MATERIAIS ELETRICOS exerc3

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17/09/2015 BDQ Prova
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   MATERIAIS ELÉTRICOS   Lupa  
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Exercício: CCE0252_EX_A3_201501208004  Matrícula: 201501208004
Aluno(a): MOISES CRUZ SANTOS Data: 01/09/2015 11:33:24 (Finalizada)
  1a Questão (Ref.: 201501389052)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é
através  da  evaporação  dos  elementos  de  interesse  em  adequadas  câmaras  de  vácuo,
técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History
of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
 
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:
  Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas
elétricas em um material.
  Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução
denominadas dopagem.
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas
elétricas somente se o semicondutor for do tipo­p, ou seja, puro.
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores
intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
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  2a Questão (Ref.: 201501811002)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280
(Ω.m)^(­1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(­3) e que a mobilidade de
buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração
de elétrons é:
541,05 x 10^19 m^­3
  618,57 x 10^19 m^­3
140,25 x 10^19 m^­3
  412,88 x 10^19 m^­3
715,78 x 10^19 m^­3
 Gabarito Comentado
17/09/2015 BDQ Prova
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  3a Questão (Ref.: 201501389051)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Do ponto  de  vista  tecnológico,   a  fabricação  de  transistores  a  partir  de  semicondutores
dopados,  foi  estrategicamente  decisivo  para  a  evolução  da  eletrônica  moderna.  Os
primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como
o Ouro e o Cobre, devido às precárias  técnicas de  refinamento da década de 1950. Foi
somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro
metalúrgico,  desenvolveu  um  método  adequado  para  a  requerida  purificação  destes
materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library,
Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar
semicondutores.
Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga
negativas ou portadores de carga positivas.
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo­n ou
extrínseco do tipo­p.
  A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
  4a Questão (Ref.: 201501389049)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
A  resistividade  de  um  material  varia  com  a  temperatura  e,  para  pequenas  variações,
podemos  assumir  que  a  mesma  obedece  a  expressão  =0+T,  onde  0  e    ao
constantes.  Para  variações maiores  de  temperatura,  a  expressão  da  resistividade  pode
assumir a forma  =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado  nas  informações  anteriores,  indique  a  forma  geométrica  que  melhor  indica  a
variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
Círculo.
Reta.
Hipérbole.
  Parábola.
  Elipse.
  5a Questão (Ref.: 201501315359)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
  Resistência
Condutância
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Indutância
 Resistividade
Condutividade
  6a Questão (Ref.: 201501824703)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
As  resistências  de  aquecimento  são  fabricadas  em  fios  ou  fitas  e  empregadas  em  fornos  para
siderúrgicas,  ferros  de  passar  e  de  soldar,  eletrodomésticos,estufas  entre  outras. Um  resistor  com
coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10­3 ºC­1 apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º.
Qual sua resistência na temperatura de 75 C º?
25KΩ
  6KΩ
3KΩ
4,25KΩ
1KΩ
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