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Iniciado em quarta, 7 mai 2025, 20:52 Estado Finalizada Concluída em quarta, 7 mai 2025, 21:32 Tempo empregado 39 minutos 59 segundos Avaliar 0,45 de um máximo de 0,50(90%) Questão 1 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Os transistores bipolares são fabricados em dois tipos, PNP e NPN, e estão disponíveis como componentes separados. O principal uso ou função desse tipo de transistor é amplificar a corrente. Diante de um transistor NPN a base é estreita e: a. Levemente dopada. b. Dopada com elementos pentavalentes. c. Metálica. d. Sem dopagem. e. Fortemente dopada. Sua resposta está correta. Painel / Minhas Disciplinas / TECNOLÓGICO EM AUTOMAÇÃO INDUSTRIAL-disc. 23- ELETRÔNICA ANALÓGICA / ATIVIDADE DE ESTUDO 01 - VALOR 0,5 PONTOS / AB1 - CLIQUE AQUI PARA REALIZAR A ATIVIDADE DE ESTUDO 01 - PRAZO FINAL: 11/05/2025 https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785 https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785 https://www.eadunifatecie.com.br/my/ https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785 https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785#section-4 https://www.eadunifatecie.com.br/mod/quiz/view.php?id=2407705 Questão 2 Completo Atingiu 0,00 de 0,05 Semicondutores são materiais cuja condutividade está entre condutores e isolantes. Os semicondutores são classificados como semicondutores intrínsecos e semicondutores extrínsecos. Os semicondutores extrínsecos são ainda classificados como semicondutores do tipo N e do tipo P. Durante a formação da junção P-N há também a formação de uma camada de depleção, o que exatamente causa a formação de depleção? a. Barreira potencial. b. Íons. c. Quantidade maior de elétrons. d. Recombinação. e. Dopagem. Sua resposta está incorreta. Questão 3 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Em um semicondutor, a mobilidade dos elétrons é maior que a dos buracos. É principalmente por causa de suas diferentes estruturas de bandas e mecanismos de dispersão. Os elétrons viajam na banda de condução enquanto os buracos viajam na banda de valência. Quando um campo elétrico é aplicado, os buracos não podem se mover tão livremente quanto os elétrons devido ao seu movimento restrito. Sobre as propriedades dos semicondutores, marque a (s) assertiva (s) correta (s): I. Semicondutor atua como um isolante em Zero Kelvin. Ao aumentar a temperatura, funciona como condutor. II. Devido às suas propriedades elétricas excepcionais, os semicondutores podem ser modificados por dopagem para fazer dispositivos semicondutores adequados para conversão de energia, interruptores e amplificadores. A resistência dos materiais semicondutores diminui com o aumento da temperatura e vice-versa. a. I, II. b. I, II e III. c. Apenas I. d. I e III. e. Apenas II. Sua resposta está correta. Questão 4 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 a. 10,8 V b. 9,4 V c. 6 V d. 15 V e. 12 V Sua resposta está correta. Questão 5 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Um transistor de junção bipolar (também conhecido como BJT ou BJT Transistor) é um dispositivo semicondutor de três terminais que consiste em duas junções PN que são capazes de ampliar um sinal. É um dispositivo controlado por corrente. Os três terminais do BJT são a base, o coletor e o emissor. Analise os circuitos a seguir: Qual é a tensão no coletor-emissor? Obs: Considere um transistor ideal a. 2 V b. 3,0 V c. 2,5 V d. 3,5 V e. 0 V Sua resposta está correta. Questão 6 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Questão 7 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Consideremos uma fina folha semicondutora de silício tipo p. Se adicionarmos uma pequena quantidade de impureza pentavalente a isso, uma parte do Si tipo p será convertida em silício tipo n. Esta folha agora conterá a região do tipo p e a região do tipo n e uma junção entre essas duas regiões. Quando se aplica uma tensão inversa de 12V. Qual é a diferença de potencial na camada de depleção? a. 9 V. b. 0,7 V. c. 12 V. d. 6 V. e. 0 V. Sua resposta está correta. O fluxo de elétrons do lado n para o lado p da junção ocorre quando há um aumento na tensão. Isso resulta no gradiente de concentração entre ambos os lados dos terminais. Basicamente o texto explica o funcionamento de um diodo, que tipo de componente eletrônico é o diodo? a. Bilateral. b. Linear. c. Não Linear. d. Indefinido. e. Unilateral. Sua resposta está correta. Questão 8 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Questão 9 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Existe um limite máximo para a tensão de alimentação do coletor para um transistor porque quando a corrente do coletor aumenta rapidamente, há chances de o transistor ser danificado. Analisando um circuito de polarização por divisor de tensão, a tensão na base é: a. Menor que a tensão de alimentação do emissor. b. Maior que a tensão de alimentação da base. c. Maior que a tensão de alimentação do coletor. d. Menor que a tensão de alimentação da base e. Igual a tensão de alimentação da base. Sua resposta está correta. Os TJBs são de dois tipos, NPN e PNP, baseados nos tipos de dopagem dos três terminais principais. Um transistor NPN consiste em duas junções semicondutoras que possuem uma fina região de ânodo dopada em P e o transistor PNP também consiste em duas junções de semicondutores que possuem uma fina região de cátodo N dopada. A dissipação de potência um transistor de junção bipolar é aproximadamente proporcional à corrente do coletor multiplicada pela: a. Tensão coletor-emissor. b. Tensão da alimentação do coletor. c. Tensão da alimentação do emissor. d. Tensão da alimentação da base. e. Tensão base-emissor. Sua resposta está correta. Questão 10 Completo Atingiu 0,05 de 0,05 Para criar a versão PNP da polarização do divisor de tensão, substituímos o NPN por um PNP e, em seguida, mudamos o sinal da fonte de alimentação. Todas as correntes e tensões dos componentes permanecem inalteradas, exceto que suas direções e polaridades são invertidas. Veja o circuito a seguir e responda. Como é o ganho de corrente em um transistor PNP com base no circuito mostrado? a. próxima a zero. b. No circuito mostrado é impossível verificar o ganho. c. É um valor negativo do ganho da corrente do NPN. d. Depende da corrente do coletor que é dividida pela corrente do emissor e. É basicamente a razão da corrente do coletor pela corrente da base. Sua resposta está correta. ◄ ÁUDIO AULA 04 Seguir para... SLIDE AULA 05 ► https://www.eadunifatecie.com.br/mod/url/view.php?id=2407703&forceview=1 https://www.eadunifatecie.com.br/mod/resource/view.php?id=2407708&forceview=1