Eletronica Aplicada Circuitos Transistorados

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Eletrônica Aplicada – Circuitos Transistorizados
Data: .
Aluno (a): 
Avaliação Pratica 
INSTRUÇÕES:
· Esta Avaliação contém 2 (duas) questões, totalizando 10 (dez) pontos;
· Baixe o arquivo disponível com a Atividade Pratica;
· Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação: 
· Nome / Data de entrega.
· As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta;
· Ao terminar grave o arquivo com o nome Atividade Prática;
· Quando solicitado 
· Envio o arquivo pelo sistema no local indicado;
· Em caso de dúvidas consulte o seu Tutor.
	
Questão 1 – Determine a corrente IB,IC e IE, além do valor de VC.
	
Questão 2 – Fale sobre os materiais da junção NPN.
1. IB = (V1 - VBE) / R1
IB = (5V - 0,7V) / 10000Ω = 0,00043A = 430μA
IC = β * IB
IC = 100 * 430μA = 0,043A = 43mA
IE = IB + IC
IE = 430μA + 43mA = 0,04343A = 43,43mA
VC = Vcc - (IC * R2)
VC = 12V - (0,043A * 1000Ω) = 12V - 43V = -31V
Resultado:
· IB = 430μA
· IC = 43mA
· IE = 43,43mA
· VC = -31V
Questão 2.
As junções entre essas camadas são junções PN, que são formadas pela união de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N. Essas junções permitem que o transistor controle o fluxo de corrente entre o coletor e o emissor, através da corrente na base.
As junções entre essas camadas são junções PN, que são formadas pela união de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N. Essas junções permitem que o transistor controle o fluxo de corrente entre o coletor e o emissor, através da corrente na base.
Materiais semicondutores:
O material semicondutor mais utilizado na fabricação de transistores é o silício (Si). O silício é um material abundante, de baixo custo e com boas propriedades elétricas.
Dopagem:
O processo de dopagem é essencial para criar as camadas N e P. A dopagem consiste na adição controlada de impurezas (átomos de outros elementos) ao silício puro, alterando suas propriedades elétricas.
Camada N: O silício é dopado com elementos do grupo V da tabela periódica, como fósforo (P) ou arsênio (As), que possuem 5 elétrons na camada de valência. Esses elementos doam elétrons ao silício, criando um excesso de elétrons (portadores de carga negativa).
Camada P: O silício é dopado com elementos do grupo III da tabela periódica, como boro (B) ou alumínio (Al), que possuem 3 elétrons na camada de valência. Esses elementos "roubam" elétrons do silício, criando "buracos" (portadores de carga positiva).
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