1 Relatório - Curva Característica do Diodo Retificador

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Universidade do Estado do Amazonas 
Escola Superior de Tecnologia 
Engenharia Elétrica – Materiais Elétricos 
 
 
 
 
 
 
 
 
CURVA CARACTERÍSTICA 
DIODO RETIFICADOR 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Manaus (AM) - 2023 
 
Universidade do Estado do Amazonas 
Escola Superior de Tecnologia 
Engenharia Elétrica – Materiais Elétricos 
 
 
 
 
 
CURVA CARACTERÍSTICA 
DIODO RETIFICADOR 
 
Alunos: Frank Oliveira Almeida Junior 
 
 
 
Relatório apresentado para avaliação na 
disciplina de Materiais Elétricos do curso 
de Engenharia Elétrica, turno Integral, da 
Universidade do Estado do Amazonas 
ministrado pelo professor Weverson 
Cirino. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Manaus (AM) - 2023 
 
SUMÁRIO 
INTRODUÇÃO ........................................................................................................................................... 3 
1 OBJETIVOS ...................................................................................................................................... 4 
1.1 GERAIS: ....................................................................................................................................... 4 
1.1.1 Familiarizar-se com medições de corrente contínua no ambiente virtual; .......................... 4 
1.1.2 Familiarizar-se com medições de tensão contínua no ambiente virtual; ............................. 4 
1.1.3 Familiarizar-se com a plotagem das curvas característica do diodo retificador; ................. 4 
1.2 ESPECÍFICOS: .............................................................................................................................. 4 
1.2.1 Compreender a utilização do Diodo Retificador; ................................................................ 4 
1.2.2 Compreender o funcionamento do software Multisim para medições de corrente contínua.
 4 
1.2.3 Compreender, analisar, e comparar as curvas características dos diodos no ambiente 
virtual, e teórico. ............................................................................................................................. 4 
2 REFERENCIAL TEÓRICO ................................................................................................................... 4 
2.1 DIODO ........................................................................................................................................ 4 
2.1.1 Diodo Retificador: .............................................................................................................. 4 
2.1.2 Tipos de Diodos ................................................................................................................. 9 
2.1.3 Corrente Alternada ............................................................................................................... 15 
2.1.3 Corrente Contínua ........................................................................................................... 17 
2.1.4 Aplicações do Diodo ........................................................................................................ 18 
3 EXPERIÊNCIA ................................................................................................................................. 19 
3.1 MATERIAIS UTILIZADOS: ................................................................................................................. 19 
3.2 RESISTORES: ................................................................................................................................. 19 
3.3 EQUIPAMENTOS ............................................................................................................................ 19 
3.4 PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL: ...................................................................................................... 20 
3.4.1 Circuito 1: ........................................................................................................................ 20 
3.4.2 Circuito 2: ........................................................................................................................ 22 
3.5 RESULTADOS OBTIDOS:................................................................................................................... 23 
3.5.1 Comparação entre as curvas traçadas e curvas dos datasheets. ...................................... 23 
3.5.2 Valores de Verificação das Curvas Características – 1N4007 e 1N4148. ........................... 25 
3.5.3 Determinação do Ângulo de Inclinação da Reta (A). ........................................................ 25 
3.5.4 Questões Discursivas. ...................................................................................................... 26 
3.6 DISCURSÃO SOBRE RESULTADOS: ....................................................................................................... 29 
4 CONCLUSÃO.................................................................................................................................. 30 
 
REFERÊNCIAS ......................................................................................................................................... 31 
 
 
3 
 
INTRODUÇÃO 
Na era moderna, os dispositivos eletrônicos ocupam um papel vital em 
praticamente todos os aspectos de nossa vida, desde tarefas simples até sistemas 
intrincados. No contexto desses componentes, o diodo retificador se destaca como um 
elemento essencial ao converter corrente alternada em corrente contínua, impulsionando 
a eficiência operacional de dispositivos eletrônicos e sistemas de energia. Sua importância 
deriva da habilidade de transformar as oscilações periódicas da corrente alternada em um 
fluxo unidirecional, eliminando quaisquer flutuações de polaridade. Uma compreensão 
aprofundada das operações e traços distintivos desse componente central requer a análise 
minuciosa da curva característica do diodo retificador. 
O foco principal deste estudo estará na avaliação da curva característica do 
diodo retificador. Investigaremos a interdependência entre tensão e corrente nesse 
componente, abordando distintos modos de operação, incluindo a fase de condução direta 
e o estado de bloqueio reverso. Iremos aprofundar nossa análise ao descrever os princípios 
subjacentes à tensão direta de limiar, resistência direta e tensão de ruptura, destacando os 
elementos cruciais da curva característica e sua aplicação prática. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4 
 
1 OBJETIVOS 
1.1 GERAIS: 
1.1.1 Familiarizar-se com medições de corrente contínua no ambiente virtual; 
1.1.2 Familiarizar-se com medições de tensão contínua no ambiente virtual; 
1.1.3 Familiarizar-se com a plotagem das curvas característica do diodo retificador; 
1.2 ESPECÍFICOS: 
1.2.1 Compreender a utilização do Diodo Retificador; 
1.2.2 Compreender o funcionamento do software Multisim para medições de 
corrente contínua. 
1.2.3 Compreender, analisar, e comparar as curvas características dos diodos no 
ambiente virtual, e teórico. 
2 REFERENCIAL TEÓRICO 
2.1 DIODO 
2.1.1 Diodo Retificador: 
O diodo convencional é composto por dois blocos de material semicondutor um 
do tipo N outro do tipo P. 
A sua representação esquemática é a seguinte: 
Figura 1 - Representações do Diodo 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
 
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O diodo é um componente eletrônico de dois terminais, que conduz corrente 
elétrica preferivelmente em um só sentido, bloqueando a sua passagem no sentido 
oposto. Esse comportamento unidirecional é chamado retificação, sendo utilizado 
para converter corrente alternada em corrente contínua e extrair a informação de 
um sinal modulado em amplitude (AM). 
Entretanto, o diodo pode ser empregado para outras finalidades além da 
retificação. Existem diodos de uso especial utilizados para regulação de tensão 
(diodos zener), sintonia eletrônica em receptoresde rádio e TV (varicaps), geração 
de rádio frequência (diodos túnel) e produção de luz (leds). Quando o díodo está 
polarizado diretamente, conduz e permite circular a corrente. 
Se está polarizado inversamente não permite circular corrente. 
Figura 2 - Polarização invertida do Diodo 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
 Figura 3 - Polarização Direta do Diodo 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
 Um díodo é um dispositivo constituído por uma junção de dois materiais 
semicondutores (em geral silício ou germânio dopados), um do tipo n e o outro do tipo 
p, ou de um material semicondutor e de um metal, sendo usualmente representado pelo 
 
6 
 
símbolo da Figura 1. Aos terminais A e K dão-se respectivamente os nomes de Ânodo e 
Cátodo. 
Figura 4 - Terminais do Diodo 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
Este dispositivo permite a passagem de corrente, com facilidade, num sentido, e 
oferece uma grande resistência à sua passagem no sentido contrário. 
Assim, quando o Ânodo (A) estiver a um potencial positivo em relação ao Cátodo 
(K), o díodo conduz e a corrente terá o sentido (convencional) indicado pela seta. Nestas 
condições diz-se que: 
O díodo está diretamente polarizado. Quando o Ânodo estiver a um potencial 
negativo em relação ao Cátodo, o díodo não conduz e a corrente, que teria o sentido 
contrário ao da seta, não é autorizada a passar. Nestas condições diz-se que o díodo 
está inversamente polarizado. 
Figura 5 - Curva característica do Diodo 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
 
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Na Figura 2 pode ver-se um gráfico típico da corrente no díodo em função da 
tensão nos seus terminais, que resulta do comportamento físico da junção p-n. A tensão e 
a corrente são consideradas positivas quando o dispositivo se encontra diretamente 
polarizado. A variação da corrente do díodo semicondutor com a tensão aos seus 
terminais tem uma forma quase exponencial: em boa aproximação a corrente I é dada por: 
𝐼 = 𝐼𝑠(𝑒
𝑉
𝑉𝑟 − 1) Equação 1 
 𝑉𝑇 = 𝑘𝑇/𝑞 Equação 2 
Onde q é a carga do elétron, (≈ 1,6 10-19 C) V a tensão aos terminais do díodo, k a 
constante de Boltzman (≈ 1,38 10-23 J /K), T a temperatura absoluta e Is uma constante 
designada por corrente de saturação. À temperatura ambiente (300 K) tem-se: 
𝑉𝑇 = 
𝑘𝑇
𝑞
× 25𝑚𝑉 Equação 3 
Este comportamento pode ser aproximado, em certas aplicações, pelo de um díodo 
ideal ou por uma característica linearizada. 
 
Figura 6 - Curvas características do Diodo 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
Pode-se observar as curvas características e correspondentes a modelos eléctricos 
do díodo. Da esquerda para a direita: díodo ideal; díodo com comportamento ideal, mas 
com uma tensão limiar de condução; díodo com característica linearizada. (V D - tensão 
limiar de condução, RD - resistência de condução direta). 
Polarização no sentido direto 
Considera-se a aplicação de uma diferença de potencial às extremidades do 
conjunto PN, de modo que o lado P da junção fique ligado ao polo positivo, e o lado N 
 
8 
 
ao polo negativo. O estabelecimento deste campo eléctrico tende a diminuir o efeito da 
barreira de potencial ou até a anulá-la. Do lado N o polo negativo da fonte repele os 
electrões de N para P com uma força maior do que a exercida pela barreira de potencial 
que os mantinha em N. Do mesmo modo as lacunas deslocam- se mais facilmente de P 
para N. Um miliamperímetro instalado no circuito indicará uma corrente de P para N 
(sentido convencional). 
Para tornar a junção passante é preciso anular a barreira de potencial. É, por 
conseguinte necessário aplicar aos terminais da junção, uma tensão suficiente para chegar 
a este resultado. Algumas junções de germânio necessitam de um mínimo de 0,1 ou 0,2 
Volt para se tornarem passantes. As junções de silício só se tornam passantes a partir de 
0,6V. 
 Polarização no sentido inverso 
Liga-se agora o terminal positivo da fonte exterior à extremidade N do conjunto 
PN. Este sentido de ligação reforça a barreira de potencial. Os elétrons livres da região N 
e as lacunas da região P, isto é, os portadores principais, passam a ter ainda maior 
dificuldade em atravessar a junção. Diz-se então que a junção está bloqueada. No entanto, 
alguns portadores minoritários conseguem passar através da junção. Uma vez passada a 
junção o seu movimento é facilitado, por um lado pelas cargas principais que constituem 
a barreira de potencial, e por outro, pelos potenciais aplicados nas extremidades. A 
corrente devida aos portadores minoritários pode ser evidenciada através de um micro 
amperímetro, intercalado no circuito exterior. A corrente, de sentido convencional, passa 
de N para P. 
 Efeito Zener - Efeito Avalanche 
A tensão inversa aplicada às extremidades de uma junção PN não pode ser 
aumentada indefinidamente. Com efeito, o aumento da d.d.p.(diferença de potencial) no 
sentido inverso provoca uma aceleração dos portadores minoritários. A partir de uma 
certa tensão inversa os portadores secundários adquirem uma velocidade suficiente para 
arrancarem por choques electrões aos átomos. O fenómeno é cumulativo e provoca um 
rápido decréscimo da resistividade. Este efeito é utilizado em um tipo especial e díodos 
para regular a tensão diodo zener 
 
9 
 
2.1.2 Tipos de Diodos 
2.1.2.1 Diodo Varicap 
Os díodos de junção têm uma região de depleção entre as camadas P e N. 
Um diodo varicap é um diodo que tem uma capacidade variável em função da tensão 
aplicada. São basicamente diodos construídos especificamente para funcionarem como 
condensadores (capacitores) variáveis cuja capacitância varia de acordo com a tensão 
aplicada. 
Figura 7 - Curva característica do diodo Varicap 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
Um diodo inversamente polarizado pode funcionar como um capacitor 
(condensador), cuja capacitância varia de acordo com a tensão aplicada. 
Figura 8 - Símbolo do diodo Varicap 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
2.1.2.2 Fotodiodo 
Uma junção PN pode emitir luz sob ação de uma corrente elétrica (díodo LED). 
E o processo inverso também é possível, ou seja, a luz pode gerar uma corrente elétrica 
em uma junção PN. 
 
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Figura 9 - Funcionamento do Foto-Diodo 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
Seção transversal de um fotodiodo comum de silício. É um díodo de junção com 
caraterísticas construtivas para direcionar a incidência de luz para a camada P. Esta, por 
sua vez, é bastante fina e sua espessura tem relação com o comprimento de onda da luz a 
detectar. 
Figura 10 - Fotodiodo num circuito 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
Um fotodiodo pode operar no modo fotovoltaico, isto é, sem nenhuma 
polarização. Uma vez que a tensão gerada é muito baixa, é comum o uso de um 
amplificador operacional. Neste circuito, os pulsos de saída são invertidos em relação aos 
pulsos de luz na entrada. 
 
 
 
 
 
 
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Figura 11 - Fotodiodo atuando como fovoltaico 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
No modo fotocondutor, o fotodiodo é polarizado por um potencial de uma fonte 
externa. Os dois circuitos (sem inversão e com inversão de pulso) mostram a utilização 
com amplificadores operacionais. Fotodiodo deve trabalhar com polarização inversa. 
2.1.2.3 DiodosSchottky 
Nos díodos schottky utiliza-se em vez de material semicondutor tipo P um metal, 
não haverá lacunas que possam armadilhar elétrons vindos dos outros materiais durante 
a corrente direta. Diodos de junção metálica e semicondutor não são recentes. Os 
primitivos rádios de galena, do início do século XX, usavam um fio metálico e um cristal 
de galena (sulfeto de chumbo) para formar um diodo detector de radiofrequência. 
Figura 12 - Representação Diodo Schottky 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
Diodos de metal/semicondutor (diodos schottky), são obtidos pela deposição, por 
evaporação ou por meios químicos, de uma camada metálica sobre a superfície de um 
semicondutor. Normalmente há uma camada de óxido na borda para evitar efeitos 
 
12 
 
indesejáveis do campo elétrico mais intenso nessa zona. O principal destaque do diodo 
schottky é o menor tempo de recuperação, pois não há recombinação de cargas do diodo 
de junção. Outra vantagem é a maior densidade de corrente, o que significa uma queda 
de tensão direta menor que a do diodo comum de junção. A contrapartida é uma corrente 
inversa maior, o que pode impedir o uso em alguns circuitos. São usados principalmente 
em circuitos de alta frequência, de alta velocidade de comutação. 
Figura 13 - Símbolo do Diodo Schottky 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
2.1.2.4 Díodos Túnel 
São diodos de junção PN com elevadas concentrações de impurezas (dopagem) em 
ambas as camadas. Nesta situação, a região de depleção é muito estreita, na faixa de 
"algumas dezenas de átomos" de espessura. 
Figura 14- Representação do Diodo Túnel 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
A proximidade das partes ativas das camadas permite o efeito túnel. 
O resultado é o comportamento de resistência negativa, isto é, a corrente diminui com o 
aumento da tensão, em uma parte da curva de polarização direta. A característica de 
resistência negativa permite a construção de osciladores simples como o circuito da 
figura. A elevada dopagem faz com que a maior parte dos portadores sejam buracos e 
elétrons, que têm ação bastante rápida. Assim, pode operar em frequências elevadas. 
 
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Os diodos túnel são pouco usados atualmente. As principais desvantagens são a baixa 
potência e o custo, fatores com vantagem em outras tecnologias. 
Figura 15 - Símbolo do Diodo Túnel 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
2.1.2.5 Diodo Gunn 
O diodo GUNN é usado como oscilador local cobrindo as frequências de micro-
ondas de 1Ghz a mais de 100Ghz. O diodo Gunn tem uma característica bastante 
particular: é construído apenas com semicondutor tipo N, ao contrário do par PN. Na 
realidade, é um oscilador de micro-ondas. Denominado-se Diodo Gunn em homenagem 
a J Gunn que, em 1963, descobriu o efeito de produção de micro-ondas por 
semicondutores N. 
Figura 16 - Representação Diodo GUNN 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
São construídos com três camadas. A camada central tem um nível de dopagem 
menor. O dispositivo exibe característica de resistência negativa. O material 
semicondutor pode ser arsenieto de gálio (GaAs) ou nitreto de gálio (GaN), este último 
para frequências mais elevadas. 
 
14 
 
Figura 17 –Símbolo do Dio GUNN 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
2.1.2.6 Diodo PIN 
O nome é deve-se à existência de uma camada I ("intrínseca" - silício sem 
dopagem) entre as camadas P e N. 
Figura 18 - REpresentação Diodo PIN 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em Acesso em 01 de Agosto de 2023 
Quando diretamente polarizado, buracos e elétrons são injetados na camada 
intrínseca I e as cargas não se anulam de imediato, ficam ativas por um determinado 
período. O efeito resulta numa carga média na camada que possibilita a condução. Na 
polarização nula ou inversa, não há carga armazenada e o diodo comporta-se como um 
condensador (capacitor) em paralelo com a resistência própria do conjunto. Com tensão 
contínua ou de baixa frequência, o diodo PIN tem um comportamento próximo do diodo 
de junção PN. Em frequências mais altas, de períodos inferiores ao tempo de duração das 
cargas, a resistência apresenta uma variação característica com a corrente. Isso dá ao 
componente aplicações variadas em altas frequências (atenuadores, filtros, limitadores). 
 
15 
 
Figura 19 - Símbolo do Diodo PIN 
 
Disponível em :<http://www.eletronicadidatica.com.br>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
2.1.3 Corrente Alternada 
A Corrente Alternada AC (alternating current), é uma corrente elétrica cujo sentido 
varia de acordo com o tempo, regularmente entre dois níveis predefinidos. As formas de 
ondas alternadas fornecidas por geradores disponíveis comercialmente, são: 
• Senoidal 
Figura 20 - Corrente Senoidal 
 
Disponível em :<http://wwweletronica-pt.com>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
• Triangular 
Figura 21 - Corrente Triangular 
 
Disponível em :<http://wwweletronica-pt.com>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
• Quadrada 
 
16 
 
Figura 22 - Corrente Quadrática 
 
Disponível em :<http://wwweletronica-pt.com>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
O sinal da tensão AC senoidal é particularmente importante pois é encontrado na 
grande maioria das aplicações. Elas podem ser geradas por diversas fontes, a mais comum 
é aquela que obtemos nas tomadas residenciais, que fornecem uma tensão alternada cuja 
origem é uma usina geradora. Nesse caso, um gerador CA (também denominado 
alternador), é o componente mais importante no processo de conversão de energia. 
 
Disponível em :<http://wwweletronica-pt.com>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
A forma de onda de tensão em CA pode ser descrita matematicamente pela fórmula: 
v(t) =V. sen (2ft + v) Equação 4 
A forma de onda de corrente em CA pode ser descrita matematicamente pela 
fórmula: 
i(t) = I . sen (2ft + i) Equação 5 
Geralmente, a tensão CA é dada quase sempre em seu valor eficaz, que é o valor 
quadrático médio desse sinal elétrico (em inglês é chamado de root mean square, ou rms), 
sendo escrita como Vef ou Vrms. Para uma tensão senoidal: 
 
17 
 
𝑉𝑟𝑚𝑠 =
𝐴
√2
 Equação 6 
Sendo A, a tensão de pico (Vp). 
2.1.3 Corrente Contínua 
A corrente contínua DC (direct current) é o fluxo ordenado de elétrons em uma 
mesma direção, onde não há variação de acordo com o tempo. 
 Esse tipo de corrente é gerado por baterias de automóveis ou de motos (6, 12 ou 
24V), pequenas baterias (geralmente de 9V), pilhas (1,2V e 1,5V), dínamos, células 
solares e fontes de alimentação de várias tecnologias, que retificam a corrente alternada 
para produzir corrente contínua. Normalmente é utilizada para alimentar aparelhos 
eletrônicos (entre 1,2V e 24V) e os circuitos digitais de equipamento de informática 
(computadores, modems, hubs etc.). 
A corrente contínua pode ser de dois tipos: constantes ou pulsantes. 
 
A corrente contínua pode ser considerada como constante quando sua intensidade 
e sentido não se altera de acordo com o tempo. É geralmente encontrada em pilhas e 
baterias. 
 
Disponível em :<http://wwweletronica-pt.com>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
A corrente contínua pode ser considerada pulsante quando o fluxo de elétrons no 
interior do seu fio se comporta como pulsos, fazendo com que a intensidade passe por 
variações no decorrer do tempo, porém o sentido permanece constante. Essa variação de 
corrente é geralmente encontrada em circuitos retificadores de corrente alternada. Como 
 
18 
 
a corrente não muda de sentido, sua forma de onda nunca trocade sinal.
 
Disponível em :<http://wwweletronica-pt.com>. Acesso em 01 de Agosto de 2023 
 
2.1.4 Aplicações do Diodo 
2.1.4.1 Circuitos ceifadores 
• Consistem em prevenir que a saída do circuito exceda um nível predeterminado 
de tensão sem distorcer o restante do sinal de entrada. 
• O excedente é “ceifado” (eliminado”) 
• Usa um diodo e um resistor. 
• Opcionalmente uma fonte DC 
2.1.4.2 Circuitos grampeadores 
• Altera o nível DC do sinal de entrada, sem alterar a forma de onda desse sinal. 
• Usa um diodo, um resistor e um capacitor. 
• Opcionalmente uma fonte DC. 
2.1.4.3 Circuitos retificadores 
• Usados para “conversão” de sinais, de AC para CC. 
• Retificação ocorre: 
• Em meia onda 
• Em onda completa 
• Usa diodos e transformadores 
• Opcionalmente capacitores 
 
19 
 
2.1.4.4 Circuitos multiplicadores de tensão 
• Multiplicam em N vezes a tensão de pico da entrada 
• Operam como retificador para sinais oscilatórios. 
• Capacitor anula nível DC da entrada 
• Transferência de carga entre capacitores de acordo com o ciclo do sinal de entrada 
Os capacitores mais afastados da fonte são paulatinamente carregados até atingir 
seus respectivos valores máximos em regime permanente. 
3 EXPERIÊNCIA 
3.1 Materiais Utilizados: 
➢ Diodo Retificador 1N4007 
➢ Diodo Retificador 1N4148 
3.2 Resistores: 
➢ 1 Resistor: 470 Ω; 5% 
➢ 1 Resistor: 820 Ω; 5% 
➢ 1 Resistor: 4k7 Ω; 5% 
➢ 1 Resistor: 1k Ω; 5% 
3.3 Equipamentos 
➢ Pront-O-Labor 
➢ Softwares utilizado: 
➢ Multsim versão 14.2. 
➢ Multisim Live - Multisim Live Online Circuit Simulator 
 
 
 
 
 
 
 
https://www.multisim.com/
 
20 
 
3.4 Procedimento Experimental: 
Montou-se o circuito 1 e conectou-se à fonte digital DC (V1) conforme a figura abaixo; 
 
Figura 23: Fonte: O Autor > 01 de Agosto de 2023 
Para o circuito acima: 
Com o multímetro, mediu-se a tensão sobre o diodo, para cada valor de tensão 
selecionado em V1; 
Com o multímetro, mediu-se a corrente que saía do diodo, para cada valor de 
tensão selecionado em V1; 
3.4.1 Circuito 1: 
Vcc(V) Id (mA) Vd (V) 
0,2 0,00146 0,199 
0,3 0,00911 0,293 
0,5 0,101 0,417 
1,0 0,599 0,509 
1,5 1,17 0,543 
2,0 1,75 0.564 
3,0 2,94 0,591 
5,0 5,34 0,622 
10,0 11,4 0,662 
 
 
 
21 
 
 
Com os valores de tensão e corrente em mãos, plotou-se a curva característica 
do diodo 1N4007. 
 
Figura 24: Curva Característica – 1N4007. 
Montou-se o circuito 2 e conectou-se à fonte digital DC (V1) conforme a 
figura abaixo; 
 
Figura 25: Fonte: O Autor > 01 de Agosto de 2023. 
Para o circuito acima: 
0,00146 0,00911 0,101
0,599
1,17
1,75
2,94
5,34
11,4
0
2
4
6
8
10
12
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Id
(m
A
)
V
Curva Característica - 1N4007
 
22 
 
Com o multímetro, mediu-se a tensão sobre o diodo, para cada valor de tensão 
selecionado em V1; 
Com o multímetro, mediu-se a corrente que saía do diodo, para cada valor de 
tensão selecionado em V1; 
3.4.2 Circuito 2: 
Vcc(V) Id (mA) Vd (V) 
0,2 0,000000023 0,200 
0,3 0,00000109 0.299 
0,5 0,00231 0,498 
1,0 0,446 0,634 
1,5 1,02 0,599 
2,0 1,69 0,655 
3,0 2,82 0,681 
5,0 5,24 0,697 
10,0 11,32 0,717 
Com os valores de tensão e corrente em mãos, plotou-se a curva característica do diodo 
1N4148. 
 
Figura 26: Curva Característica - 1N4148 
 
 
2,30E-08 1,09E-06 2,31E-03
0,446
1,02
1,69
2,82
5,24
11,32
-2
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10
Id
 (
m
A
)
V
Curva Característica - 1N4148
 
23 
 
 
Tabela 1: Valores de Verificação - 1N4007 
R(Ω) 4700 1000 470 
Id (Ma) 1,37 6,37 13,5 
Vd(V) 0,552 0,631 0,670 
 
Tabela 2: Valores de Verificação - 1N4148 
R(Ω) 4700 1000 470 
Id (Ma) 1,348 6,297 13,357 
Vd(V) 0,662 0,702 0,722 
 
3.5 Resultados Obtidos: 
3.5.1 Comparação entre as curvas traçadas e curvas dos datasheets. 
 
Figura 27: Curva Caracteristica do Datasheet – Fabricante EIC - 1N4007. 
 
 
 
24 
 
 
 
Figura 28: Curva Característica do Datasheet – Fabricante NXP Semiconductors - 
1N4148. 
Ao compararmos as curvas características plotadas a partir das medições de 
tensão e corrente dos diodos já estudados, com a curva presente nos datasheets dos 
equipamentos, é possível observar algumas diferenças e semelhanças que podem oferecer 
insights valiosos sobre o comportamento do dispositivo. Algumas questões podem ser 
destacadas conforme os tópicos abaixo: 
I. Tanto a curva característica medida quanto as dos datasheets exibem uma 
forma geral similar. Ambas apresentam uma região de condução direta, onde a corrente 
aumenta exponencialmente com a tensão, seguida por uma região de saturação onde a 
corrente se estabiliza. 
II. Ambas as curvas convergem em um ponto de condução direta 
característico do diodo, que representa a tensão direta de limiar do dispositivo. Isso ajuda 
a confirmar a consistência das medições. 
 
25 
 
III. As curvas dos datasheets são provavelmente derivadas de medições e 
testes rigorosos realizados pelo fabricante em condições controladas. Portanto, espera-se 
que as curvas dos datasheets sejam mais precisas e confiáveis em comparação com as 
curvas plotadas. 
IV. Foi observado que a reta (A) não está presente nos datasheets analisados, 
sendo representada apenas a reta (B) nas curvas características. Isso se deve 
principalmente ao fato de que as correntes são insignificantes antes das tensões de barreira 
dos diodos. 
 
3.5.2 Valores de Verificação das Curvas Características – 1N4007 e 1N4148. 
 
 A partir dos resultados derivados das avaliações de valores (conforme Tabelas 
1 e 2), é evidente que, quando a voltagem sobre o diodo não excede um limiar, associado 
ao potencial da barreira VB (referente ao circuito que incorpora um resistor de 4k7Ω), a 
corrente fluindo pelo diodo permanece ínfima. Essa circunstância é notória nos dois 
cenários em questão, onde Id < 6mA para Vd < 0,7V. Ao diminuirmos a resistência em 
série com o diodo, percebemos um acréscimo gradual na voltagem Vd, ainda que em uma 
escala modesta, até alcançar o valor VB projetado, em VD = 0,7V. A partir desse ponto, 
a corrente através do diodo pode aumentar substancialmente sem provocar um incremento 
considerável na queda de tensão através do diodo, claro mantendo os limites de corrente 
média de funcionamento previstos nos datasheets. Isso é corroborado pela análise do 
circuito com um resistor de 470Ω, onde a tensão sobre o diodo se mantém nominalmente 
próxima a 0,7V, enquanto a corrente do circuito praticamente dobra. Esse fenômeno é 
discernível nas representações gráficas, mas se torna mais esclarecedor ao considerarmos 
a curva de um diodo ideal, na qual a tensão Vd se mantém próxima a VB, e a corrente 
cresce de maneira quase linear. 
 
3.5.3 Determinação do Ângulo de Inclinação da Reta (A). 
 
Utilizando o modelo simplificado de diodos mencionado no livro 
"Microeletrônica" de SEDRA/SMITH, adotamos uma abordagem que se baseia na 
 
26 
 
relação linear. Essa abordagem visa simplificar a análise da curva característica do diodo. 
Na figura 29, observa-se que a curva exponencial é aproximada por duas retas distintas. 
A reta (A) possui uma inclinação de zero, enquanto a reta (B) apresenta uma inclinação 
equivalente a 1/rD. 
. 
Figura 29: Disponível em :<SEDRA/SMITH – Microeletrônica 5a Ed>. Acesso em 01 de Agosto de 
2023 
3.5.4 Questões Discursivas. 
Explique o que é um material intrínseco? 
Um material intrínseco é um tipo de semicondutor que exibe características 
naturais de condução elétrica devido à sua estrutura atômica, em contraste com os 
semicondutores dopados (extrínsecos), que contêm impurezas adicionadas 
intencionalmente. Esses materiais possuem uma banda de valência completa de elétrons 
e uma banda de condução vazia em seu estado não excitado. A aplicação de energia, como 
luz ou calor, permite que elétrons ganhem energia e se movam para a banda de condução, 
gerando lacunasde elétrons na banda de valência. Isso resulta na formação de portadores 
de carga, possibilitando a condução elétrica. Apesar de terem uma presença limitada em 
aplicações práticas, os materiais intrínsecos são essenciais para compreender os 
princípios subjacentes dos semicondutores. 
 
27 
 
 
O que e como se dá o processo de Dopagem? Explique um processo. 
A dopagem é um processo fundamental na fabricação de semicondutores, no 
qual são introduzidas impurezas controladas em um material semicondutor para modificar 
suas propriedades elétricas de maneira desejada. Isso é feito deliberadamente para criar 
semicondutores com características específicas para aplicações em dispositivos 
eletrônicos, como transistores e diodos. Existem dois tipos principais de dopagem: a 
dopagem tipo N e a dopagem tipo P. 
Dopagem tipo P: Nesse caso, o material semicondutor intrínseco é dopado 
com átomos de impurezas trivalentes, como o boro. Esses átomos têm apenas três elétrons 
na camada de valência, criando um "aceitador" de elétrons. Isso cria uma deficiência de 
elétrons, ou seja, uma lacuna na estrutura cristalina, aumentando a concentração de 
portadores de carga positiva (lacunas). Isso torna o material tipo P mais condutivo para 
cargas positivas. 
 
Explique como se dá, internamente através do comportamento dos portadores 
minoritários e majoritários (elétrons livres e lacunas), os três tipos de polarização 
de um diodo. 
A operação de um diodo, um componente eletrônico crucial, é profundamente 
influenciada pelo movimento dos portadores majoritários (elétrons e lacunas em maior 
quantidade) e minoritários (elétrons livres e lacunas) no material semicondutor. A 
polarização, que se refere à direção da tensão aplicada, desempenha um papel 
fundamental nesse comportamento. 
Polarização Direta: Quando um diodo é polarizado diretamente, a região 
tipo N (com excesso de elétrons) está conectada ao terminal positivo da fonte de tensão, 
enquanto a região tipo P (com excesso de lacunas) está conectada ao terminal negativo. 
Isso resulta em um impulso para os elétrons na região N migrarem em direção à região P, 
preenchendo as lacunas. Essa migração causa a recombinação dos elétrons com as 
lacunas, liberando energia na forma de luz. Esse processo leva a um fluxo de corrente 
elétrica, tornando o diodo condutor na polarização direta. 
 
28 
 
Polarização Reversa: Na polarização reversa, o terminal positivo da fonte 
de tensão é ligado à região tipo N e o terminal negativo à região tipo P. Isso cria um 
campo elétrico que afasta os elétrons da região P e as lacunas da região N. Como 
resultado, a região sem portadores de carga, chamada de região de depleção, aumenta. 
Com poucos portadores disponíveis, a corrente é quase nula, e o diodo se comporta como 
um isolante na polarização reversa. 
Polarização de Ruptura (ou Zener): Quando a tensão reversa aplicada 
atinge um certo limite, conhecido como tensão de ruptura, ocorre a polarização de ruptura. 
Nesse ponto, os elétrons ganham energia suficiente para romper as ligações atômicas, 
criando pares elétron-lacuna. Esses pares podem desencadear um efeito cascata, 
resultando em uma corrente reversa considerável. Diodos Zener são configurados para 
operar nesse modo, permitindo o controle da tensão reversa e sendo usados para 
regulagem precisa de tensão. 
 
Como se dá a nomenclatura de um diodo? O que quer dizer 1N e 40/41? 
A nomenclatura de um diodo segue um padrão que ajuda a identificar suas 
características e especificações. Embora possa variar um pouco entre diferentes 
fabricantes, a estrutura geral é consistente. 
Prefixo: Geralmente, a nomenclatura começa com um prefixo que indica o 
tipo de dispositivo. Por exemplo, "1N" é um prefixo comum usado para diodos 
retificadores. 
Série ou Família: Em seguida, vem um número ou série que identifica uma 
categoria ou família específica de diodos. Isso agrupa diodos com características 
semelhantes. Por exemplo, "1N400x" é uma série de diodos retificadores de uso geral. 
Código Identificador: O código identificador é um número ou letra que indica 
características específicas do diodo, como sua capacidade de corrente, tensão reversa 
máxima, encapsulamento etc. Esse código varia conforme o fabricante e a série do diodo. 
Sufixo Opcional: Alguns diodos podem ter um sufixo que fornece 
informações adicionais sobre o dispositivo, como sua velocidade de comutação ou 
temperatura de operação. Esse sufixo não é tão comum quanto os elementos anteriores. 
 
29 
 
O "40" e o "41" são exemplos de nomenclatura usada para diodos da família 
"1N40xx" e "1N41xx". Aqui, o "1N" é o prefixo genérico para diodos, o "40" ou "41" 
representa uma série de diodos específica e os "xx" indicam que podem ser quaisquer 
outros números ou letras que caracterizem o diodo. 
 
3.6 Discursão sobre resultados: 
Foi viável visualizar os padrões das curvas de acordo com as expectativas 
delineadas no guia no contexto das simulações virtuais. Contudo, foi requerido um 
entendimento mais detalhado para assimilar o funcionamento intrínseco dos diodos 
retificadores. 
Inicialmente, nos deparamos com um desafio concernente à acessibilidade dos 
diodos retificadores no software de simulação Multisim 14.2, especificamente o modelo 
identificado como 1N4148. Diante dessa situação, optamos por recorrer ao Multisim 
Live, uma plataforma online pertencente à mesma família de software. Essa alternativa 
ofereceu uma base de dados mais abrangente em comparação com a versão 14.2 do 
Multisim, possibilitando uma gama mais ampla de dispositivos disponíveis. 
Ao compararmos os resultados obtidos no ambiente virtual com os valores 
esperados com base nas teorias subjacentes, conseguimos confirmar o correto 
funcionamento do diodo retificador em sua polarização direta. Isso incluiu a confirmação 
do limiar de ativação, que ocorre aproximadamente a 0,7V, bem como a observação do 
crescimento exponencial nas curvas traçadas. Essa tendência foi comparável à curva de 
um componente ideal, que apresentaria um crescimento linear evidente. 
 
 
 
 
 
 
 
 
30 
 
 
4 CONCLUSÃO 
Neste trabalho, exploramos em profundidade o diodo retificador e sua curva 
característica, revelando a importância crucial desse componente na eletrônica e na 
engenharia elétrica. Ao converter corrente alternada em corrente contínua, o diodo 
retificador desempenha um papel fundamental no funcionamento eficiente de uma ampla 
gama de dispositivos eletrônicos e sistemas de potência. 
A análise minuciosa da curva característica nos permitiu compreender como a 
relação entre tensão e corrente se manifesta em diferentes regimes de operação, desde a 
condução direta até o bloqueio reverso. Exploramos conceitos-chave, como a tensão 
direta de limiar, a resistência direta e a tensão de ruptura, que desempenham papéis 
fundamentais na determinação do comportamento do diodo retificador. 
A comparação entre a curva característica obtida experimentalmente e aquela 
apresentada nos datasheets ressaltou a importância da precisão das medições e das 
condições controladas nos testes de dispositivos eletrônicos. Identificamos as 
discrepâncias entre as curvas como oportunidades de aprendizado, fornecendo insights 
sobre os desafios inerentes às medições reais e à caracterização de componentes. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
31 
 
 
REFERÊNCIAS 
NEWTON, BRAGA. Aprenda a usar o NI Multsim. Editora Saber 
Robert L. Boylestad, Introdução aos Circuitos Elétricos, 8º ed, 1998. 
Sedra. Adel S./Smith, Kenneth C., Microeletrônica, 5º ed, 2007. 
Charles K. Alexander, Matthew N. O. Sadiku, Fundamentos de circuitos elétricos. 5º ed. 
Porto alegre: AMGH, 2013 
Robert L. Boylestad, Introdução à Análise de Circuitos. 12º ed. São Paulo: Pearson 
Prentice Hall, 2012 
ABNT 14724 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
32ANEXOS 
 
1N4001 - 1N4007 SILICON RECTIFIER DIODES
BY133
PRV : 50 - 1300 Volts
Io : 1.0 Ampere
FEATURES :
 * High current capability
 * High surge current capability
 * High reliability
 * Low reverse current
 * Low forward voltage drop
MECHANICAL DATA :
 * Case : DO-41 Molded plastic
 * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
 * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
 Method 208 guaranteed
 * Polarity : Color band denotes cathode end
 * Mounting position : Any
 * Weight : 0.34 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. 
For capacitive load, derate current by 20%.
DO - 41
Dimensions in inches and ( millimeters )
1.00 (25.4)
MIN.
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
1.00 (25.4)
MIN.0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
SYMBOL 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 BY133 UNIT
 Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 1300 V
 Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 1000 V
 Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 1300 V
 Maximum Average Forward Current 
 0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75 °C
 Maximum Peak Forward Surge Current 
 8.3ms Single half sine wave Superimposed
 on rated load (JEDEC Method)
 Maximum Forward Voltage at IF = 1.0 Amp. VF 1.1 V
 Maximum DC Reverse Current Ta = 25 °C IR 5.0 µA
 at rated DC Blocking Voltage Ta = 100 °C IR(H) 50 µA
 Typical Reverse Revcovery Time
 (IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.)
 Typical Junction Capacitance (Note1) CJ 15 pF
 Typical Thermal Resistance (Note2) RθJA 26 °C/W
 Junction Temperature Range TJ - 65 to + 175 °C
 Storage Temperature Range TSTG - 65 to + 175 °C
Notes : (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC
 (2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.
Page 1 of 2 Rev. 05 : March 25, 2005
Trr 2.0 µs
IFSM 30 A
RATING
IF(AV) 1.0 A
 * Pb / RoHS Free
 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1N4001 - BY133 )
FIG.1 - DERATING CURVE FOR OUTPUT FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
 RECTIFIED CURRENT FORWARD SURGE CURRENT
 0 25 50 75 100 125 150 175 1 2 4 6 10 20 40 60 100
AMBIENT TEMPERATURE, ( °C) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Page 2 of 2 Rev. 05 : March 25, 2005
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
10
1.0
40
0
50
0
30
20
10
1.0
80
0.1
0.01
10
0.1
100 1400 20 40 60 120
PERCENT OF RATED REVERSE
 VOLTAGE, (%)
P
E
A
K
 F
O
R
W
A
R
D
 S
U
R
G
E
 C
U
R
R
E
N
T
, 
A
M
P
E
R
E
S
A
V
E
R
A
G
E
 F
O
R
W
A
R
D
 O
U
T
P
U
T
 
C
U
R
R
E
N
T
, A
M
P
E
R
E
S
F
O
R
W
A
R
D
 C
U
R
R
E
N
T
, 
 A
M
P
E
R
E
S
 R
E
V
E
R
S
E
 C
U
R
R
E
N
T
, M
IC
R
O
A
M
P
E
R
E
S
Ta = 25 °C
Ta = 100 °C
TJ = 25 °C
Ta = 25 °C
Pulse Width = 300 µs
2% Duty Cycle
0.01
ASS3
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Sep 03
1999 May 25
DISCRETE SEMICONDUCTORS
1N4148; 1N4448
High-speed diodes
M3D176
1999 May 25 2
Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
FEATURES
• Hermetically sealed leaded glass
SOD27 (DO-35) package
• High switching speed: max. 4 ns
• General application
• Continuous reverse voltage:
max. 75 V
• Repetitive peak reverse voltage:
max. 75 V
• Repetitive peak forward current:
max. 450 mA.
APPLICATIONS
• High-speed switching.
DESCRIPTION
The 1N4148 and 1N4448 are high-speed switching diodes fabricated in planar
technology, and encapsulated in hermetically sealed leaded glass SOD27
(DO-35) packages.
Fig.1 Simplified outline (SOD27; DO-35) and symbol.
The diodes are type branded.
handbook, halfpage
MAM246
k a
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Device mounted on an FR4 printed circuit-board; lead length 10 mm.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VRRM repetitive peak reverse voltage − 75 V
VR continuous reverse voltage − 75 V
IF continuous forward current see Fig.2; note 1 − 200 mA
IFRM repetitive peak forward current − 450 mA
IFSM non-repetitive peak forward current square wave; Tj = 25 °C prior to
surge; see Fig.4
t = 1 µs − 4 A
t = 1 ms − 1 A
t = 1 s − 0.5 A
Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C; note 1 − 500 mW
Tstg storage temperature −65 +200 °C
Tj junction temperature − 200 °C
1999 May 25 3
Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VF forward voltage see Fig.3
1N4148 IF = 10 mA − 1 V
1N4448 IF = 5 mA 0.62 0.72 V
IF = 100 mA − 1 V
IR reverse current VR = 20 V; see Fig.5 25 nA
VR = 20 V; Tj = 150 °C; see Fig.5 − 50 µA
IR reverse current; 1N4448 VR = 20 V; Tj = 100 °C; see Fig.5 − 3 µA
Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.6 4 pF
trr reverse recovery time when switched from IF = 10 mA to
IR = 60 mA; RL = 100 Ω;
measured at IR = 1 mA; see Fig.7
4 ns
Vfr forward recovery voltage when switched from IF = 50 mA;
tr = 20 ns; see Fig.8
− 2.5 V
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
Rth j-tp thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm 240 K/W
Rth j-a thermal resistance from junction to ambient lead length 10 mm; note 1 350 K/W
1999 May 25 4
Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
GRAPHICAL DATA
Fig.2 Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage
0 100 200
300
200
0
100
MBG451
Tamb (
oC)
IF
(mA)
Device mounted on an FR4 printed-circuit board; lead length 10 mm.
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage.
handbook, halfpage
0 1 2
600
0
200
400
MBG464
VF (V)
IF
(mA)
(1) (2) (3)
(1) Tj = 175 °C; typical values.
(2) Tj = 25 °C; typical values.
(3) Tj = 25 °C; maximum values.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
Tj = 25 °C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG704
10 tp (µs)
1
IFSM
(A)
102
10−1
104102 103
10
1
1999 May 25 5
Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature.
(1) VR = 75 V; typical values.
(2) VR = 20 V; typical values.
handbook, halfpage
0 100
Tj (
oC)
200
103
102
10−1
10−2
10
(1)
1
IR
(µA)
MGD290
(2)
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj = 25 °C.
handbook, halfpage
0 10 20
1.2
1.0
0.6
0.4
0.8
MGD004
VR (V)
Cd
(pF)
1999 May 25 6
Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
Fig.7 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.
handbook, full pagewidth
t rr
(1)
I F
t
output signal
t r
t
t p
10%
90%
VR
input signal
V = V I x RR F S
R = 50S Ω
IF
D.U.T.
R = 50i Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
MGA881
(1) IR = 1 mA.
Fig.8 Forward recovery voltage test circuit and waveforms.
t r
t
t p
10%
90%
I
input 
signal
R = 50S Ω
I
R = 50i Ω
OSCILLOSCOPE
Ω1 k Ω450 
D.U.T.
MGA882
Vfr
t
output 
signal
V
1999 May 25 7
Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
PACKAGE OUTLINE
DEFINITIONS
LIFE SUPPORT APPLICATIONS
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunctionof these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.
Data Sheet Status
Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification This data sheet contains final product specifications.
Limiting values
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
 REFERENCESOUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION ISSUE DATE IEC JEDEC EIAJ
Note
1. The marking band indicates the cathode.
 SOD27 DO-35A24 SC-40 97-06-09
Hermetically sealed glass package; axial leaded; 2 leads SOD27
UNIT b
max.
mm 0.56
D
max.
G1
max.
25.44.251.85
L
min.
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
G1LD L
b
(1)
0 1 2 mm
scale
© Philips Electronics N.V. SCA
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner.
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Printed in The Netherlands 115002/03/pp8 Date of release: 1999 May 25 Document order number: 9397 750 05892
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