tensões reversas de uma família de diodos e 
identifique qual você poderá utilizar para a 
implementação desse circuito. 
 
Diodo 
Tensão 
Reversa (V) 
D1 50 
D2 100 
D3 200 
D4 400 
D5 600 
D6 800 
D7 1000 
 
D3, D4, D5, D6 e D7 
 
 
 
Considerando o fato do processo de dopagem de materiais semicondutores ser essencial para a obtenção de um 
diodo de junção PN, qual será o efeito sobre as características condutivas/isolantes dos materiais 
semicondutores quando lacunas ou elétrons forem inseridos como portadores majoritários? 
 
A inserção de lacunas aumenta a resistividade, e a inserção de elétrons aumenta a condutividade do material 
semicondutor.