Prova_ Revisão da tentativa

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29/09/2023, 17:22 Prova: Revisão da tentativa
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Página inicial / Cursos / Faculdade / 20232E / 20232E - DISCIPLINAS REGULARES / 1º TRIMESTRE / ENIAC_20232E_14260 / Prova
Iniciado em sexta-feira, 29 set. 2023, 17:02
Estado Finalizada
Concluída em sexta-feira, 29 set. 2023, 17:22
Tempo
empregado
19 minutos 49 segundos
Notas 10,00 de um máximo de 10,00(100%)
Questão 1
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 2
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Assinale a alternativa que NÃO corresponde a um material considerado diamagnético.
Escolha uma opção:
a. Zinco.
b. Prata.
c. Alumínio. 
d. Cádmio.
e. Cobre.
A resposta correta é: Alumínio.
Descreva qual princípio rege o funcionamento dos materiais semicondutores quando os
elétrons recebem quantidades de energia e saem da camada de valência para a camada
de condução.
Escolha uma opção:
a. Essa alteração de camadas é fruto do princípio da condução de isolantes, visando fazer com que a
condutividade dos semicondutores varie até atingir a condutividade semelhante aos metais.
b. Essa alteração de camada tem origem no princípio da excitação térmica, visando fazer com que a
condutividade dos semicondutores varie até atingir a condutividade semelhante aos metais.

c. Essa alteração de camada tem origem no princípio da condução de condutores, visando fazer com que a
condutividade dos metais varie até atingir a condutividade semelhante aos semicondutores.
d. Essa alteração de camada tem origem no princípio da excitação condutiva, visando fazer com que a
condutividade dos metais varie até atingir a condutividade semelhante aos semicondutores.
e. Essa alteração de camada tem origem no princípio da excitação de isolantes, visando fazer com que a
condutividade dos metais varie até atingir a condutividade semelhante aos condutores.
A resposta correta é: Essa alteração de camada tem origem no princípio da excitação térmica, visando fazer com que
a condutividade dos semicondutores varie até atingir a condutividade semelhante aos metais.
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Questão 3
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 4
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Na nanotecnologia da criação de novos materiais eletrônicos, estruturas são criadas no
nível:
Escolha uma opção:
a. macro e macro.
b. macro e atômico.
c. molecular e micro.
d. micro e atômico.
e. molecular e atômico. 
A resposta correta é: molecular e atômico.
Com relação ao efeito Hall, assinale a alternativa correta.
Escolha uma opção:
a. O efeito Hall é resultado do fenômeno pelo qual um campo elétrico é aplicado perpendicularmente à direção
da corrente elétrica, que é induzida pelo movimento dos portadores de carga para os extremos do material
envolvido, gerando uma tensão elétrica, denominada voltagem de Hall.
b. O efeito Hall é resultado do fenômeno pelo qual um campo magnético é aplicado perpendicularmente à
direção da tensão elétrica, que é induzida pelo movimento dos portadores de carga para os extremos do
material envolvido, gerando uma corrente elétrica, denominada corrente de Hall.
c. O efeito Hall é resultado do fenômeno pelo qual um campo magnético é aplicado paralelamente à direção da
corrente elétrica, que é induzida pelo movimento dos portadores de carga para os extremos do material
envolvido, gerando uma tensão elétrica, denominada voltagem de Hall.
d. O efeito Hall é resultado do fenômeno pelo qual um campo magnético é aplicado perpendicularmente à
direção da corrente elétrica, que é induzida pelo movimento dos portadores de carga para os extremos
do material envolvido, gerando uma tensão elétrica, denominada voltagem de Hall.

e. O efeito Hall é resultado do fenômeno pelo qual um campo elétrico é aplicado paralelamente à direção da
corrente elétrica, que é induzida pelo movimento dos portadores de carga para os extremos do material
envolvido, gerando uma tensão elétrica, denominada voltagem de Hall.
A resposta correta é: O efeito Hall é resultado do fenômeno pelo qual um campo magnético é aplicado
perpendicularmente à direção da corrente elétrica, que é induzida pelo movimento dos portadores de carga para os
extremos do material envolvido, gerando uma tensão elétrica, denominada voltagem de Hall.
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29/09/2023, 17:22 Prova: Revisão da tentativa
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Questão 5
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 6
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Marque a alternativa correta sobre as aplicações do efeito Seebeck e do efeito Hall.
Escolha uma opção:
a. A principal aplicação do efeito Seebeck é na fabricação de termômetros comuns, os quais são utilizados
principalmente em residências e farmácias. Já uma das principais aplicações do efeito Hall é nos sensores
ópticos, muito usados em fábricas de roupa.
b. A principal aplicação do efeito Seebeck é na fabricação de sensores de campo magnético, muito aplicados
em indústrias, como sensores de posição. Já uma das principais aplicações do efeito Hall é nos termopares,
os quais são utilizados, também, em indústrias.
c. A principal aplicação do efeito Seebeck é na fabricação de sensores ópticos, os quais são utilizados
principalmente em fábricas de roupas. Já uma das principais aplicações do efeito Hall é em termômetros
comuns, muito usados em residências e em farmácias.
d. A principal aplicação do efeito Seebeck é a mesma do efeito Hall, que consiste na fabricação de termopares,
os quais são utilizados, principalmente, em indústrias.
e. A principal aplicação do efeito Seebeck é na fabricação de termopares, os quais são utilizados
principalmente em indústrias. Já uma das principais aplicações do efeito Hall é nos sensores de campo
magnético, muito aplicados também em indústrias, como sensores de posição.

A resposta correta é: A principal aplicação do efeito Seebeck é na fabricação de termopares, os quais são utilizados
principalmente em indústrias. Já uma das principais aplicações do efeito Hall é nos sensores de campo magnético,
muito aplicados também em indústrias, como sensores de posição.
Com relação à estrutura de bandas dos materiais, qual é a principal característica dos
materiais condutores, isolantes e semicondutores?
Escolha uma opção:
a. Nos materiais condutores há uma superposição das bandas mais externas, nos isolantes, o espaçamento
entre as bandas é relativamente grande (maior que 5 eV), no entanto, nos semicondutores, esse
espaçamento é relativamente pequeno (menor que 5 eV).
b. Nos materiais condutores há uma superposição das bandas mais externas, nos isolantes, o espaçamento
entre as bandas é relativamente pequeno (menor que 2 eV), no entanto, nos semicondutores, esse
espaçamento é relativamente grande (maior que 2 eV).
c. Nos materiais condutores há uma superposiçãodas bandas mais externas, nos isolantes, o
espaçamento entre as bandas é relativamente grande (maior que 2 eV), no entanto, nos semicondutores,
esse espaçamento é relativamente pequeno (menor que 2 eV).

d. Nos materiais condutores, o espaçamento entre as bandas é relativamente pequeno (menor que 5 eV), nos
isolantes há uma superposição das bandas mais externas, no entanto, nos semicondutores, o espaçamento
entre as bandas é relativamente grande (maior que 5 eV).
e. Nos materiais condutores, o espaçamento entre as bandas é relativamente pequeno (menor que 2 eV), nos
isolantes há uma superposição das bandas mais externas, no entanto, nos semicondutores, o espaçamento
entre as bandas é relativamente grande (maior que 2 eV).
A resposta correta é: Nos materiais condutores há uma superposição das bandas mais externas, nos isolantes, o
espaçamento entre as bandas é relativamente grande (maior que 2 eV), no entanto, nos semicondutores, esse
espaçamento é relativamente pequeno (menor que 2 eV).
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29/09/2023, 17:22 Prova: Revisão da tentativa
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Questão 7
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 8
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Considere um elemento semicondutor intrínseco, com uma concentração intrínseca de
8,05.1018 m , mobilidade dos elétrons de 0,3 m²/V.s e mobilidade dos buracos de 0,05
m²/V.s. Assinale a alternativa que indica sua condutividade elétrica:
Escolha uma opção:
a. 0,93 (Ω.m)
b. 0,322 (Ω.m) .
c. 2,22 (Ω.m) .
d. 0,45 (Ω.m) . 
e. 1,28 (Ω.m) .
-3
-1
-1
-1
-1
-1
A resposta correta é: 0,45 (Ω.m) .-1
Em fontes de alimentação, qual a aplicação do diodo para transformar nível de tensão
alternada em contínua?
Escolha uma opção:
a. Ceifador.
b. Reti�cador. 
c. Divisor.
d. Ampli�cador.
e. Inversor.
A resposta correta é: Reti�cador.
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Questão 9
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 10
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Sobre a rigidez dielétrica, assinale a alternativa correta.
Escolha uma opção:
a. A rigidez dielétrica é o valor limite de tensão aplicada que o material dielétrico pode suportar sem perder
suas características de condutor elétrico.
b. A rigidez dielétrica é o valor limite de corrente aplicada que o material dielétrico pode suportar sem perder
suas características de isolante elétrico.
c. A rigidez dielétrica é o valor limite de corrente aplicada que o material dielétrico pode suportar sem perder
suas características de condutor elétrico.
d. A rigidez dielétrica é o valor limite de tensão aplicada que o material dielétrico pode suportar sem perder
suas características de isolante elétrico.

e. A rigidez dielétrica é o valor limite de corrente aplicada que o material dielétrico pode suportar sem perder
suas características de semicondutor elétrico.
A resposta correta é: A rigidez dielétrica é o valor limite de tensão aplicada que o material dielétrico pode suportar
sem perder suas características de isolante elétrico.
Considerando que a tensão de barreira dos diodos de junção PN apresentados na �gura
possuem uma amplitude de 0,7V, qual será a amplitude mínima da tensão da fonte VS para
que exista corrente elétrica circulando sobre o resistor R?
Escolha uma opção:
a. 3,5V.
b. 2,1V. 
c. 0,7V.
d. 1,4V.
e. 2,8V.
A resposta correta é: 2,1V.
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