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Disciplina: ELETRÔNICA ANALÓGICA AV Aluno: Professor: FERNANDO LUIZ COELHO SENRA Turma: 9001 CCE2040_AV_ (AG) 23/03/2023 13:42:28 (F) Avaliação: 7,00 pts Nota SIA: 8,50 pts EM2120654 - O DIODO 1. Ref.: 5498401 Pontos: 0,00 / 1,00 Em um circuito retificador meia-onda com uma tensão de pico de 10 V, o valor da tensão média é igual a: 0,636 V 3,18 V 10 V 6,36 V 0,318 V 2. Ref.: 5453398 Pontos: 0,00 / 1,00 Analisando o circuito a seguir, a corrente no diodo limitador de corrente é: 10,7 mA 9,3 mA 0 A 10 mA 0,7 mA 3. Ref.: 5513218 Pontos: 1,00 / 1,00 Os materiais semicondutores utilizados na confecção dos diodos, quando colocados juntos, formam a chamada camada de depleção, cuja largura varia com a polarização do diodo e define a barreira de potencial. Em qual estado está um diodo de silício se a queda de tensão direta sobre ele for de 0,7 V? Não polarizado Polarizado diretamente Em curto-circuito Na região zener Polarizado reversamente EM2120655 - O TRANSISTOR 4. Ref.: 5513229 Pontos: 1,00 / 1,00 Observando o circuito com transistor polarizado por um divisor de tensão, determine a tensão no emissor VB. Fonte: EnsineMe. 3,16V -16V -3,16V 12,84V 16V 5. Ref.: 5513235 Pontos: 1,00 / 1,00 Considere o circuito a seguir formado pelos seguintes elementos: RC = 2kΩ, RB = 400kΩ, rO = 2kΩ, re = 10Ω, VCC = 16V, Vce = 8V e um m ganho β = 100. Determine a corrente da base. Fonte: EnsineMe. 38,25µA 4mA 0µA 40µA 40,04mA EM2120656 - AMPLIFICADORES OPERACIONAIS 6. Ref.: 5737951 Pontos: 1,00 / 1,00 Determine a tensão de saída para o circuito da figura a seguir, considerando: Rf = 1MΩ; R1 = 100kΩ; R2 = 50kΩ e R3 = 500kΩ; V1 = 1V e V2 = 2V. Fonte: Raphael de Souza dos Santos. -10V 20V 0V -20V 10V 7. Ref.: 5692945 Pontos: 0,00 / 1,00 Para o amplificador inversor da figura a seguir, determine a tensão na saída: Fonte: Raphael de Souza dos Santos. 2,5mV 0,25V 0A -2,5mV -0,25V ENSINEME: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) 8. Ref.: 4077454 Pontos: 1,00 / 1,00 O transistor da figura a seguir é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Determine RE, RB, e RC sabendo que VCC = 20V, VCE = 3V, IB = 40µA e RC = 4RE. RE = 850Ω, RB = 397,5kΩ, RC = 3,4kΩ RE = 1kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 4kΩ RE = 850Ω, RB = 400kΩ, RC = 3,4kΩ RE = 1kΩ, RB = 400kΩ, RC = 4kΩ RE = 2kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 8kΩ 9. Ref.: 4092353 Pontos: 1,00 / 1,00 Observe a figura adiante, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75. Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação = 0,2 V e VBE = 0,67V), com β Forçado igual a 0,75 , o valor da resistência de base (RB) será de: 3,53 kΩ 353,00 Ω 7,06 kΩ 38,83 Ω 1,79 kΩ 10. Ref.: 4092381 Pontos: 1,00 / 1,00 O transistor representado na figura abaixo é polarizado com uma corrente no coletor de 0,5 mA. O ganho de voltagem (v0/vi) para pequenos sinais é: -100 V/V -10 V/V +100 V/V +10 V/V -1 V/V
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