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ATIVIDADE DE ESTUDO 01 -

Questionário (Atividade de estudo) de Eletrônica Analógica: série de questões de múltipla escolha sobre semicondutores, dopagem, junção P‑N e camada de depleção, diodos, transistores BJT (NPN/PNP), polarização e cálculos de tensões em circuitos, com registro de respostas e pontuação.

Ferramentas de estudo

Questões resolvidas

Durante a formação da junção P-N há também a formação de uma camada de depleção, o que exatamente causa a formação de depleção? a. Íons. b. Quantidade maior de elétrons. c. Recombinação. d. Dopagem. e. Barreira potencial.

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Questões resolvidas

Durante a formação da junção P-N há também a formação de uma camada de depleção, o que exatamente causa a formação de depleção? a. Íons. b. Quantidade maior de elétrons. c. Recombinação. d. Dopagem. e. Barreira potencial.

Prévia do material em texto

Iniciado em quarta, 7 mai 2025, 20:52
Estado Finalizada
Concluída em quarta, 7 mai 2025, 21:32
Tempo
empregado
39 minutos 59 segundos
Avaliar 0,45 de um máximo de 0,50(90%)
Questão 1
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Os transistores bipolares são fabricados em dois tipos, PNP e NPN, e estão disponíveis como componentes separados. O
principal uso ou função desse tipo de transistor é amplificar a corrente.
 
Diante de um transistor NPN a base é estreita e:
a. Levemente dopada.
b. Dopada com elementos pentavalentes.
c. Metálica.
d. Sem dopagem.
e. Fortemente dopada.
Sua resposta está correta.
Painel / Minhas Disciplinas / TECNOLÓGICO EM AUTOMAÇÃO INDUSTRIAL-disc. 23- ELETRÔNICA ANALÓGICA
/ ATIVIDADE DE ESTUDO 01 - VALOR 0,5 PONTOS / AB1 - CLIQUE AQUI PARA REALIZAR A ATIVIDADE DE ESTUDO 01 - PRAZO FINAL: 11/05/2025

https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785
https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785
https://www.eadunifatecie.com.br/my/
https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785
https://www.eadunifatecie.com.br/course/view.php?id=68785#section-4
https://www.eadunifatecie.com.br/mod/quiz/view.php?id=2407705
Questão 2
Completo
Atingiu 0,00 de 0,05
Semicondutores são materiais cuja condutividade está entre condutores e isolantes. Os semicondutores são classificados como
semicondutores intrínsecos e semicondutores extrínsecos. Os semicondutores extrínsecos são ainda classificados como
semicondutores do tipo N e do tipo P.
 
Durante a formação da junção P-N há também a formação de uma camada de depleção, o que exatamente causa a formação
de depleção?
a. Barreira potencial.
b. Íons.
c. Quantidade maior de elétrons.
d. Recombinação.
e. Dopagem.
Sua resposta está incorreta.

Questão 3
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Em um semicondutor, a mobilidade dos elétrons é maior que a dos buracos. É principalmente por causa de suas diferentes
estruturas de bandas e mecanismos de dispersão.
 
Os elétrons viajam na banda de condução enquanto os buracos viajam na banda de valência. Quando um campo elétrico é
aplicado, os buracos não podem se mover tão livremente quanto os elétrons devido ao seu movimento restrito.
 
 
Sobre as propriedades dos semicondutores, marque a (s) assertiva (s) correta (s):
 
I. Semicondutor atua como um isolante em Zero Kelvin. Ao aumentar a temperatura, funciona como condutor.
II.  Devido às suas propriedades elétricas excepcionais, os semicondutores podem ser modificados por dopagem para fazer
dispositivos semicondutores adequados para conversão de energia, interruptores e amplificadores.
A resistência dos materiais semicondutores diminui com o aumento da temperatura e vice-versa.
a. I, II.
b. I, II e III.
c. Apenas I.
d. I e III.
e. Apenas II.
Sua resposta está correta.

Questão 4
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
a. 10,8 V
b. 9,4 V
c. 6 V
d. 15 V
e. 12 V
Sua resposta está correta.

Questão 5
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Um transistor de junção bipolar (também conhecido como BJT ou BJT Transistor) é um dispositivo semicondutor de três
terminais que consiste em duas junções PN que são capazes de ampliar um sinal. É um dispositivo controlado por corrente. Os
três terminais do BJT são a base, o coletor e o emissor.
Analise os circuitos a seguir:
Qual é a tensão no coletor-emissor? Obs: Considere um transistor ideal
a. 2 V
b. 3,0 V
c. 2,5 V
d. 3,5 V
e. 0 V
Sua resposta está correta.

Questão 6
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Questão 7
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Consideremos uma fina folha semicondutora de silício tipo p. Se adicionarmos uma pequena quantidade de impureza
pentavalente a isso, uma parte do Si tipo p será convertida em silício tipo n. Esta folha agora conterá a região do tipo p e a
região do tipo n e uma junção entre essas duas regiões.
 
Quando se aplica uma tensão inversa de 12V. Qual é a diferença de potencial na camada de depleção?
a. 9 V.
b. 0,7 V.
c. 12 V.
d. 6 V.
e. 0 V.
Sua resposta está correta.
O fluxo de elétrons do lado n para o lado p da junção ocorre quando há um aumento na tensão. Isso resulta no gradiente de
concentração entre ambos os lados dos terminais. Basicamente o texto explica o funcionamento de um diodo, que tipo de
componente eletrônico é o diodo?
a. Bilateral.
b. Linear.
c. Não Linear.
d. Indefinido.
e. Unilateral.
Sua resposta está correta.

Questão 8
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Questão 9
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Existe um limite máximo para a tensão de alimentação do coletor para um transistor porque quando a corrente do coletor
aumenta rapidamente, há chances de o transistor ser danificado.
 
Analisando um circuito de polarização por divisor de tensão, a tensão na base é:
a. Menor que a tensão de alimentação do emissor.
b. Maior que a tensão de alimentação da base.
c. Maior que a tensão de alimentação do coletor.
d. Menor que a tensão de alimentação da base
e. Igual a tensão de alimentação da base.
Sua resposta está correta.
Os TJBs são de dois tipos, NPN e PNP, baseados nos tipos de dopagem dos três terminais principais. Um transistor NPN consiste
em duas junções semicondutoras que possuem uma fina região de ânodo dopada em P e o transistor PNP também consiste em
duas junções de semicondutores que possuem uma fina região de cátodo N dopada.
 
A dissipação de potência um transistor de junção bipolar é aproximadamente proporcional à corrente do coletor multiplicada
pela:
a. Tensão coletor-emissor.
b. Tensão da alimentação do coletor.
c. Tensão da alimentação do emissor.
d. Tensão da alimentação da base.
e. Tensão base-emissor.
Sua resposta está correta.

Questão 10
Completo
Atingiu 0,05 de 0,05
Para criar a versão PNP da polarização do divisor de tensão, substituímos o NPN por um PNP e, em seguida, mudamos o sinal
da fonte de alimentação. Todas as correntes e tensões dos componentes permanecem inalteradas, exceto que suas direções e
polaridades são invertidas. Veja o circuito a seguir e responda.
Como é o ganho de corrente em um transistor PNP com base no circuito mostrado?
a. próxima a zero.
b. No circuito mostrado é impossível verificar o ganho.
c. É um valor negativo do ganho da corrente do NPN.
d. Depende da corrente do coletor que é dividida pela corrente do emissor
e. É basicamente a razão da corrente do coletor pela corrente da base.
Sua resposta está correta.
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