Eletronica Aplicada Circuitos Transistorados

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INSTRUÇÕES: 
 
v Esta Avaliação contém 2 (duas) questões, totalizando 10 (dez) pontos; 
v Baixe o arquivo disponível com a Atividade Pratica; 
v Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação: 
o Nome / Data de entrega. 
v As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta; 
v Ao terminar grave o arquivo com o nome Atividade Prática; 
o Quando solicitado 
v Envio o arquivo pelo sistema no local indicado; 
v Em caso de dúvidas consulte o seu Tutor. 
 
 
 
 
Aluno (a): 
 
Data: . 
Eletrônica Aplicada – Circuitos Transistorizados 
 
 Avaliação Pratica 
 
Questão 1 – Determine a corrente IB,IC e IE, além do valor de VC. 
 
 
 
 
 
Questão 2 – Fale sobre os materiais da junção NPN. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1. IB	=	(V1	-	VBE)	/	R1 
IB	=	(5V	-	0,7V)	/	10000Ω	=	0,00043A	=	430μA	
	
	
	
IC = β * IB 
IC = 100 * 430μA = 0,043A = 43mA 
 
 
IE = IB + IC 
IE = 430μA + 43mA = 0,04343A = 43,43mA 
 
 
VC = Vcc - (IC * R2) 
VC = 12V - (0,043A * 1000Ω) = 12V - 43V = -31V 
 
 
Resultado: 
• IB = 430μA 
• IC = 43mA 
• IE = 43,43mA 
• VC = -31V 
 
 
Questão 2. 
 
As junções entre essas camadas são junções PN, que são formadas pela união de um semicondutor tipo 
P com um semicondutor tipo N. Essas junções permitem que o transistor controle o fluxo de corrente 
entre o coletor e o emissor, através da corrente na base. 
 
 
As junções entre essas camadas são junções PN, que são formadas pela união de um semicondutor tipo 
P com um semicondutor tipo N. Essas junções permitem que o transistor controle o fluxo de corrente 
entre o coletor e o emissor, através da corrente na base. 
 
Materiais semicondutores: 
 
O material semicondutor mais utilizado na fabricação de transistores é o silício (Si). O silício é 
um material abundante, de baixo custo e com boas propriedades elétricas. 
 
Dopagem: 
 
O processo de dopagem é essencial para criar as camadas N e P. A dopagem consiste na adição 
controlada de impurezas (átomos de outros elementos) ao silício puro, alterando suas 
propriedades elétricas. 
 
 
 
Camada N: O silício é dopado com elementos do grupo V da tabela periódica, como fósforo (P) 
ou arsênio (As), que possuem 5 elétrons na camada de valência. Esses elementos doam elétrons 
ao silício, criando um excesso de elétrons (portadores de carga negativa). 
 
Camada P: O silício é dopado com elementos do grupo III da tabela periódica, como boro (B) ou 
alumínio (Al), que possuem 3 elétrons na camada de valência. Esses elementos "roubam" 
elétrons do silício, criando "buracos" (portadores de carga positiva).