Avaliação de Eletrônica

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GABARITO | Avaliação I - Individual (Cod.:1600422)
Peso da Avaliação
1,50
Prova
121093507
Qtd. de Questões
10
Acertos/Erros
10/0
Nota
10,00
Os semicondutores são sólidos cristalinos de condutividade elétrica variável. Sua utilização é essencial na indústria eletrônica e na 
construção de componentes. Quando trabalhamos com esses semicondutores em casos reais, nos deparamos com perdas de potência. 
Assinale a alternativa CORRETA que represente um modo de perda de potência dos semicondutores:
A Perda por Histerese.
B Perda por Atrito.
C Perda de Vitalidade.
D Perda por Chaveamento.
Existem dispositivos na eletrônica que são utilizados em chaveamento de alta frequência, de modo a controlar a potência sobre uma 
carga por meio do PWM (modulação por largura de pulso).
Assinale a alternativa CORRETA que referencia alguns desses dispositivos:
A Transistores de Porta Isolada: IGBTs e Tiristores de Efeito de Campo: JFETs, BI-FETs, MOSFETs.
B Transistores de Desligamento por Porta: GTOs.
C Retificadores Controlados por Tensão.
D Diodos e Transistores Bipolares de Junção: BJTs.
Em se tratando de eletrônica de potência, existem chaves que são utilizados em chaveamentos de alta frequência, na maioria dos casos, 
por Modulação por Largura de Pulso, de modo a controlar a potência sobre uma carga. Das chaves utilizadas nos dispositivos de 
chaveamento, analise as sentenças a seguir:
I- Diodos e Transistores Bipolares de Junção.
II- Inversor de frequência e soft-starter.
III- Retificadores Controlados de Silício: SCRs e Tiristores de Desligamento por Porta: GTOs.
IV- Fontes de tensão controladas por corrente e Fontes de corrente controladas por tensão.
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Gamaliel Kalebe da Silva Figueró
Engenharia Elétrica (4781007) 
19/05/2026, 11:44 AVA
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Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças III e IV estão corretas.
B As sentenças II e IV estão corretas.
C As sentenças I e II estão corretas.
D As sentenças I e III estão corretas.
Uma fonte de corrente contínua de 350 volts está fornecendo energia para uma carga resistiva RL de 25 ohms, conectada em série a um 
reostato R1. Todos os componentes do circuito estão ligados em série.
Considerando a resistência do reostato R1, ajustada para 12 ohms, o rendimento do sistema é dado por:
A 65,76%.
B 67,56%.
C 68,24%.
D 66,67%.
O Silício era utilizado como base para o mercado de eletrônica mundial, entretanto, devido as suas limitações, um novo grupo de 
elementos e compostos entrou no foco da tecnologia de semicondutores de banda larga (WBS – wide band semiconductor). Os mais 
conhecidos são o Carboneto de Silício (Silicon Carbide – SiC), o Nitreto de Gálio (Gallium Nitride – GaN) e o Diamante. Sobre o exposto, 
avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas:
I- Os semicondutores de banda larga destacam-se porque possuem um melhor rendimento em relação a perdas por comutação, devido a 
sua rapidez em mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa.
PORQUE
II- A mudança efetiva de estado em condução para bloqueio e vice-versa é possível devido a uma menor concentração de portadores 
intrínsecos, a um maior campo elétrico de ruptura, uma maior condutividade térmica e uma maior velocidade oriunda dos elétrons 
saturados.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As asserções I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.
B A asserção I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
C As asserções I e II são proposições verdadeiras, mas a II não é uma justificativa da I.
D As asserções I e II são proposições falsas.
A fim de exemplificar a forma de onda de saída de um SCR ocasionada pelo disparo, utilizou-se o circuito onde há uma fonte de 
alimentação senoidal com frequência de 60Hz e amplitude de 311V, ou seja, 220V de tensão eficaz, a também um disparo controlado em 
α = 45º ( ) e uma resistência simbolizando uma carga. A figura a seguir apresenta as formas de onda obtidas no circuito descrito:
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Gamaliel Kalebe da Silva Figueró
Engenharia Elétrica (4781007) 
19/05/2026, 11:44 AVA
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Considerando as formas de onda apresentadas, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    
)
A primeira forma de onda apresenta a tensão de alimentação com as características senoidais de amplitudes e frequência.
(    
)
Na segunda forma de onda é apresentada a tensão sobre a carga, observe que devido à característica bidirecional do SCR, é possível 
apresentar cada semiciclo de forma independente.
(    
)
Na terceira forma de onda observa-se o pulso no gatilho. Ele ocorre de maneira rápida e sem continuidade, mas na mesma 
frequência da rede, garantindo assim que sempre ele ocorra no mesmo ponto de operação.
(    
)
No segundo gráfico é possível observar que o semiciclo positivo é controlado através do gatilho, nesse caso, com ângulo de disparo 
α, ou seja, somente a partir daquele ponto que a tensão positiva passa a ser entregue à carga.
(    
)
O traçado em azul apresenta a relação de disparo, com início do bloqueio do SCR e ponto de referência na tensão de entrada.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V - V.
B
V - V - F - V - F.
 
C V - F - V - V - F.
D F - V - V - F - V.
Gamaliel Kalebe da Silva Figueró
Engenharia Elétrica (4781007) 
19/05/2026, 11:44 AVA
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A figura apresenta o circuito de disparo de SCR em uma carga resistiva R, em que V ; V e V  representam a tensão de pico da fonte 
senoidal, a tensão no gatilho do SCR e a queda de tensão na carga R respectivamente. O valor da tensão RMS na carga R para esse 
circuito pode ser calculado pela equação:
Para o circuito e as informações apresentadas, analise as sentenças a seguir:
I- Para Vp de 300V e α = 60°, tem-se uma VR_rms = 134,541 V; Vp_rms = 212,132 V.
II- Para Vp de 311V e α = 40°, tem-se uma VR_rms = 148,268 V; Vp_rms = 219,910 V.
III- Para Vp de 300V e α = 45°, tem-se uma VR_rms = 130,056 V; Vp_rms = 205,061 V.
IV- Para Vp de 350V e α = 30°, tem-se uma VR_rms = 172,459 V; Vp_rms = 247,487 V.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e II estão corretas.
B As sentenças I e IV estão corretas.
C As sentenças II e III estão corretas.
D As sentenças I, II e IV estão corretas.
Atualmente, podemos encontrar diferentes transistores de potência no mercado. São dispositivos que estão em constante evolução e 
podemos até criar uma linha do tempo de criação dos transistores mais utilizados (BJT, MOSFET e IGBT). Onde cada um foi criado 
seguindo as necessidades do mercado. Sobre essa evolução dos transistores, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as 
falsas:
(    ) Antes da criação do transistor bipolar de junção (BJT), o transistor mais utilizado era o transistor de efeito de campo (MOSFET). 
(    ) O surgimento do transistor de efeito de campo (MOSFET) se deu através da união das melhores características do BJT e do IGBT.
(    ) O surgimento do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) se deu através da união das melhores características do BJT e do MOSFET.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - F - V.
B V - F - V.
C F - V - F.
D V - F - F.
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S G R
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Gamaliel Kalebe da Silva Figueró
Engenharia Elétrica (4781007) 
19/05/2026, 11:44 AVA
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Um aspecto importante na introdução e popularização do transistor bipolar como elemento chaveador em substituição aos tiristores, foi a 
possibilidade de ampliação das frequências de comutação, sem perda de eficiência, e assim, a redução do volume dos elementos 
magnetizantes do circuito. A figura a seguir mostra transistor polarizado e operando como chave e sua devida reta de carga.
Considerando o uso dos transistores bipolares, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) O ponto quiescente ou ponto Q estabelece a região de operação do transistor sobre a reta de carga.
(    ) Os valores assumidos por Q para os sistemas de potência, quando na saturação será igual a VCC/RC, e no caso do corte será idêntico 
a VCE, assim a linha traçada entre estes dois pontos é a reta de carga do transistor.
(    ) A corrente IB, corrente na base do transistor, determina o estado de operação do dispositivo, define se o transistor estará em corte ou 
em saturação.
(    ) A análise do ponto de operação do transistor BJT será a partir da curva Ic x VCC.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B V - V - F - V.
C V - F - V - F.
D F - V - V - F.
No contexto da eletrônica de potência, as chaves semicondutoras são dispositivos utilizados em chaveamentos de alta frequência, na 
maioria dos casos, por Modulação por Largura de Pulso, de modo a controlar a potência sobre uma carga. Existem no mercado diferentes 
modelos de chaves semicondutoras, de acordo com as características do circuito eletrônico ao qual são empregadas.
Assinale a alternativa CORRETA que apresenta algumas dessas características:
A Frequência de comutação e tensão mínima de bloqueio.
B Acionamento por corrente ou por tensão e implementação em corrente contínua ou corrente alternada.
C Frequência de comutação e corrente mínima em condução.
D Potência e corrente mínima em condução.
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Gamaliel Kalebe da Silva Figueró
Engenharia Elétrica (4781007) 
19/05/2026, 11:44 AVA
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19/05/2026, 11:44 AVA
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