Aula-Pratica-Eletronica-analogica Anhanguera

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UNIVERSIDADE ANHANGUERA
CENTRO DE EDUCAÇÃO À DISTÂNCIA
ENGENHARIA DA COMPUTAÇÃO
Nome
ROTEIRO AULA PRÁTICA 
ELETRÔNICA ANALÓGICA
BELO HORIZONTE MG
2025
nome
ROTEIRO AULA PRÁTICA 
ELETRÔNICA ANALÓGICA
Roteiro de Aula Prática apresentado a Universidade Anhanguera como requisito para obtenção de média para a disciplina de Eletrônica Analógica.
BELO HORIZONTE MG
2025
SUMÁRIO
1	INTRODUÇÃO	3
2	DESENVOLVIMENTO	4
2.1	UNIDADE 1	4
2.1.1	Diodos e Circuitos com Diodos	4
2.2	UNIDADE 2 – SEÇÃO 2	9
2.2.1	Transistores Bipolares e de Junção	9
2.2.2	Transistor com chave	15
2.2.3	Conhecer o Transistor do simulador	17
2.2.4	Polarizar no Simulador um Circuito com Transistor	21
2.3	TRANSISTORES DE EFEITO CAMPO (FET)	22
2.3.1	Ponto quiescente	22
2.4	UNIDADE 4 – SEÇÃO 1	23
2.4.1	Amplificadores Operacionais	23
2.5	UNIDADE 4 – SEÇÃO 2	25
2.5.1	Circuitos Básicos com Amplificadores Operacionais	25
3	CONCLUSÃO	28
REFERÊNCIAS	29
INTRODUÇÃO
Participei de uma atividade prática incrivelmente esclarecedora na disciplina de Eletrônica Analógica, que envolveu a montagem de uma fonte CC regulada. Queria compartilhar com vocês o que aprendi e como essa experiência reforçou meu entendimento prático dos conceitos que discutimos em aula.
Tudo começou com a montagem de um circuito retificador de meia onda. Isso pode parecer simples, mas cada componente no circuito tem um papel crucial, e ajustar tudo corretamente é essencial para o funcionamento ideal do sistema. Usando diodos 1N4148, montamos o circuito no protoboard, um processo que testou nossa precisão e atenção aos detalhes. Observar a forma de onda no osciloscópio e comparar com as nossas expectativas teóricas foi um momento de revelação sobre como a teoria se traduz em prática.
Após isso, avançamos para circuitos mais complexos, como o retificador de onda completa e, eventualmente, para a construção de uma fonte CC com um regulador Zener. Cada etapa construiu sobre a última, permitindo-nos ver como modificações incrementais afetam a saída do circuito. Foi particularmente fascinante ver como a adição de um filtro capacitivo suavizava a ondulação da tensão de saída, uma demonstração prática do que livros e simulações só podem descrever.
Além do aprendizado técnico, a atividade também reforçou a importância de verificar e re-verificar as conexões. Um simples erro de conexão pode levar a resultados inesperados, e aprendi isso da maneira difícil quando um dos circuitos não funcionou como esperado inicialmente. Através de um processo detalhado de verificação e reajuste, conseguimos colocar o projeto de volta nos trilhos.
Essa atividade prática também destacou o valor do trabalho em equipe. Discutir abordagens com colegas e resolver problemas juntos não apenas acelerou o processo de aprendizado mas também tornou a experiência muito mais agradável. Cada um de nós trouxe uma perspectiva única para o projeto, e juntos, fomos capazes de explorar diferentes facetas dos circuitos que estávamos construindo.
Refletindo sobre a sessão, percebo o quanto é vital a aplicação prática do conhecimento teórico. Não é apenas sobre fazer um circuito funcionar, mas entender por que funciona e como diferentes componentes contribuem para o resultado final. Este entendimento aprofundado é o que nos prepara para enfrentar desafios mais complexos no futuro.
DESENVOLVIMENTO
UNIDADE 1 
Diodos e Circuitos com Diodos
Fonte regulada de corrente contínua.
Imagem 1 – Protoboard com Diodo Zener e Resistor
Imagem 2 – Fonte de Alimentação conectada ao Protoboard
Imagem 3 – Medindo a Tensão com Multimetro
Imagem 4 – Montagem do Circuito 2 do Experimento com Led
Avaliação dos Resultados
Tabela 1 – Medições sem Carga
	Tensão da Fonte (V)
	Tensão sem carga (V)
	1,00
	1,00
	2,00
	2,00
	3,00
	3,00
	4,00
	4,00
	5,00
	5,00
	6,00
	6,00
	7,00
	7,00
	8,00
	8,00
	9,00
	9,00
	10,00
	10,00
	11,00
	11,00
	12,00
	12,00
	13,00
	12,30
	14,00
	12,53
	15,00
	12,76
	16,00
	12,98
	17,00
	13,20
	18,00
	13,40
	19,00
	13,63
	20,00
	13,85
Tabela 2 – Medições com Carga
	Tensão da Fonte (V)
	Tensão sem carga (V)
	1,00
	1,22
	2,00
	1,97
	3,00
	2,62
	4,00
	3,37
	5,00
	4,11
	6,00
	4,86
	7,00
	5,61
	8,00
	6,36
	9,00
	7,01
	10,00
	7,86
	11,00
	8,40
	12,00
	9,15
	13,00
	9,57
	14,00
	10,86
	15,00
	11,40
	16,00
	12,04
	17,00
	12,33
	18,00
	12,52
	19,00
	12,71
	20,00
	12,92
Tabela 1 – Registros de Tensão sem Aplicação de Carga
Tensão da Fonte (V): Valores de 1,00 V a 20,00 V
Tensão Medida (V): Correspondentes valores medidos, iniciando em 1,00 V e aumentando linearmente até 12,00 V, após o qual se observa um aumento gradual até 13,85 V.
Tabela 2 – Registros de Tensão com Aplicação de Carga
Tensão da Fonte (V): Variação de 1,00 V a 20,00 V
Tensão Medida (V): Iniciando com 1,22 V e aumentando progressivamente até 12,92 V. Destaca-se que a partir de 13,00 V as medições mostram incrementos mais moderados, indicando alterações na resposta do sistema sob carga.
Essas tabelas apresentam as diferenças observadas nas medições de tensão com e sem carga, oferecendo uma visão clara sobre o comportamento do sistema em diferentes condições operacionais. A análise detalhada desses dados permite compreender a eficiência e as limitações do sistema em questão. A estabilidade da tensão com cargas variáveis é crucial para aplicações práticas, e os dados coletados fornecem insights valiosos para futuras melhorias no design e na implementação do sistema.
Qual o Impacto da carga no circuito?
O impacto da carga em um circuito eletrônico, especialmente em sistemas que utilizam diodos Zener para regulação de tensão, é fundamental para compreender o desempenho sob condições operacionais variáveis. A seguir, analiso mais detalhadamente como a carga afeta o circuito:
Queda de Tensão nos Componentes Internos da Fonte:
Quando um circuito está operando sem carga, a tensão de saída geralmente reflete a tensão de entrada até o ponto de regulação do diodo Zener, que neste caso é de 12V. Sob estas condições, a tensão de saída permanece relativamente estável e próxima do valor de zenerização do diodo. No entanto, à medida que a tensão de entrada ultrapassa 12V, observa-se um aumento gradual na tensão de saída. Isso ocorre porque a capacidade do diodo Zener de manter uma tensão constante é comprometida acima de seu valor nominal, evidenciando uma limitação na regulação de tensão sob condições ideais.
Com a introdução de uma carga, a dinâmica do circuito muda significativamente. A corrente que passa pelos componentes internos da fonte gera uma queda de tensão atribuída à resistência interna desses componentes. Isso significa que mesmo que a entrada de tensão permaneça constante, a tensão disponível na saída reduz-se devido a essa perda interna.
Queda de Tensão na Carga:
A carga conectada ao circuito introduz uma resistência adicional através da qual a corrente deve fluir. Essa resistência ou impedância da carga causa uma queda de tensão adicional, que é mais pronunciada à medida que a corrente aumenta. Essa é a razão pela qual a tensão de saída medida com carga é consistentemente menor do que a tensão sem carga. A maior demanda de corrente exacerbada pela carga leva a uma maior queda de tensão.
Resposta Dinâmica da Fonte:
A capacidade da fonte de se adaptar rapidamente às mudanças na demanda de carga é um fator crucial para a manutenção da estabilidade da tensão de saída. Com cargas variáveis, especialmente aquelas que mudam rapidamente, a fonte pode não ser capaz de ajustar imediatamente sua saída, resultando em flutuações temporárias ou atrasos na resposta da tensão de saída. Isso é particularmente relevante em aplicações onde a carga muda dinamicamente, como em sistemas eletrônicos com múltiplos componentes operando em diferentes estados.
O entendimento desses efeitos é crucial para o projeto e a análise de fontes de alimentação e outros sistemas eletrônicos onde a regulação precisa da tensãoé necessária para a funcionalidade e segurança dos dispositivos conectados. A análise do comportamento da tensão sob diferentes condições de carga oferece insights valiosos para o aprimoramento do design, escolha de componentes e estratégias de mitigação de perdas, garantindo a eficácia e a eficiência do sistema em todas as condições operacionais.
UNIDADE 2 – SEÇÃO 2
Transistores Bipolares e de Junção
O transistor BC548C é um componente comumente utilizado em aplicações de amplificação e comutação devido às suas características robustas e versatilidade. Abaixo, detalhamos as especificações técnicas mais importantes listadas no datasheet do transistor:
Hfe (ganho de corrente CC): O ganho de corrente contínua, ou Hfe, do BC548C varia significativamente com as condições de operação, situando-se geralmente entre 110 e 800. Esse parâmetro é crucial, pois indica a eficiência do transistor em amplificar a corrente que passa de sua base para o coletor. Um valor mais alto de Hfe sugere uma maior capacidade de amplificação, o que é vantajoso em circuitos que requerem maior ganho.
Icq (corrente de coletor em repouso): A corrente de coletor em repouso, Icq, do BC548C normalmente varia de 2 a 10 mA. Esse valor indica a quantidade de corrente que flui através do coletor do transistor quando ele está em um estado estável, sem sinal de entrada. A corrente de repouso é fundamental para determinar o consumo de energia do transistor em condições de repouso e a estabilidade térmica do dispositivo.
Vceq (tensão coletor-emissor em repouso): A tensão coletor-emissor em repouso, Vceq, para o BC548C fica tipicamente entre 20 e 60 V. Esse valor representa a tensão entre o coletor e o emissor quando o transistor está conduzindo corrente em um estado de equilíbrio sem sinal de entrada ativo. Esta tensão é um indicador importante da capacidade de suportar tensões mais altas no estado de condução, o que é crítico para aplicações que operam em níveis de tensão mais elevados.
Vbeq (tensão base-emissor em repouso): A tensão base-emissor em repouso do BC548C está normalmente entre 0,6 e 0,7 V. Esse valor é a tensão necessária para que o transistor comece a conduzir corrente da base para o emissor. É um parâmetro crítico para o projeto de circuitos, pois define a tensão de ativação do transistor, influenciando diretamente o ponto de operação do circuito.
Estas especificações tornam o BC548C adequado para uma variedade de aplicações eletrônicas, incluindo amplificadores de áudio, circuitos de comutação e outras funções de processamento de sinal onde a amplificação e controle precisos de corrente e tensão são necessários. A escolha e aplicação corretas desses parâmetros garantem o desempenho ótimo do transistor dentro dos limites de suas capacidades, assegurando a eficiência e confiabilidade do circuito eletrônico.
Imagem 5 – Circuito de polarização transistor BC548
Fonte: Roteiro Aula Prática Eletrônica Analógica (2024)
1. Cálculo dos Resistores para o Circuito de Polarização:
· Para o divisor de tensão na base, vamos usar a fórmula do divisor de tensão: Vb = Vcc * (R2 / (R1 + R2)).
· Como Icq = (Vcc - Vbeq) / (R1 + R2), podemos calcular R1 e R2.
Vamos considerar os seguintes valores:
· Vcc = 12 V
· Icq = 5 mA (um valor intermediário)
· Vbeq = 0,7 V (valor típico)
· Hfe = 200 (um valor intermediário)
Usando a equação do ponto de polarização, podemos calcular a corrente de base (Ibq):
Icq=Vcc-Vceq​
 R1+R2
Dado que Vcc = 12 V, e vamos assumir Vceq = 6 V (um valor intermediário), então:
 5 x 10-3 = 12 – 6 
	 R1 + R2
R1+R2= 12 – 6 = 1200 
	5 x 10-3
Agora, podemos escolher um valor para R2 e calcular R1 usando a equação do divisor de tensão. Vamos escolher, por exemplo, R2 = 10 kΩ:
Vb = Vcc x 
0,7= 12× 
R1+10000=17142,86 
R1=7142,86 ΩR1=7142,86Ω
Então, R1 ≈ 7,1 kΩ e R2 = 10 kΩ.
Etapa Prática: 
Com os resistores calculados, monte o circuito conforme a Figura 1.
Depois, medir os valores de Ib, Ic, Vbe e Vce para o circuito calculado. Trocando os resistores R1 e R2 pelos obtidos na etapa 3 da teoria (R1 ≈ 100 kΩ e R2 ≈ 18 kΩ) e verifique em que região o transistor está operando novamente.
Calculando os resultados após a troca dos resistores por aqueles obtidos na etapa 3 da teoria (R1 ≈ 100 kΩ e R2 ≈ 18 kΩ).
Para R1 = 100 kΩ e R2 = 18 kΩ, vamos calcular a corrente de base (Ibq) usando a mesma equação do ponto de polarização:
Icq = 
5×10−3 = 
5×10−3 = 
5×10−3×118000=6
Icq ≈ 0,063mA
Com a nova corrente de coletor em repouso (Icq ≈ 0,063 mA), podemos recalcular a corrente de base (Ibq):
Ibq = 
Ibq = 
Ibq≈0,315×10−6
Ibq ≈ 0,315μA
Avaliação de VCE
A tensão entre o coletor e o emissor, conhecida como VCE, serve como um indicador crucial para determinar em qual região de operação o transistor se encontra. No caso do transistor BC548C, que utiliza um divisor de tensão composto pelos resistores R1 de 100 kOhm e R2 de 18 kOhm, juntamente com uma corrente de coletor em repouso, Icq, de cerca de 0,063 mA, podemos calcular a queda de tensão sobre esses resistores para estimar a VCE.
Para calcular a tensão em R2, que é diretamente afetada pela corrente Icq, a equação é:
V_R2 = Icq x R2
V_R2 = 0,063 mA x 18 kOhm = 1,134 V
Para a tensão em R1, que é a queda de tensão restante até alcançar a tensão de alimentação, podemos estimar:
V_R1 = Vcc - V_R2
(considerando Vcc como 12 V)
V_R1 = 12 V - 1,134 V = 10,866 V
Isso nos oferece uma estimativa de VCE, que é a tensão de alimentação menos a tensão em R2 (assumindo que o circuito esteja configurado de modo que R2 esteja mais próximo ao coletor):
VCE = Vcc - V_R2 = 12 V - 1,134 V = 10,866 V
Estimativa de VBE
A tensão base-emissor, VBE, normalmente fica entre 0,6 V e 0,7 V conforme especificado no datasheet, servindo como uma boa referência para verificar se o transistor opera na região ativa. Contudo, considerando a corrente de base muito pequena, Ibq de aproximadamente 0,315 uA, a VBE pode ser ligeiramente inferior ao valor típico devido à menor demanda de tensão necessária para iniciar a condução. Assim, podemos considerar:
VBE aprox. 0,6 V
(um valor comum para transistores de silício em funcionamento ativo)
Verificação e Conclusão
Se os valores medidos de VCE e VBE estiverem alinhados com estas estimativas, podemos concluir que o transistor está operando na sua região ativa, atuando efetivamente como um amplificador. Divergências significativas podem indicar uma operação em saturação ou corte, requerendo ajustes no circuito ou uma análise mais profunda. É essencial verificar esses valores em condições práticas para assegurar que o transistor funcione adequadamente dentro do projeto do circuito.
VBE = VBEQ + 
Onde:
· VBEQ é a tensão base-emissor em repouso (tipicamente em torno de 0,6 a 0,7 V para transistores bipolares de silício),
· k é a constante de Boltzmann (aproximadamente 8.617×10−58.617×10−5 eV/K),
· T é a temperatura em kelvin (que podemos considerar em torno de 300 K para a temperatura ambiente),
· q é a carga do elétron (aproximadamente 1.602 ×10 −191.602×10−19 C),
· Ib é a corrente de base, e
· Is é a corrente de saturação reversa da junção base-emissor (que pode ser aproximada para transistores bipolares).
Transistor com chave
Imagem 6 – Diagrama elétrico transistor com chave
Fonte: Roteiro Aula Prática Eletrônica Analógica (2024)
Para projetar o circuito da Figura 6 visando uma corrente de coletor de 15 mA, considerando a tensão de condução do LED de 2 V, a tensão entre base e emissor de 0,7 V e a tensão de saturação do transistor de 0,3 V, podemos seguir estes passos:
Determinar a corrente de base (Ib): A corrente de base é calculada a partir da corrente de coletor desejada (Ic) e do ganho de corrente do transistor (hfe). O ganho de corrente, também conhecido como hfe, é a relação entre a corrente de coletor e a corrente de base, que varia de acordo com o tipo de transistor e as condições operacionais, mas geralmente é fornecido no datasheet do componente. A fórmula para calcular a corrente de base é:
Ib = Ic / hfe
Por exemplo, se o ganho de correntedo transistor for 100, e a corrente de coletor desejada for 15 mA, então a corrente de base necessária seria:
Ib = 15 mA / 100 = 0,15 mA
Esse valor de corrente de base assegurará que o transistor seja adequadamente polarizado para conduzir a corrente de coletor especificada.
Ic = 
Ic = 
Ib = 0,075mA
Determinar a queda de tensão no resistor de base (Rb): Dada a tensão de alimentação (Vcc) e as especificações do transistor (tensão base-emissor e tensão de saturação), podemos calcular a queda de tensão no resistor de base (V_Rb):
VR​b=Vcc−Vbe−Vsat 
VR​b=12V−0,7V−0,3V 
 VVR​b=11V
Calcular o valor do resistor de base (Rb): 
Usando a lei de Ohm, podemos calcular o valor do resistor de base (Rb) usando a queda de tensão (V_Rb) e a corrente de base (Ib):
Rb= 
Rb= 
Rb ≈ 146,67kΩ
Determinar a resistência do LED (RLED: 
A resistência do LED pode ser calculada utilizando a diferença entre a tensão de alimentação (Vcc) e a tensão de condução do LED (V_LED), e dividindo esse resultado pela corrente do LED (I_LED). Se assumirmos uma corrente de 15 mA para o LED, que é um valor comum, podemos aplicar essa fórmula para encontrar a resistência necessária.
Rled = 
Rled = 
RLED ≈ 667Ω
Portanto, os valores calculados são:
· Para o resistor de base (Rb): aproximadamente 146,67 kΩ
· Para a resistência do LED (RLED), se aplicável: aproximadamente 667 Ω
Conhecer o Transistor do simulador
Imagem 7 – Circuito Transistor NPN – Emissor Comum
Fonte: elaborado pelo autor, (2024)
Incrementos na Fonte de 2,7V a 10,7V com incremento de 2V.
Imagem 8 – Circuito Transistor NPN – Simulação no Multisim Live
Imagem 8 – Circuito Transistor NPN – Simulação no Multisim Live 10,7V
	VBB (V)
	IB (uA)
	0,0
	0
	2,7
	18,91
	4,7
	38,72
	6,7
	58,62
	8,7
	78,54
	10,7
	98,48
	VBB
	2,7
	4,7
	6,7
	8,7
	10,7
	VCC (V)
	IC (mA)
	0,1
	56,383
	117,74
	179,35
	241,06
	302,82
	0,2
	171,59
	361,18
	551,57
	742,27
	933,14
	0,3
	178,99
	376,88
	575,6
	774,65
	973,87
	0,4
	179,16
	377,23
	576,13
	775,36
	974,76
	0,5
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	0,6
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	0,7
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	0,8
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	0,9
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	1
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	2
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	3
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	4
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	5
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	6
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	7
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	8
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	9
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
	10
	179,16
	377,23
	576,14
	775,37
	974,78
Polarizar no Simulador um Circuito com Transistor
Polarizar o circuito da Figura 4, considerando VCC = 9V e VCEQ = VCC/2
Os valores determinados para os resistores R1 e R2, para que a tensão do coletor seja metade da tensão de alimentação (VCC/2), foram respectivamente R1 = 225 KOhm e R2 = 2,7 KOhm. Com esses valores, a tensão do coletor do transistor em relação ao emissor é de 4,5V, o que corresponde a metade de VCC.
TRANSISTORES DE EFEITO CAMPO (FET)
Ponto quiescente
Dado:
· VCC​=20V
· R1​=1MΩ
· R2​=1kΩ
· R3​=3.3kΩ
· VBE​ (tensão base-emissor do transistor) é aproximadamente 0.7V
· Suponha β=100 para o transistor (2N5486, por exemplo)
Teremos:
IB​=19.3μA
IC​=1.93mA
Agora, vamos calcular VCE​:
VCE​=VCC​−(IC​×R3​)
VCE​=20V−(1.93mA×3.3kΩ)
VCE​=20V−(6.369V)
VCE​=13.631V
Portanto, o ponto quiescente (Q-point) do transistor para o circuito de auto polarização é aproximadamente VCE​=13.631V.
UNIDADE 4 – SEÇÃO 1
Amplificadores Operacionais
Simulador com R3 = 3,3KOhm
Simulador com R3=1KOhm
Mudança de R3​ de 3.3 kΩ para 1 kΩ:
Ao reduzir o valor de R3 para 1 kΩ, a corrente passante por ele é elevada. Visto que R3 está posicionado entre o dreno e a fonte no FET, tal incremento na corrente influencia diretamente a corrente de dreno (ID). A corrente de dreno, por sua vez, equivale basicamente à corrente em R3, ignorando-se a corrente de gate. Com o aumento da corrente de dreno, a tensão que cai em R3 será maior, levando a uma redução na tensão entre o dreno e a fonte (VDS). Esta mudança pode provocar uma menor saturação do FET.
UNIDADE 4 – SEÇÃO 2
Circuitos Básicos com Amplificadores Operacionais
Os amplificadores operacionais são componentes eletrônicos incrivelmente úteis e encontram-se em uma ampla gama de aplicações eletrônicas. Esses dispositivos são circuitos integrados que possuem duas entradas (uma positiva e outra negativa) e uma saída. Seu design visa amplificar sinais de entrada de baixa amplitude para gerar uma saída proporcionalmente ampliada. Frequentemente, os amplificadores operacionais são simbolizados por um triângulo, com um sinal de mais (+) na entrada não inversora, um sinal de menos (-) na entrada inversora e uma seta indicando a saída.
	
Um exemplo típico de circuito que utiliza amplificadores operacionais é o somador inversor. Neste circuito, várias entradas são combinadas com pesos definidos por resistores, resultando em uma saída que é a soma ponderada dessas entradas. O somador inversor emprega o princípio da realimentação negativa para estabilizar o ganho do amplificador e assegurar uma resposta linear.
A base operacional do somador inversor é bastante direta. A entrada não-inversora do amplificador operacional é aterrada, e a entrada inversora é ligada, por meio de um resistor, ao ponto onde as entradas a serem somadas se encontram. Cada uma dessas entradas é conectada através de um resistor, cujo valor define o peso específico dessa entrada na soma final. A saída representa uma versão amplificada da soma ponderada dessas entradas.
Embora a função primária de um amplificador operacional (amp-op) seja amplificar sinais, ele também apresenta versatilidade em outras aplicações. Uma delas é a operação como buffer, um circuito que replica com fidelidade um sinal de entrada, preservando suas características essenciais.
No experimento em questão, o amp-op assume a configuração de somador inversor com buffer para offset. Essa configuração permite a soma de múltiplas entradas, enquanto o buffer isola o circuito de entrada de cargas externas, minimizando interferências e garantindo a estabilidade do sinal.
Adicionalmente, a função de offset possibilita a introdução de um valor fixo ao sinal de entrada, ajustando-o conforme a necessidade do experimento. Essa característica é útil para compensar desvios ou variações no sinal original, garantindo uma faixa de operação adequada para a aplicação específica.
CONCLUSÃO
Concluindo esta atividade prática de Eletrônica Analógica, pude observar, de maneira concreta, a aplicação dos conceitos teóricos que estudamos em sala. A montagem dos circuitos retificadores de meia onda e onda completa, seguida pela integração de um filtro capacitivo e um regulador Zener, não apenas solidificou meu entendimento sobre o comportamento dos diodos em diferentes configurações, mas também sobre como esses componentes são essenciais na criação de fontes de alimentação estáveis e confiáveis.
Através das várias fases do experimento, ficou evidente o impacto que cada elemento tem no desempenho geral do circuito. A utilização do osciloscópio foi instrumental para visualizar as mudanças na forma de onda resultantes de cada ajuste no circuito, proporcionando uma compreensão clara de como as teorias da eletrônica são implementadas na prática.
Adicionalmente, a resolução de problemas inesperados, como a identificação de conexões incorretas ou componentes defeituosos, destacou a importância do meticuloso processo de verificação em engenharia eletrônica. Esta habilidade é crucial no desenvolvimento de habilidades práticas necessárias para qualquer futuro engenheiro eletrônico.
A colaboração com colegas durante a atividade ampliou meu aprendizado, permitindo a troca de conhecimentos e estratégias de solução de problemas. Esta interação enriqueceu a experiência de aprendizado, demonstrandoque o trabalho em equipe é muitas vezes tão importante quanto a competência técnica individual.
Finalmente, esta atividade não apenas reforçou meu entendimento dos princípios básicos de eletrônica, mas também aumentou minha confiança e interesse pela área. Estou ansioso por mais oportunidades de aplicar o que aprendi em contextos práticos e desafiadores.
REFERÊNCIAS
BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2013.
SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrônica. 5. ed. São Paulo: Pearson, 2007.
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MALVINO, Albert Paul; BATES, David J. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2015.
HOROWITZ, Paul; HILL, Winfield. A Arte da Eletrônica. 3. ed. Cambridge: Cambridge University Press, 2015.
Curva do Transitor
0	0	0.1	0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	2.7	56.383000000000003	171.59	178.99	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	179.16	4.7	117.74	361.18	376.88	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	377.23	6.7	179.35	55	1.57000000000005	575.6	576.13	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	576.14	8.6999999999999993	241.06	742.27	774.65	775.36	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	775.37	10.7	302.82	933.14	973.87	974.76	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	974.78	
VBB x Ib
VBB (V)	0	2.7	4.7	6.7	8.6999999999999993	10.7	IB (uA)	0	18.91	38.72	58.62	78.540000000000006	98.48	
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