Fundamentos de Transistores e Diodos

ESTÁCIO

Marcos Rosa

em 24/05/2026

Questões resolvidas

Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado. Os transistores são divididos em transistores bipolares de junção (TBJ) e transistores de efeito de campo (FET). A característica de funcionamento dos transistores de efeito de campo (FET) é dada por:
Uma corrente de controle capaz de controlar uma corrente na saída. Uma tensão na entrada capaz de controlar uma tensão na saída. Uma corrente na entrada capaz de controlar uma tensão na saída. Uma tensão de entrada (campo elétrico) capaz de controlar uma resistência na saída. Uma tensão de entrada (campo elétrico) capaz de controlar uma corrente na saída.

Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado. Os transistores, assim como outros dispositivos eletrônicos, são feitos de materiais que são capazes de conduzirem corrente elétrica quando utilizados corretamente, denominados:
Condutivos.
Isolantes.
Semicondutores.
Condutores.
Semi-isolantes.

Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado. Um transistor do tipo TBJ é capaz de gerar uma amplificação de uma corrente de entrada a partir de uma corrente de saída. Se um circuito eletrônico com um TBJ possui uma corrente de base I =1 μA e um ganho igual a β=100 apresenta uma corrente de saída I igual a:
I =1 μA.
I =1 mA.
I =100 mA.
I =10 μA.
I =100 μA.

Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado.
Em um circuito com um TBJ que apresente uma corrente de saída de 10 mA e uma corrente de controle de 10 μA o ganho do transistor é igual a:
β=100.
β=1000.
β=10000.
β=10.
β=1.

Em um retificador de meia-onda trifásico o _________________ de cada diodo é conectado a fonte de alimentação de tensão. A alternativa que completa corretamente o trecho acima é:
Zener.
Varicap.
Anodo.
LED.
Catodo.

O diodo semicondutor, como o nome indica, é formado por uma junção de materiais. Essa combinação permite seu funcionamento como chave, já que o bloqueio da corrente é realizado por uma junção entre as camadas denominada:
Junta fria.
Região de depleção.
Junta quente.
Ânodo.
Cátodo.

Quando polarizado reversamente, o diodo atua como uma chave aberta. Para que essa condição seja atendida é necessário:
Que o anodo esteja mais positivo que o catodo em 0,7V.
Que o anodo esteja mais positivo que o catodo em 0,3V.
Que o catodo esteja mais negativo que o anodo em 0,3V.
Que o catodo esteja mais positivo que o anodo.
Que o anodo esteja na mesma polarização que o catodo.

Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções, sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Entre as maneiras de se desligar um SCR (tiristor unidirecional controlado por pulso), a redução da corrente de ânodo para valores inferiores aos da corrente mínima de manutenção é denominada:
Corte
Saturação
Gatilho
Comutação forçada
Comutação natural

Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções, sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Utilizado em diversas aplicações em sistemas elétricos, o IGBT (transistor bipolar de porta isolada) apresenta um pequeno atraso com relação ao tempo que leva para ir de 0,9 VCE para 0,1 VCE, ou seja, para entrar na condição de saturação.
Esse atraso é denominado:
Tempo de descida
Tempo de carga
Tempo de descarga
Constante de tempo
Tempo de subida

Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções, sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Na região de saturação, os PMOSFETs (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) têm níveis de correntes IGS constantes, mesmo com um aumento no VDS. Isso ocorre quando a tensão VDS ultrapassa um valor máximo denominado:
Tensão de limite
Tensão de corte
Tensão de pinch-off
Tensão ativa
Tensão de polarização

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Perguntas dessa disciplina

São exemplos de componentes semicondutores: Ma não ondida Escolha uma opção: 2,0 O a. Capacitores, diodos, circuitos integrados. D(S). Ob. Re...

Quais sao os componentes basicos encontrados em um circuito integrado digital? a) Resistores, capacitores e indutores. b) Transistores, diodos e ca...

Em eletricidade, existem materiais condutores, semicondutores e isolantes. A utilização de cada um deles depende da sua aplicação. Assim, são exemplos

SIN SIGLA

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Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado. Os transistores são divididos em transistores bipolares de junção (TBJ) e transistores de efeito de campo (FET). A característica de funcionamento dos transistores de efeito de campo (FET) é dada por:
Uma corrente de controle capaz de controlar uma corrente na saída. Uma tensão na entrada capaz de controlar uma tensão na saída. Uma corrente na entrada capaz de controlar uma tensão na saída. Uma tensão de entrada (campo elétrico) capaz de controlar uma resistência na saída. Uma tensão de entrada (campo elétrico) capaz de controlar uma corrente na saída.

Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado. Os transistores, assim como outros dispositivos eletrônicos, são feitos de materiais que são capazes de conduzirem corrente elétrica quando utilizados corretamente, denominados:
Condutivos.
Isolantes.
Semicondutores.
Condutores.
Semi-isolantes.

Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado. Um transistor do tipo TBJ é capaz de gerar uma amplificação de uma corrente de entrada a partir de uma corrente de saída. Se um circuito eletrônico com um TBJ possui uma corrente de base I =1 μA e um ganho igual a β=100 apresenta uma corrente de saída I igual a:
I =1 μA.
I =1 mA.
I =100 mA.
I =10 μA.
I =100 μA.

Os transistores foram criados para serem mais compactos e de menor custo, substituindo as válvulas termiônicas utilizadas no século passado.
Em um circuito com um TBJ que apresente uma corrente de saída de 10 mA e uma corrente de controle de 10 μA o ganho do transistor é igual a:
β=100.
β=1000.
β=10000.
β=10.
β=1.

Em um retificador de meia-onda trifásico o _________________ de cada diodo é conectado a fonte de alimentação de tensão. A alternativa que completa corretamente o trecho acima é:
Zener.
Varicap.
Anodo.
LED.
Catodo.

O diodo semicondutor, como o nome indica, é formado por uma junção de materiais. Essa combinação permite seu funcionamento como chave, já que o bloqueio da corrente é realizado por uma junção entre as camadas denominada:
Junta fria.
Região de depleção.
Junta quente.
Ânodo.
Cátodo.

Quando polarizado reversamente, o diodo atua como uma chave aberta. Para que essa condição seja atendida é necessário:
Que o anodo esteja mais positivo que o catodo em 0,7V.
Que o anodo esteja mais positivo que o catodo em 0,3V.
Que o catodo esteja mais negativo que o anodo em 0,3V.
Que o catodo esteja mais positivo que o anodo.
Que o anodo esteja na mesma polarização que o catodo.

Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções, sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Entre as maneiras de se desligar um SCR (tiristor unidirecional controlado por pulso), a redução da corrente de ânodo para valores inferiores aos da corrente mínima de manutenção é denominada:
Corte
Saturação
Gatilho
Comutação forçada
Comutação natural

Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções, sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Utilizado em diversas aplicações em sistemas elétricos, o IGBT (transistor bipolar de porta isolada) apresenta um pequeno atraso com relação ao tempo que leva para ir de 0,9 VCE para 0,1 VCE, ou seja, para entrar na condição de saturação.
Esse atraso é denominado:
Tempo de descida
Tempo de carga
Tempo de descarga
Constante de tempo
Tempo de subida

Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções, sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Na região de saturação, os PMOSFETs (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) têm níveis de correntes IGS constantes, mesmo com um aumento no VDS. Isso ocorre quando a tensão VDS ultrapassa um valor máximo denominado:
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Em eletricidade, existem materiais condutores, semicondutores e isolantes. A utilização de cada um deles depende da sua aplicação. Assim, são exemplos

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A
B
C
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Os transistores foram criados
para serem mais compactos e
de menor custo, substituindo
as válvulas termiônicas
utilizadas no século passado.
Os transistores são divididos
em transistores bipolares de
junção (TBJ) e transistores de
efeito de campo (FET). A
característica de
funcionamento dos transistores
de efeito de campo (FET) é
dada por:
Uma tensão de
entrada (campo
elétrico) capaz de
controlar uma
resistência na saída.
Uma corrente de
controle capaz de
controlar uma
corrente na saída.
Uma tensão na
entrada capaz de
controlar uma tensão
na saída.
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Uma corrente na
entrada capaz de
controlar uma tensão
na saída.
Uma tensão de
entrada (campo
elétrico) capaz de
controlar uma
corrente na saída.
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Os transistores foram criados
para serem mais compactos e
de menor custo, substituindo
as válvulas termiônicas
utilizadas no século passado.
Os transistores, assim como
outros dispositivos eletrônicos,
são feitos de materiais que são
capazes de conduzirem
corrente elétrica quando
utilizados corretamente,
denominados:
Condutores.
Isolantes.
Condutivos.
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Semicondutores.
Semi-isolantes.
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

Os transistores foram criados
para serem mais compactos
e de menor custo,
substituindo as válvulas
termiônicas utilizadas no
século passado. Um
transistor do tipo TBJ é
capaz de gerar uma
amplificação de uma corrente
de entrada a partir de uma
corrente de saída. Se um
circuito eletrônico com um
TBJ possui uma corrente de
base I =1 μA e um ganho
igual a β=100 apresenta uma
corrente de saída I igual a:
B
C

I =1 μA.C

I =1 mA.C

I =100 mA.C
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I =10 μA.C
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I =100 μA.C
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Os transistores foram criados
para serem mais compactos e
de menor custo, substituindo
as válvulas termiônicas
utilizadas no século passado.
Em um circuito com um TBJ
que apresente uma corrente de
saída de 10 mA e uma corrente
de controle de 10 μA o ganho
do transistor é igual a:
β=1.
β=10.
β=100.
β=1000.
β=10000.
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A
B
C
D
E
Em um retificador de meia-
onda trifásico, o
_________________ de cada diodo
é conectado à fonte de
alimentação de tensão. A
alternativa que completa
corretamente o trecho acima é:
Ânodo.
Cátodo.
Zener.
LED.
Varicap.
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O diodo semicondutor, como o
nome indica, é formado por
uma junção de materiais. Essa
combinação permite seu
funcionamento como chave, já
que o bloqueio da corrente é
realizado por uma junção entre
as camadas denominada:
SM1 Eletrônica Industrial
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A
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A
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C
Junta fria.
Região de depleção.
Junta quente.
Ânodo.
Cátodo.
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Quando polarizado
reversamente, o diodo atua
como uma chave aberta. Para
que essa condição seja
atendida é necessário:
Que o ânodo esteja
mais positivo que o
cátodo em 0,7V.
Que o cátodo esteja
mais negativo que o
ânodo em 0,3V.
Que o cátodo esteja
mais positivo que o
ânodo.
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A
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Que o ânodo esteja na
mesma polarização
que o cátodo.
Que o ânodo esteja
mais positivo que o
cátodo em 0,3V.
8 Marcar para revisão
Dispositivos em circuitos
eletrônicos apresentam
diversas funções, sendo
empregados em circuitos
controlados e de proteção.
Entre as maneiras de se
desligar um SCR (tiristor
unidirecional controlado por
pulso), a redução da corrente
de ânodo para valores
inferiores aos da corrente
mínima de manutenção é
denominada:
Corte
Saturação
Gatilho
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D
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A
B
C
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E
Comutação forçada
Comutação natural
9 Marcar para revisão
Dispositivos em circuitos
eletrônicos apresentam
diversas funções, sendo
empregados em circuitos
controlados e de proteção.
Utilizado em diversas
aplicações em sistemas
elétricos, o IGBT (transistor
bipolar de porta isolada)
apresenta um pequeno atraso
com relação ao tempo que leva
para ir de 0,9 VCE para 0,1 VCE,
ou seja, para entrar na
condição de saturação. Esse
atraso é denominado:
Tempo de descida
Tempo de carga
Tempo de descarga
Constante de tempo
Tempo de subida
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A
B
C
D
E
10 Marcar para revisão
Dispositivos em circuitos
eletrônicos apresentam
diversas funções, sendo
empregados em circuitos
controlados e de proteção. Na
região de saturação, os
PMOSFETs (transistor de efeito
de campo semicondutor de
óxido metálico) têm níveis de
correntes IGS constantes,
mesmo com um aumento no
VDS. Isso ocorre quando a
tensão VDS ultrapassa um
valor máximo denominado:
Tensão de limite
Tensão de corte
Tensão de pinch-off
Tensão ativa
Tensão de polarização
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Ferramentas de estudo

Em um retificador de meia-onda trifásico o _________________ de cada diodo é conectado a fonte de alimentação de tensão. A alternativa que completa corretamente o trecho acima é:
Zener.
Varicap.
Anodo.
LED.
Catodo.

O diodo semicondutor, como o nome indica, é formado por uma junção de materiais. Essa combinação permite seu funcionamento como chave, já que o bloqueio da corrente é realizado por uma junção entre as camadas denominada:
Junta fria.
Região de depleção.
Junta quente.
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Anodo.
LED.
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O diodo semicondutor, como o nome indica, é formado por uma junção de materiais. Essa combinação permite seu funcionamento como chave, já que o bloqueio da corrente é realizado por uma junção entre as camadas denominada:Junta fria.Região de depleção.Junta quente.Ânodo.Cátodo.

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O diodo semicondutor, como o nome indica, é formado por uma junção de materiais. Essa combinação permite seu funcionamento como chave, já que o bloqueio da corrente é realizado por uma junção entre as camadas denominada:Junta fria.Região de depleção.Junta quente.Ânodo.Cátodo.

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Zener.
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Anodo.
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