<div id="pf1" class="pf w0 h0" data-page-no="1"><div class="pc pc1 w0 h0"><img class="bi x0 y0 w1 h1" alt="" src="https://files.passeidireto.com/d953fb14-0966-4003-a07f-5ca4d9d405ba/bg1.png"><div class="t m0 x1 h2 y1 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Prova Impressa</div><div class="t m0 x1 h2 y2 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">GABARITO | A<span class="blank _0"></span>valiação II - Individual (Cod.:885535)</div><div class="t m0 x2 h2 y3 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">O surgimento do transistor abriu caminho para o sur<span class="blank _1"></span>gimento de diversas outras invenções importantes, por exemplo </div><div class="t m0 x3 h2 y4 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">os CIs (Circuitos Integrados), que nada mais é que um dispositivo pequeno que contém milhares de transistores. Com </div><div class="t m0 x3 h2 y5 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">base no exposto, assinale a alternativa CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 x4 h2 y6 ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">A<span class="ls4 ws0 v1">Com o advento deste pequeno componente temos lustres e outros milagres eletrônicos em nosso cotidiano.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y7 ff1 fs0 fc0 sc0 ls1">B<span class="ls4 ws0 v1">Com o advento deste pequeno componente temos computadores e outros milagres eletrônicos em nosso cotidiano.</span></div><div class="t m0 x4 h3 y8 ff1 fs0 fc0 sc0 ls2">C<span class="ls4 ws0 v2">Com o advento deste pequeno componente temos lâmpadas incandescentes e outros milagres eletrônicos em nosso</span></div><div class="t m0 x2 h2 y9 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">cotidiano.</div><div class="t m0 x4 h2 ya ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">D<span class="ls4 ws0 v1">Com o advento deste pequeno componente temos TVs a válvulas e outros milagres eletrônicos em nosso cotidiano.</span></div><div class="t m0 x2 h2 yb ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">A sigla JFET significa Junction Field Effect T<span class="blank _1"></span>ransistor (transistor de junção com efeito de campo). E um tipo </div><div class="c x5 yc w2 h4"><div class="t m0 x6 h2 yd ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">unipolar de transistor<span class="blank _1"></span>. Este nome deriva do fato de que a maioria dos portadores de car<span class="blank _1"></span>gas fluindo através do T<span class="blank _1"></span>ransistor </div></div><div class="t m0 x3 h2 ye ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">são somente elétrons (como no caso do transistor JFET com canal N) ou apenas lacunas (como no caso do transistor </div><div class="t m0 x3 h2 yf ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">JFET com canal P). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:</div><div class="t m0 x3 h2 y10 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Como qualquer outro componente eletrônico, a folha de dados de um JFET é de grande importância na hora da </div><div class="t m0 x3 h2 y11 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">escolha e utilização de um componente em um projeto. </div><div class="t m0 x3 h2 y12 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Muitas características como especificações máximas (normalmente apresentados no início da folha de </div><div class="t m0 x3 h2 y13 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">especificações de um JFET e para um bom projeto é recomendado não ultrapassar<span class="blank _1"></span>, podendo danificar de forma definitiva </div><div class="t m0 x3 h2 y14 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">o componente), características térmicas (apresenta variações das características do componente pela variação da </div><div class="t m0 x3 h2 y15 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">temperatura de uso), características elétricas (características de estado "ligado", "desligado" e pequenos sinais) e </div><div class="t m0 x3 h2 y16 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">características usuais (variedade de curvas que demonstram como parâmetros importantes se comportam de acordo com </div><div class="t m0 x3 h2 y17 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">variação de tensão, corrente, temperatura e frequência).</div><div class="t m0 x3 h2 y18 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Existe uma forma mais rápida para se obter a curva de um JFET através da curva de Schockley<span class="blank _2"></span>, onde podemos pré-</div><div class="t m0 x3 h2 y19 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">determinar quatro valores relacionas entre Vd E ID.</div><div class="t m0 x3 h2 y1a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) O número de pontos deve ser dois, é possível melhorar a precisão da curva determinando mais pontos.</div><div class="t m0 x3 h2 y1b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 x4 h2 y1c ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">A<span class="ls4 ws0 v1">F - V - V - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y1d ff1 fs0 fc0 sc0 ls3">B<span class="ls4 ws0 v1">V - F - V - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y1e ff1 fs0 fc0 sc0 ls3">C<span class="ls4 ws0 v1">F - V - F - V<span class="blank _3"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y1f ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">D<span class="ls4 ws0 v1">V - V - F - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x2 h2 y20 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum </div><div class="t m0 x3 h2 y21 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">está nos processadores de computador<span class="blank _2"></span>, nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os bits por<span class="blank _4"> </span> meio do </div><div class="t m0 x3 h2 y22 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:</div><div class="t m0 x3 h2 y23 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos </div><div class="t m0 x3 h2 y24 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo </div><div class="t m0 x3 h2 y25 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor do tipo p e uma camada de material semicondutor </div><div class="t m0 x3 h2 y26 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).</div><div class="t m0 x3 h2 y27 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção </div><div class="t m0 x7 h5 y28 ff2 fs1 fc0 sc0 ls4 ws0"> VOL<span class="blank _0"></span>T<span class="blank _2"></span>AR</div><div class="t m0 x7 h6 y3 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">1</div><div class="t m0 x7 h6 yb ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">2</div><div class="t m0 x7 h6 y20 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">3</div><div class="t m0 x8 h7 y29 ff4 fs2 fc1 sc0 ls4 ws0">1 of 4</div></div><div class="pi" data-data="{"ctm":[1.000000,0.000000,0.000000,1.000000,0.000000,0.000000]}"></div></div> <div id="pf2" class="pf w0 h0" data-page-no="2"><div class="pc pc2 w0 h0"><img class="bi x0 y0 w1 h1" alt="" src="https://files.passeidireto.com/d953fb14-0966-4003-a07f-5ca4d9d405ba/bg2.png"><div class="t m0 x3 h2 y2a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente </div><div class="t m0 x3 h2 y2b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">através do dispositivo.</div><div class="t m0 x3 h2 y2c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois </div><div class="t m0 x3 h2 y2d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">têm três pernas.</div><div class="t m0 x3 h2 y2e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Assinale a alternativa CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 x4 h2 y2f ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">A<span class="ls4 ws0 v1">As sentenças I e II estão corretas.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y30 ff1 fs0 fc0 sc0 ls1">B<span class="ls4 ws0 v1">Somente a sentença II está correta.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y31 ff1 fs0 fc0 sc0 ls1">C<span class="ls4 ws0 v1">As sentenças I e III estão corretas.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y32 ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">D<span class="ls4 ws0 v1">As sentenças II e III estão corretas.</span></div><div class="t m0 x2 h2 y33 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados </div><div class="t m0 x3 h2 y34 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Em </div><div class="t m0 x3 h2 y35 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte </div><div class="t m0 x3 h2 y36 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">(GA<span class="blank _3"></span>TE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na camada tipo P<span class="blank _0"></span>, expandindo-a e estreitando a passagem da </div><div class="t m0 x3 h2 y37 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">corrente no canal N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:</div><div class="t m0 x3 h2 y38 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que </div><div class="t m0 x3 h2 y39 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. </div><div class="t m0 x3 h2 y3a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na </div><div class="t m0 x3 h2 y3b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). </div><div class="t m0 x3 h2 y3c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).</div><div class="t m0 x3 h2 y3d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).</div><div class="t m0 x3 h2 y3e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 x4 h2 y3f ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">A<span class="ls4 ws0 v1">V - V - V - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y40 ff1 fs0 fc0 sc0 ls1">B<span class="ls4 ws0 v1">F - V - F - V<span class="blank _3"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y41 ff1 fs0 fc0 sc0 ls1">C<span class="ls4 ws0 v1">V - F - V - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y42 ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">D<span class="ls4 ws0 v1">F - V - V - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x2 h2 y43 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em circuitos eletrônicos e </div><div class="t m0 x3 h2 y44 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">em chips de computador<span class="blank _2"></span>. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:</div><div class="t m0 x3 h2 y45 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor </div><div class="c x5 y46 w3 h4"><div class="t m0 x6 h2 y47 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica. </div></div><div class="t m0 x3 h2 y48 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente polarizada, deste modo </div><div class="t m0 x3 h2 y49 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação à base e em um transistor pnp o coletor deve ser </div><div class="c x5 y4a w4 h4"><div class="t m0 x6 h2 y4b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">negativo em relação à base.</div></div><div class="t m0 x3 h2 y4c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tetrapolares de junção </div><div class="t m0 x3 h2 y4d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">pois têm quatro pernas.</div><div class="t m0 x3 h2 y4e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Assinale a alternativa CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 x4 h2 y4f ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">A<span class="ls4 ws0 v1">As sentenças I e III estão corretas.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y50 ff1 fs0 fc0 sc0 ls3">B<span class="ls4 ws0 v1">Somente a sentença II está correta.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y51 ff1 fs0 fc0 sc0 ls1">C<span class="ls4 ws0 v1">As sentenças I e II estão corretas.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y52 ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">D<span class="ls4 ws0 v1">As sentenças II e III estão corretas.</span></div><div class="t m0 x7 h6 y33 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">4</div><div class="t m0 x7 h6 y43 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">5</div><div class="t m0 x8 h7 y29 ff4 fs2 fc1 sc0 ls4 ws0">2 of 4</div></div><div class="pi" data-data="{"ctm":[1.000000,0.000000,0.000000,1.000000,0.000000,0.000000]}"></div></div> <div id="pf3" class="pf w0 h0" data-page-no="3"><div class="pc pc3 w0 h0"><img fetchpriority="low" loading="lazy" class="bi x0 y0 w1 h1" alt="" src="https://files.passeidireto.com/d953fb14-0966-4003-a07f-5ca4d9d405ba/bg3.png"><div class="t m0 x2 h2 y53 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Os transistores são capazes de atuar como controlador de corrente, o que lhe possibilita ser utilizado como </div><div class="t m0 x3 h2 y54 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">amplificações de sinais em equipamentos de som e imagem, ou como chave eletrônica para processamento de sinais em </div><div class="t m0 x3 h2 y55 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">controles industriais, calculadoras, máquinas, computadores, entre outros.</div><div class="t m0 x3 h2 y56 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Os transistores são divididos basicamente em três grupos:</div><div class="t m0 x3 h2 y57 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">- T<span class="blank _2"></span>ransistores bipolar<span class="blank _4"> </span>es: são divididos entre NPN e PNP<span class="blank _3"></span>.</div><div class="t m0 x3 h2 y58 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">- T<span class="blank _2"></span>ransistores unipolar<span class="blank _4"> </span>es: transistor de unijunção (UJT).</div><div class="t m0 x3 h2 y59 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">- T<span class="blank _2"></span>ransistores de efeito de campo:<span class="blank _4"> </span> são divididos entre FET e MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect </div><div class="t m0 x3 h2 y5a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws1">T<span class="blank _2"></span>ransistor)<span class="blank _4"> </span>.</div><div class="t m0 x3 h2 y5b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Com base no exposto, assinale a alternativa CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 x3 h2 y5c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">A</div><div class="t m0 x9 h2 y5d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos</div><div class="t m0 x9 h2 y5e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal</div><div class="t m0 x9 h2 y5f ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o mesmo.</div><div class="t m0 x3 h2 y60 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">B</div><div class="c xa y61 w5 h8"><div class="t m0 x6 h2 y62 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos</div></div><div class="t m0 x9 h2 y63 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal</div><div class="t m0 x9 h2 y64 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.</div><div class="t m0 x3 h2 y65 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">C</div><div class="c xa y66 w6 h4"><div class="t m0 x6 h2 y67 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">A análise CC do MOSFET nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos</div></div><div class="t m0 x9 h2 y68 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal</div><div class="t m0 x9 h2 y69 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">evolui entre valores positivos, o circuito CA será o mesmo.</div><div class="t m0 x3 h2 y6a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">D</div><div class="t m0 x9 h2 y6b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">A análise CA do JFET nas configurações npnp e pnpn são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos</div><div class="t m0 x9 h2 y6c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal</div><div class="t m0 x9 h2 y6d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.</div><div class="t m0 x2 h2 y6e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">São muitas as aplicações onde os transistores são usados, mas basicamente podemos citar que eles podem trabalhar </div><div class="t m0 x3 h2 y6f ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">como amplificadores, osciladores, retificadores, comutadores e interruptores. As utilizações mais comuns dos </div><div class="t m0 x3 h2 y70 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">transistores são: transistor operando como amplificador - nesse tipo de operação, o transistor é capaz de amplificar um </div><div class="t m0 x3 h2 y71 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">sinal elétrico de baixa amplitude; é muito utilizado em sistemas de telecomunicações e sistemas de som onde os sinais </div><div class="c x5 y72 w7 h4"><div class="t m0 x6 h2 y73 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">necessitam ser amplificados para utilização em algum outro equipamento; transistor operando como chave - nesse tipo de </div></div><div class="t m0 x3 h2 y74 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">operação, o transistor consegue ligar e desligar cargas de maior potência apenas recebendo um sinal de baixa amplitude; </div><div class="t m0 x3 h2 y75 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">como exemplo, podemos citar os transistores utilizados em inversores de frequência, que conseguem fazer o </div><div class="t m0 x3 h2 y76 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">chaveamento (ligar e desligar rapidamente) e fazer o acionamento de um motor utilizando PWM (modulação por largura </div><div class="t m0 x3 h2 y77 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">de pulso). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:</div><div class="t m0 x3 h2 y78 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) Há vários tipos de transistores FET<span class="blank _0"></span>, por exemplo: o transis<span class="blank _4"> </span>tor de efeito de campo de junção: JFET<span class="blank _2"></span>; o transistor de </div><div class="t m0 x3 h2 y79 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">efeito de campo metal-óxido-semicondutor: MOSFET e o transistor de efeito de campo metal-semicondutor: MESFET<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 x3 h2 y7a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os outros dois.</div><div class="t m0 x3 h2 y7b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os demais controlam a </div><div class="t m0 x3 h2 y7c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">tensão.</div><div class="t m0 x3 h2 y7d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">( ) O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e os outros dois </div><div class="t m0 x3 h2 y7e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">controlam a tensão.</div><div class="t m0 x3 h2 y7f ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 x4 h2 y80 ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">A<span class="ls4 ws0 v1">V - F - V - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y81 ff1 fs0 fc0 sc0 ls3">B<span class="ls4 ws0 v1">F - V - F - V<span class="blank _3"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y82 ff1 fs0 fc0 sc0 ls1">C<span class="ls4 ws0 v1">V - V - F - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x4 h2 y83 ff1 fs0 fc0 sc0 ls0">D<span class="ls4 ws0 v1">F - V - V - F<span class="blank _0"></span>.</span></div><div class="t m0 x7 h6 y53 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">6</div><div class="t m0 x7 h6 y6e ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">7</div><div class="t m0 x7 h6 y84 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">8</div><div class="t m0 x8 h7 y29 ff4 fs2 fc1 sc0 ls4 ws0">3 of 4</div></div><div class="pi" data-data="{"ctm":[1.000000,0.000000,0.000000,1.000000,0.000000,0.000000]}"></div></div> <div id="pf4" class="pf w0 h0" data-page-no="4"><div class="pc pc4 w0 h0"><img fetchpriority="low" loading="lazy" class="bi x0 y0 w1 h1" alt="" src="https://files.passeidireto.com/d953fb14-0966-4003-a07f-5ca4d9d405ba/bg4.png"><div class="t m0 x3 h2 y2a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">[Laboratório V<span class="blank _2"></span>irtual \u2013 Eletrônica Analógica \u2013 Iluminação de Emergência com T<span class="blank _2"></span>ransistor] Através da prática virtual, o </div><div class="t m0 x3 h2 y2b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">canal 1 da fonte será ajustado para 9 V<span class="blank _3"></span>. Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, basta </div><div class="t m0 x3 h2 y2c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção \u201cMedir Corrente\u201d. Ajuste o potenciômetro </div><div class="t m0 x3 h2 y2d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">em 50 kohms. Com o sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é </div><div class="t m0 x3 h2 y85 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o T<span class="blank _2"></span>ransistor<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 x3 h2 y2e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="c x3 y86 w8 h9"><div class="t m0 x8 h2 y87 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">A</div></div><div class="t m0 xb h2 y88 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. V<span class="blank _2"></span>isto que o LDR</div><div class="t m0 xb h2 y89 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">(resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.</div><div class="t m1 x3 ha y8a ff1 fs3 fc0 sc0 ls4">B</div><div class="t m0 xb h2 y8b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, o LED irá acender<span class="blank _2"></span>. V<span class="blank _2"></span>isto que o LDR (resistor</div><div class="t m0 xb h2 y8c ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">dependente de luz) terá a resistência diminuída.</div><div class="t m0 xc hb y8d ff1 fs0 fc0 sc0 ls5">C<span class="ls4 ws0 v2">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, o LED irá acender<span class="blank _2"></span>. V<span class="blank _2"></span>isto que o LDR (resistor</span></div><div class="t m0 xb h2 y8e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">dependente de luz) terá a resistência aumentada.</div><div class="t m0 xc hb y8f ff1 fs0 fc0 sc0 ls6">D<span class="ls4 ws0 v2">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. V<span class="blank _2"></span>isto que o LDR</span></div><div class="t m0 xb h2 y90 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">(resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.</div><div class="t m0 x3 h2 y91 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">[Laboratório V<span class="blank _2"></span>irtual \u2013 Eletrônica Analógica \u2013 Iluminação de Emergência com T<span class="blank _2"></span>ransistor] Através da prática virtual, o </div><div class="t m0 x3 h2 y92 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">canal 1 da fonte será ajustado para 9 V<span class="blank _3"></span>. Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, basta </div><div class="t m0 x3 h2 y93 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção \u201cMedir Corrente\u201d. Ajuste o potenciômetro </div><div class="t m0 x3 h2 y94 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">em 10 kohms. Com o sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é </div><div class="t m0 x3 h2 y95 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o T<span class="blank _2"></span>ransistor<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 x3 h2 y96 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="t m0 xc h3 y97 ff1 fs0 fc0 sc0 ls7">A<span class="ls4 ws0 v2">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Sendo que a corrente</span></div><div class="t m0 xb h2 y98 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">apresentada no multímetro permanecerá a mesma.</div><div class="t m0 xc h3 y99 ff1 fs0 fc0 sc0 ls8">B<span class="ls4 ws0 v2">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Mas a corrente</span></div><div class="t m0 xd h2 y9a ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">apresentada no multímetro irá aumentar<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 xc h2 y9b ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">C</div><div class="c xb y9c w9 h4"><div class="t m0 x6 h2 y9d ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Mas a corrente</div></div><div class="t m0 xd h2 y9e ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">apresentada no multímetro irá aumentar<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 x4 h3 y9f ff1 fs0 fc0 sc0 ls9">D<span class="ls4 ws0 v2">Ao desligar as luzes, na opção \u201ciluminação\u201d do laboratório virtual, a corrente apresentada no multímetro será de</span></div><div class="t m0 x2 h2 ya0 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">69,43 mA.</div><div class="t m0 x2 h2 ya1 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 1947 foi a válvula (diodo </div><div class="t m0 x3 h2 ya2 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">criada por J. A. Fleming em 1904). Algo importante a ser citado é que impulsionado pelo rádio e a televisão, tendo uma </div><div class="t m0 x3 h2 ya3 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">ampliação de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 para cerca de 10 milhões de válvulas em 1937. Este setor </div><div class="t m0 x3 h2 ya4 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">ao passar dos anos apresentou grandes avanços em diversos setores, sendo projeto, técnica de fabricação, miniaturização </div><div class="t m0 x3 h2 ya5 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">além de aplicações em alta potência e alta frequência. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRET<span class="blank _0"></span>A:</div><div class="c x5 ya6 wa h9"><div class="t m0 x6 h2 ya7 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4">A</div></div><div class="t m0 xb h2 ya8 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Em 27 de janeiro de 1948, na Bell T<span class="blank _0"></span>elephone Laboratories, William Schockley<span class="blank _0"></span>, W<span class="blank _2"></span>alter H. Brattain e John Baedeen,</div><div class="t m0 xb h2 ya9 ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 xc hb yaa ff1 fs0 fc0 sc0 lsa">B<span class="ls4 ws0 v2">Em 23 de dezembro de 1947, na Bell T<span class="blank _0"></span>elephone Laboratories, William Schockley<span class="blank _0"></span>, W<span class="blank _2"></span>alter H. Brattain e John</span></div><div class="t m0 xb h2 yab ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 xc hb yac ff1 fs0 fc0 sc0 lsb">C<span class="ls4 ws0 v2">Em 25 de novembro de 1947, na Bell T<span class="blank _0"></span>elephone Laboratories, William Schockley<span class="blank _0"></span>, W<span class="blank _2"></span>alter H. Brattain e John</span></div><div class="t m0 xb h2 yad ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 x3 hb yae ff1 fs0 fc0 sc0 lsc">D<span class="ls4 ws0 v2">Em 23 de dezembro de 1948, na Bell T<span class="blank _0"></span>elephone Laboratories, William Schockley<span class="blank _0"></span>, W<span class="blank _2"></span>alter H. Brattain e John</span></div><div class="t m0 xb h2 yaf ff1 fs0 fc0 sc0 ls4 ws0">Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor<span class="blank _2"></span>.</div><div class="t m0 x7 h6 yb0 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">9</div><div class="t m0 x4 h6 ya1 ff3 fs0 fc0 sc0 ls4">10</div><div class="t m0 x8 h7 y29 ff4 fs2 fc1 sc0 ls4 ws0">4 of 4</div></div><div class="pi" data-data="{"ctm":[1.000000,0.000000,0.000000,1.000000,0.000000,0.000000]}"></div></div>
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