Materiais Elétricos - Aula 02

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1a Questão (Ref.: 201301508538)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Um resistor é construído utilizando­se um material  cuja  resistividade é  igual  a 1,6 x 10­6 Ω.cm na  forma  de  um  fio
cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4
mm2.
  12 mili ohms
11 mili ohms
10 mili ohms
13 mili ohms
14 mili ohms
  2a Questão (Ref.: 201301508542)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Deseja­se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a
0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
1,88x 10­6 Ω.cm
1,11 x 10­6 Ω.cm
  1,44 x 10‐6 Ω.cm
0,99 x 10­6 Ω.cm
1,22x 10­6 Ω.cm
  3a Questão (Ref.: 201301569193)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Materiais  cristalinos  são  aqueles  que  apresentam  em  sua microestrutura  uma  ordenação  atômica,  podendo manifestar  diversos
padrões como o cúbico de corpo centrado  (CCC) ou cúbico de  face centrada  (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido
através  de  uma estrutura  cristalina,  os  elétrons  sofrem espalhamento,  executando movimentos  não  retilíneos. Para  descrever  a
velocidade  desenvolvida  por  estas  partículas  no  condutor,  criou­se  o  conceito  de  velocidade  de  deslocamento,  em  Inglês,  drift
velocity, cuja melhor expressão é dada por:
=W.A/l
v=s/t
V=R.i
  v=E.e
V=N.i.IpI.h
  4a Questão (Ref.: 201301569180)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Em  meados  do  século  XX,  materiais  denominados  de  semicondutores  foram  desenvolvidos  e  fabricados  em  escala  industrial,
permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por =p.I e
I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico,  I  e  I é  o módulo  da  carga  do  elétron,  dado  por  1,6.10­19C,  e  .h  é
mobilidade dos buracos.
Baseado  nas  informações  anteriores,  calcule  a  condutividade  do  semicondutor  de  Silício  resultante  da  dopagem  com
5.1022/m3átomos de Boro, considerando h = 0,05m2/V.s
 
200 (ohm.m) ­1
 
100 (ohm.m) ­1
 
4 (ohm.m) ­1
  400 (ohm.m) ­1
 
50 (ohm.m) ­1
 
  5a Questão (Ref.: 201301508547)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Deseja‐se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja
resistividade é igual a 89,1 x 10‐6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do
comprimento deste fio.
6,33cm
8,33 cm
4,33 cm
  5,33 cm
7,33 cm
  6a Questão (Ref.: 201301508543)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Deseja‐se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção
reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser
utilizado.
  4,75 x 10‐6 Ω.cm
3,95 x 10‐6 Ω.cm
7,81 x 10‐6 Ω.cm
6,45 x 10‐6 Ω.cm
3,21 x 10‐6 Ω.cm