Eletr_nica_Anal_gica_TBJ_2022

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O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
 O que vamos estudar:
 Aprender o que é um Transistor bipolar de junção
 Saber que existem diferentes configurações, além de operar em três regiões diferentes,
sendo a mais usual a região linear
 Aprender a calcular os parâmetros elétricos básicos (amplitudes de tensão e corrente)
em circuitos de corrente contínua
 Ter noções sobre as informações presentes no datasheet de um componente
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
 O que é? É um componente eletrônico de três terminais destinado a comutar circuitos
eletrônicos.
 Função: dentre outras, realiza a comutação (chaveamento) em circuitos eletrônicos,
além de poder amplificar correntes. Utilizado também na família lógica TTL de circuitos
integrados.
 Bipolar: dois tipos de portadores estão envolvidos no processo de condução de corrente:
elétrons e lacunas
 Unipolar: um único tipo de portador está envolvido no processo de condução de
corrente: elétrons para o JFET de canal n e lacunas para o JFET de canal p
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
Fonte: CAMPOS, 2020
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
O transistor é um semicondutor
que pode ser formado por:
 Duas camadas tipo p e uma
tipo n: transistor pnp
 Duas camadas tipo n e uma
tipo p: transistor npn
 Diferente do diodo, no TBJ os
níveis de dopagem são
diferentes
Cada terminal é identificado
por uma letra: E – Emissor; B –
Base; C - Coletor
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 116) 5
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
 Um dos três terminais é conectado ao
GND, gerando três configurações
distintas:
 Base-comum
 Coletor-comum
 Emissor-comum
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
 Existem três regiões de operação:
 Região Ativa ou linear
 Uma junção pn é polarizada diretamente enquanto a outra é polarizada reversamente
 Região de corte
 As duas junções pn são polarizadas reversamente
 Região de saturação
 As duas junções pn são polarizadas diretamente
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
 Existem três regiões de operação:
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR -
Aplicações
 Transistores de uso geral, que amplificam ou geram sinais de pequena 
intensidade e frequência baixa (1 a 200 MHz)
 Exemplos: BC548, BC558, BC107, 2SB75, OC74, 2N2222, 2N107
Fonte: BRAGA, 2018. 
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O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR -
aplicações
 Transistores de potência: as correntes são maiores. Ex.: amplificadores de áudio, 
excitando diretamente os alto-falantes, fontes chaveadas, excitadores de 
motores em controles industriais, etc
10Fonte: BRAGA, 2018. 
10
O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR -
aplicações
 Transistores de potência requerem dissipadores térmicos
11Fonte: BRAGA, 2018. 
11
O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR -
aplicações
 Transistores de RF: são para aplicação em radiofrequência, isto é, os sinais 
gerados e/ou amplificados são em frequências mais elevadas, porém em 
baixas amplitudes
12Fonte: BRAGA, 2018. 
12
O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
 Famílias de circuitos lógicos denominadas de TTL utilizam TBJs em seus circuitos 
integrados (CIs)
Fonte: BRAGA, 2021 13
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 1: 
POLARIZAÇÃO FIXA
 O TBJ é analisado em circuitos CC
como um componente de três
terminais, podendo ser aplicados os
métodos já conhecidos em circuitos
elétricos:
 Lei de Kirchhoff das Correntes (LKC):
soma das correntes que entram é
igual a soma das correntes que saem
de um nó
 Lei de Kirchhoff das Tensões (LKT): a
soma dos aumentos de tensão e das
quedas de tensão em um caminho
fechado é igual a zero
𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 (LKC)
−𝑉𝑐𝑐 + 𝑅𝐵𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝐼𝐵 =
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 147)
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 1: 
POLARIZAÇÃO FIXA
 Lei de Kirchhoff das Tensões (LKT):
 Como o terminal do emissor está
aterrado, ou seja, conectado
diretamente ao GND, pode-se
concluir:
𝑉𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
Logo:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵
−𝑉𝑐𝑐 + 𝑅𝐶𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝐶𝐼𝐶
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 147)
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ANÁLISE CC DO TBJ
 A tensão entre a base e o emissor (𝑉𝐵𝐸):
𝑽𝑩𝑬 ≅ 𝟎, 𝟕𝑽
 A corrente de emissor é
aproximadamente igual a corrente de
coletor
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 + 𝛽. 𝐼𝐵 ∴
𝐼𝐸 = 𝛽 + 1 . 𝐼𝐵
𝑰𝑬 ≅ 𝑰𝑪
𝑰𝑪 = 𝜷. 𝑰𝑩 (região linear)
 O TBJ opera como amplificador de
corrente na região linear ou ativa
(configuração npn emissor comum) Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 123)
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 2: 
POLARIZAÇÃO FIXA COM 
POLARIZAÇÃO DO EMISSOR
 Note que agora o TBJ tem um resistor
conectado entre o terminal do
emissor e o do GND, 𝑅𝐸
 Aplicando a análise deste circuito
𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 (LKC)
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 153)
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𝐼𝐶 = β𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + β𝐼𝐵 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 2: 
POLARIZAÇÃO FIXA COM 
POLARIZAÇÃO DO EMISSOR
 Aplicando a análise deste circuito
−𝑉𝑐𝑐 + 𝑅𝐵𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸𝐼𝐸 = 0
−𝑉𝑐𝑐 + 𝑅𝐵𝑰𝑩 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 . 𝑰𝑩 = 0
Disso, obtém-se:
𝐼𝐵 =
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 153)
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 2: 
POLARIZAÇÃO FIXA COM 
POLARIZAÇÃO DO EMISSOR
 Aplicando a análise deste circuito
−𝑉𝑐𝑐 + 𝑅𝐶𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸𝐼𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)
Assim:
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸𝐼𝐸
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸
Ou:
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶𝐼𝐶
A tensão na base:
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐵𝐼𝐵
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 154)
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 3: 
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
 O que se observa nos casos
anteriores é a dependência dos
parâmetros de corrente de coletor,
𝐼𝐶, e tensão entre o coletor e emissor,
𝑉𝐶𝐸 , em relação ao parâmetro β
(ganho de corrente)
 Na configuração apresentada no
caso 3, esse problema é minimizado,
sendo que a sensibilidade às
variações de beta é bem pequena
 Veremos a análise para calcular os
parâmetros do circuito, denominado
de polarização por divisor de tensão
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 158)
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 3: 
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
 O circuito equivalente de Thévenin
deve ser calculado para a estrutura
ao lado
 A resistência equivalente de thévenin
(𝑹𝑻𝒉) é obtida colocando a fonte de
alimentação de tensão ( 𝑉𝐶𝐶 ) em
curto-circuito, obtendo a resistência
equivalente:
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1. 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
 A tensão de thévenin ( 𝐸𝑇ℎ ) é a
tensão de circuito aberto, neste caso
é igual a queda de tensão em 𝑅2:
𝐸𝑇ℎ = 𝑉𝑅2 =
𝑅2𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 158)
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21
ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 3: 
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
 O circuito equivalente de Thévenin
deve ser calculado para a estrutura
ao lado
 A resistência equivalente de thévenin
(𝑹𝑻𝒉) é obtida colocando a fonte de
alimentação de tensão ( 𝑉𝐶𝐶 ) em
curto-circuito, obtendo a resistência
equivalente:
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1. 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
 A tensão de thévenin ( 𝐸𝑇ℎ ) é a
tensão de circuito aberto, neste caso
é igual a queda de tensão em 𝑅2:
𝐸𝑇ℎ = 𝑉𝑅2 =
𝑅2𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 159) 22
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ANÁLISE CC DO TBJ – CASO 3: 
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
 Aplicando as análises anteriores
neste circuito:
𝐼𝐵 =
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 159) 23
23
ANÁLISE CC DO TBJ
 A potência máxima que o componente pode dissipar (𝑃𝐶𝑚á𝑥) é calculada:
𝑃𝐶𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 . 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐸: tensão entre o coletor e o emissor
𝐼𝐶: corrente de coletor
Deve-se calcular os parâmetros elétricos básicos do circuito a ser projetado:
Corrente de coletor (𝐼𝐶)
Corrente de base (𝐼𝐵)
Tensão entre o coletor e o emissor (𝑉𝐶𝐸)
Também pode-se determinar:
Tensão de coletor (𝑉𝐶)
Tensão de emissor (𝑉𝐸)
Tensão de base (𝑉𝐵)
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24
EXEMPLO DE DATASHEET: BC547
Fonte: FAIRCHILD, 2020 25
25
EXERCÍCIOS
 Dica:anotar numa folha ou caderno os cálculos desenvolvidos em aula!
 Há evidências de que escrever torna o aprendizado otimizado
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POLARIZAÇÃO CC – CASO 1: POLARIZAÇÃO 
FIXA
 Considere o circuito ao lado e determine
o que se pede.
 a) 𝐼𝐵 e 𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
12 − 0,7
240000
= 47,083 𝜇𝐴
𝐼𝐶 = 50.47,083 𝜇𝐴=2,354 mA
 b) 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝑐. 𝐼𝑐 = 12 − 2,2𝑘. 2,354𝑚 = 6,82𝑉
𝑉𝐸 = 0𝑉 ∴ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 = 6,82𝑉
 c) 𝑉𝐵 e 𝑉𝑐
𝑉𝐶 = 6,82𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 = 0,7𝑉
 d) 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 0,7 − 6,82 = −6,12𝑉
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 148)
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POLARIZAÇÃO CC – CASO 1: POLARIZAÇÃO 
FIXA
 Considere o circuito ao lado e determine
o que se pede.
 a) 𝐼𝐵 e 𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
12 − 0,7
240000
= 47,083 𝜇𝐴
𝐼𝐶 = 50.47,083 𝜇𝐴=2,354 mA
 b) 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝑐. 𝐼𝑐 = 12 − 2,2𝑘. 2,354𝑚 = 6,82𝑉
𝑉𝐸 = 0𝑉 ∴ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 = 6,82𝑉
 c) 𝑉𝐵 e 𝑉𝑐
𝑉𝐶 = 6,82𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 = 0,7𝑉
 d) 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 0,7 − 6,82 = −6,12𝑉
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 148)
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28
POLARIZAÇÃO CC – CASO 2: POLARIZAÇÃO FIXA 
COM RESISTOR NO EMISSOR
 Considere o circuito ao lado e
determine o que se pede.
 a) 𝐼𝐵; b) 𝐼𝐶; c) 𝑉𝐶𝐸; d) 𝑉𝑐; e) 𝑉𝐸; f) 𝑉𝐵; g) 𝑉𝐵𝐶
 a)
𝐼𝐵 =
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
=
20 − 0,7
430𝑘 + 50 + 1 1𝑘
𝐼𝐵 = 40,125 𝜇𝐴
 b)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 50 40,125 𝜇 = 2,006 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵 = 50 + 1 40,125 𝜇
𝐼𝐸 = 2,05 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
 c)
𝑉𝐶𝐸 = 20 − (2𝑘 +1𝑘)2,05𝑚 = 13,85𝑉 Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 155)
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29
POLARIZAÇÃO CC – CASO 2: POLARIZAÇÃO FIXA 
COM RESISTOR NO EMISSOR
 Considere o circuito ao lado e
determine o que se pede.
 a) 𝐼𝐵; b) 𝐼𝐶; c) 𝑉𝐶𝐸; d) 𝑉𝑐; e) 𝑉𝐸; f) 𝑉𝐵; g) 𝑉𝐵𝐶
 a)
𝐼𝐵 =
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
=
20 − 0,7
430𝑘 + 50 + 1 1𝑘
𝐼𝐵 = 40,125 𝜇𝐴
 b)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 50 40,125 𝜇 = 2,006 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵 = 50 + 1 40,125 𝜇
𝐼𝐸 = 2,05 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
 c)
𝑉𝐶𝐸 = 20 − (2𝑘 +1𝑘)2,05𝑚 = 13,85𝑉 Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 155)
30
30
POLARIZAÇÃO CC – CASO 2: POLARIZAÇÃO FIXA 
COM RESISTOR NO EMISSOR
 Considere o circuito ao lado e
determine o que se pede.
 a) 𝐼𝐵; b) 𝐼𝐶; c) 𝑉𝐶𝐸; d) 𝑉𝑐; e) 𝑉𝐸; f) 𝑉𝐵; g) 𝑉𝐵𝐶
d) 𝑉𝑐 e e) 𝑉𝐸
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸𝐼𝐸 = 1𝑘 2,05 𝑚 = 2,05𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 13,85 + 2,05 = 15,9𝑉
f) 𝑉𝐵
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 ≅ 0,7𝑉 (𝑠𝑖𝑙í𝑐𝑖𝑜)
𝑉𝐵 = 0,7 + 2,05 = 2,75V
g) 𝑉𝐵𝐶
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 2,75 − 15,9 = −13,15𝑉
31
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 155)
31
POLARIZAÇÃO CC – CASO 2: POLARIZAÇÃO FIXA 
COM RESISTOR NO EMISSOR
 Considere o circuito ao lado e
determine o que se pede.
 a) 𝐼𝐵; b) 𝐼𝐶; c) 𝑉𝐶𝐸; d) 𝑉𝑐; e) 𝑉𝐸; f) 𝑉𝐵; g) 𝑉𝐵𝐶
d) 𝑉𝑐 e e) 𝑉𝐸
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸𝐼𝐸 = 1𝑘 2,05 𝑚 = 2,05𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 13,85 + 2,05 = 15,9𝑉
f) 𝑉𝐵
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 ≅ 0,7𝑉 (𝑠𝑖𝑙í𝑐𝑖𝑜)
𝑉𝐵 = 0,7 + 2,05 = 2,75V
g) 𝑉𝐵𝐶
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 2,75 − 15,9 = −13,15𝑉
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Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 155)
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POLARIZAÇÃO CC – CASO 3: 
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
 Considere o circuito ao lado e
determine o que se pede.
 Determinar: 𝑉𝐶𝐸 e 𝐼𝐶
 1) Determinar 𝑹𝑻𝑯
𝑅𝑇ℎ =
(39𝑘)(3,9𝑘)
39𝑘 + 3,9𝑘
= 3,55𝑘Ω
 2) Determinar 𝑬𝑻𝑯
𝐼𝐵 =
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
=
2 − 0,7
3,55𝑘 + 1,5𝑘 100 + 1
𝐼𝐵=8,38 𝜇A
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 159)
33
𝐸𝑇ℎ =
𝑅2𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
=
(3,9𝑘)(22)
39𝑘 + 3,9𝑘
= 2 𝑉
33
POLARIZAÇÃO CC – CASO 3: 
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
 Considere o circuito ao lado e
determine o que se pede.
 Determinar: 𝑉𝐶𝐸 e 𝐼𝐶
 1) Determinar 𝑹𝑻𝑯
𝑅𝑇ℎ =
(39𝑘)(3,9𝑘)
39𝑘 + 3,9𝑘
= 3,55𝑘Ω
 2) Determinar 𝑬𝑻𝑯
𝐼𝐵 =
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
=
2 − 0,7
3,55𝑘 + 1,5𝑘 100 + 1
𝐼𝐵=8,38 𝜇A
Fonte: BOYLESTAD; LOUIS (2013, p. 159)
34
𝐸𝑇ℎ =
𝑅2𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
=
(3,9𝑘)(22)
39𝑘 + 3,9𝑘
= 2 𝑉
34
RESUMO
 Os TBJs são componentes eletrônicos
destinados ao chaveamento e a
amplificação de corrente
 São dispositivos de três terminais com três
camadas semicondutoras, denominadas: E
– Emissor, B – Base e C – Coletor
 A corrente de emissor é sempre a maior
corrente, enquanto a corrente de base é
sempre a menor
 A corrente de coletor possui duas
componentes: corrente de portadores
majoritários e a de portadores minoritários
(também chamada de corrente de fuga)
 A configuração emissor-comum npn,
apresenta:
 Na região ativa a junção base-emissor
polarizada diretamente e a junção coletor-
base polarizada reversamente
 Na região de corte a junção base-emissor e
a junção coletor-base polarizadas
reversamente
 Na região de saturação as junções base-
emissor e coletor-base polarizadas
diretamente
 Uma aproximação é considerar a tensão
base-emissor igual a 0,7 V num TBJ de silício
em operação na região ativa
35
35
RESUMO
 O parâmetro beta (𝜷 ) indica a relação
entre as correntes de coletor e base e varia
normalmente entre 50 e 400 (aplicável na
configuração emissor-comum, mais
utilizada, sendo representada em
datasheets pela notação ℎ𝐹𝐸 e ℎ𝑓𝑒)
 A configuração mais usual de TBJ é npn
com emissor comum
 Na polarização CC existem três casos
diferentes: polarização fixa, polarização fixa
com polarização do emissor e polarização por
divisor de tensão
 A maior estabilidade perante variações do 𝜷 é
obtida na polarização por divisor de tensão
36
36
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos.
São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.
BRAGA, Newton C.. Curso de Eletrônica Analógica – Parte 3 - Os Transistores Bipolares
(CUR2003). 2018. Disponível em:
https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/analogica/14266-curso-de-eletronica-
analogica-parte-3-os-transistores-bipolares-
cur2003.html?highlight=WyJ0cmFuc2lzdG9yIiwiYmlwb2xhciIsImRlIiwiZGUnIiwiJ2RlIiwianVuXH
UwMGU3XHUwMGUzbyIsInRyYW5zaXN0b3IgYmlwb2xhciIsInRyYW5zaXN0b3IgYmlwb2xhciB
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ZTdcdTAwZTNvIl0=. Acesso em: 28 abr. 2021.
BRAGA, Newton C.. Conheça a família TTL (MEC082). 2021. Disponível em:
https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/robotica/3790#:~:text=Analisemos%20as
%20principais%20caracter%C3%ADsticas%20lembrando,conforme%20mostra%20a%20fi
gura%204. Acesso em: 28 abr. 2021.
CAMPOS, Henrique Marin v. d. B.. Playlist Eletrônica analógica. 2020. Disponível em:
<https://youtube.com/playlist?list=PLP6aYlRTkViFuJ8mFNHPhnbeWf4Ue1j_x>. Acesso em:
15 jun. 2020.
37
37
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. BC546/547/548/549/550. 2020. Disponível em:
<https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/547464/FAIRCHILD/BC547.html>. Acesso em: 15 jun. 2020.
38
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