Memorias semicondutoras apostila

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Memórias Semicondutoras 
Eln. Digital / Tec.Eletrônica-CEFET-PR 
Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fábio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila 
v.3.0 / 2002 
 
 
 
 
 
 
MEMÓRIAS 
 
SEMICONDUTORAS 
 
 
APOSTILA 
 
 
CEFET-PR 
 
 
Autores: Prof. Bertoldo Schneider Jr. 
 Prof. Fábio Kurt Schneider 
 Colab. Valfredo Pila 
0
10
SRAM
A0/2047
[PWRDWM]
G1
G2
1,2EN [read]
1C3 [write]
A,3D A,Z4
4
6116
Memórias Semicondutoras 
Eln. Digital / Tec.Eletrônica-CEFET-PR 
Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fábio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila 
v.3.0 / 2002 
MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS 
 
1. Introdução 
 
 Com o passar do tempo o Homem desenvolveu novas maneiras de armazenamento de 
dados que o auxiliou a usá-los de maneira mais eficiente. Talvez o mais notável, e com 
certeza o mais evolutivo meio de armazenamento de dados inventado até hoje tenha sido o 
livro impresso. À sua sombra descansam outros titãs como as marcas, inscrições e pinturas 
rupestres, o alfabeto, o Dagarreótipo, a fotografia, os filmes, dispositivos magnéticos e 
ópticos, para falar pouco. 
Hoje em dia, existem várias maneiras de se armazenar dados como, por exemplo, 
através de fita magnética (memória do tipo sequencial), através de circuitos biestáveis (flip-
flop tipo D, e.g.), através de cargas elétricas sobre capacitores, através da modificação de 
índices ópticos de superfícies e sólidos, através de modificação do estado quântico de uma 
molécula ou átomo, etc. Na linha evolutiva das memórias utilizadas em computadores 
pode-se citar as fitas K-7, fitas perfuradas de papel, cartões perfurados, memória de 
tambor, matrizes de mini-toróides magnéticos, discos magnéticos, mídias ópticas e as 
famosas memórias em estado sólido. As memórias em estado sólido (ou semicondutoras) 
são conhecidas por este nome pelo fato de não terem partes móveis. Nos idos de 40 e 50 
estabeleceu-se o que se conhecia por “lei do transistor”: quanto menor a quantidade de 
partes móveis, melhor é a máquina. Com certeza isso foi verdade no caso das memórias de 
computador. 
A memória semicondutora produzida com componentes de estado sólido, é um dos 
tipos de memórias mais utilizados em circuitos digitais atualmente. Este tipo de memória 
divide-se, basicamente em 2 tipos: RAM (Random Access Memory) e ROM (Read Only 
Memory). Uma memória qualquer tem que ter no mínimo uma via através da qual possa se 
se faça um acesso a um dado específico (barramento de endereçamento), uma via por 
onde os dados possam entrar e/ou sair (barramento de dados) e uma via através da qual se 
possa controlar outros aspectos da memória (barramento de controle). Deste modo, 
detalha-se a seguir os três tipos de barramentos das memórias: 
 
- Barramento de dados (Data Bus) ® permite a entrada (escrita) e/ou saída 
(leitura) dos dados. Em grande parte dos circuitos integrados de memórias uma 
mesma linha física é utilizada como entrada e como saída (nunca 
simultaneamente, claro), diminuindo pela metade o número de pinos necessários 
para a transferência de dados. 
- Barramento de endereçamento (Address Bus) ® permite que uma posição de 
memória seja acessada através da combinação de zeros e uns neste barramento. 
- Barramento de Controle (Control Bus) ® é um conjunto de linhas que 
permitem controles do tipo: habilitação do C.I. para o funcionamento (Chip 
Enable), habilitação da operação de escrita (Write Enable), habilitação da função 
de leitura (Read Enable, estas duas geralmente num único pino do tipo 
Write/read), habilitação do barramento de dados, estado de stand by, estado de 
saídas em alta impedância ou tri-state (Output Enable) etc. 
 A figura (1A) apresenta uma memória com 3 bits de linhas de endereço, 
possibilitando a discriminação ou acesso a 23 = 8 posiçoes de memória. Cada uma das oito 
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posições de memória contém uma palavra de 4 bits. Como exemplo de controles temos 
uma linha de controle de escrita/leitura denominada WE – write enable (WE=0 para 
escrita, WE=1 para leitura) e uma linha de habilitação do circuito denominada CS – chip 
select – habilitada com nível lógico 1. 
 
SaídasEntradas
I0
I1
I2
I3
MEMO
O0
O1
O2
O3
OutputsImputs
Endereços
A0
A1
A2
Address
WE CS
A,1D
C1
A,1D
A,1D
A,1D
EN
A0/7}0
2
(A)
 
Entrada/SAída
D0
D1
D2
D3
MEMO
Data
Endereços
A0
A1
A2
Address
WE CS
de dados
A,1D
C1
A,1D
A,1D
A,1D
EN
A0/7}0
2
(B) 
Figura 1 
 
 
 A figura (B) apresenta uma memória com as mesmas características mas que utiliza 
uma mesma linha física (um pino do C. I.) como entrada e saída de dados (D0 a D3) que 
também podem ser referenciadas como I/O0 a I/O3 (entrada/saída 0 a 3). 
 
 Prefixos utilizados desde dezembro de 1998 (IEC) para multiplos binários: 
 
Fator Nome Símbolo Origem 2n Valor Derivação 
210 kibi Ki kilobinary (210)1 1.024 kilo (103)1 
220 mebi Mi megabinary (210)2 1,05e6 mega (103)2 
230 gibi Gi gigabinary (210)3 1,07e9 giga (103)3 
240 tebi Ti terabinary (210)4 1,10e12 tera (103)4 
250 pebi Pi petabinary (210)5 1,13e15 peta (103)5 
260 exbi Ei exabinary (210)6 1,15e18 exa (103)6 
 
 Doravante, então, ter-se-ão as seguintes denominações: 
 Um kibibit vale 1024 bits enquanto que um kilobit vale 1000 bits; 
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 Um GiB vale 1.073.741.824 Bytes enquanto um GB vale 1.000.000.000 Bytes. 
 
Ainda, para comparação, tem-se as seguintes unidades SI: 
 
Fator Nome Símbolo 
yocto y 10-24 
zepto z 10-21 
atto a 10-18 
femto f 10-15 
pico p 10-12 
nano n 10-9 
micro m 10-6 
mili m 10-3 
centi c 10-2 
deci d 10-1 
deka da 101 
hecto h 102 
kilo k 103 
mega M 106 
giga G 109 
tera T 1012 
peta P 1015 
exa E 1018 
zetta Z 1021 
yotta Y 1024 
 
Algumas Definições: 
 
Tempo de acesso: tempo necessário para se acessar o dado desde o instante em que a 
busca começa até o instante em que os dados estão estáveis no barramento e podem ser 
lidos. 
Taxa de transferência.- velocidade com que os dados podem ser transferidos de ou para 
um dispositivo de amazenamento de dados. 
Confiabilidade: A confiabilidade é maior quanto menor for a taxa de falhas típica. 
Capacidade de memória: é o número total de bits que o dispositivo pode armazenar. Pode 
ser expresso de várias formas: ex.- 2048 bits; 2kb ou 256 Bytes. 
Organização de memória: é a maneira com que os bits estão organizados na memória. 
Geralmente é fornecido como sendo o número-de-posições-de-memória versus o-
número-de-bits-por-posição, como por exemplo 2kB, ou seja, 2x1024 Bytes ou 2048x8 
bits. 
Memórias voláteis: São memórias que perdem o conteúdo retido quando deixam de ser 
alimentadas (RAM’s). 
Memórias não voláteis: São memórias que retêm a informação mesmo quando não estão 
alimentadas (ROM’s). Dentre as memórias não voláteis, sobresai-se as memórias 
permanentes de computadores, que retêm programas de BIOS, SETUP e DIAGNÓSTICO 
fabricadas pelos AWARD, PHOENIX, AMI etc. 
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Terminologia em organização de memórias: 
 1k x 4 ® Diz respeito à organização, ou seja, existem (1k em informática, antes da 
norma IEC, era igual a 210 ou 1024) 1024 posições com uma palavra de 4 bits em cada uma 
(capacidade de 4096 bits). O termo correto agora seria 1kibi x 4, ou um kibinybble 
(quibinii’bôu). 
 
2. Características de Memórias 
 
2.1.Endereçamento 
 Para cada posição de memória deve haver uma linha de habilitação para possibilitar a 
escrita ou a leitura. Isto significa que se nenhum artifício fosse utilizado para fazer o 
endereçamento de uma memória com 64 posições, só para endereçamento seriam 
necessários 64 pinos. Para minimizar a estrutura externa de um C. I. de memória utiliza-se 
um decodificador interno que possibilita a habilitação de até 2n posições a partir de n pinos 
(linhas) externos para endereçamento. Na figura 2 (estrutura de uma RAM) pode-se 
observar a decodificação. 
 Somente um registrador (ou conjunto de registradores) estará habilitado por vez e 
consequentemente, somente uma única posição poderá. A cada instante, ser acessada para 
se efetuar a escrita ou a leitura de um dado ou conjunto de dados. 
 
*
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
& EN
registrador
A0
A1
A2
A3
DEC
DEC
 
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2.2. Operações de leitura e escrita 
 Para qualquer uma dessas operações primeiro deve-se colocar na linha de 
endereçamento a combinação de 0's e 1's que determina a posição em que se deseja 
escrever (ou de onde se deseja ler) um dado e em seguida habilitar a operação de escrita 
(ou leitura). 
 
3. RAM 
 -RAM (Random Access Memory) ® memória de acesso aleatório (acesso direto 
seria mais apropriado), isto é, a escrita ou leitura de um dado não precisa ser feita de 
maneira sequencial. Memórias tipo RAM são utilizadas para escrita e leitura de dados e são 
voláteis, ou seja, ao ser desenergizada perde a informação armazenada (pode ser 
contornado utilizando-se de um uninterruptable power supply (UPS) junto a mesma). É 
aplicada em sistemas digitais como memória de trabalho (como é o caso da memória RAM 
utilizada em microcomputadores onde será carregado programas executáveis, dados a 
serem computados, etc). 
 
3.1. Memórias RAM Estáticas e Dinâmicas 
 As memórias do tipo RAM podem ser estáticas (SRAM) ou dinâmicas (DRAM). 
Nas memórias estáticas as células de armazenamento são flip-flops do tipo D ou elementos 
biestáveis e uma vez escrito um dado, este permanece estável até que um outro dado seja 
escrito ou a alimentação seja retirada (por isso a denominação estática). Nas memórias do 
tipo dinâmica as células são microcapacitores (intrínsecos) que armazenam a informação 
em forma de carga capacitiva, isto é, se o capacitor estiver carregado tem-se nível lógico 1, 
se estiver descarregado tem-se nível lógico 0. Este tipo de memória exige um processo 
chamado refresh (recarga ou refrescamento de memória) em função do fato de que um 
capacitor dentro de um circuito integrado perder sua carga através de acoplamentos 
resistivos e capacitivos com os substratos ao seu redor. O processo de refresh consiste na 
verificação periódica da carga do capacitor (tipicamente umas 67000 vezes por segundo), 
caso esteja acima de um nível (limiar de nível 1) o capacitor é recarregado, caso esteja 
abaixo de um nível menor que o anterior (limiar de nível 0) não é refeita a carga, isto é, 
assume-se que a informação que estava armazenada era um "0". 
As RAMs estáticas são usadas como CACHE porque são mais rápidas, com tempos de 
acesso típicos de 8 a 15 ns, enquanto nas DRAMs tem-se tempos de 50 a 60 ns. As DRAMs 
podem ser integradas em grande escala e são muito mais baratas, razões pelas quais são 
estas as usadas para a memória de trabalho do micro-computador. 
 
3.1.1. Padrões de encapsulamento 
 
 SIMM, Single Inline Memory Module 
 8bits 30 pinos 16MB máximo 
 16bits 72 pinos 64MB máximos 
 
 DIMM Dual Inline Memory Module 
 64 bits 168 pinos 512MB máximos 
 
3.1.2. Memórias Cache 
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 As memórias Cache são do tipo DRAM e podem ser internas (nível 1) ou externas 
(nivel 2). A principal diferença e que a interna trabalha com o clock interno do 
microprocessador e a externa trabalha com o clock externo. Por exemplo, um K6-II 450 
MHz tem clock interno de 450 MHz e externo de 100 MHz, com fator multiplicativo de 
4,5. A Cache externa trabalha 4,5 vezes mais lentamente que a interna, neste caso. 
 
3.1.3. Memórias Tag 
 São memórias (Chips de memória) cuja função é a de servirem de diretória para uma 
memória Cache ou para um pente de memória. 
 
3.2. Estrutura básica de uma memória RAM 
 A figura abaixo apresenta a estrutura básica de uma memória RAM com 16 células 
de armazenamento e com buffers para os dados de saída. Como exercício, desenhar um 
sistema de endereçamento para a) 2x8; 
 
 
 
 
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C 
 
 
 
 
b) 4x4 e 
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C 
c) 8x2. 
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D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C
D Q
D Q
D Q
D Q
EN
EN
EN
EN
C
C
C
C 
 
 
 
RAM estática 6116. 
 
 
3. ROM, PROM, EPROM, EEPROM e FLASH 
 
 -ROM (Read Only Memory) ® memória somente para leitura. Este tipo de 
memória não é volátil (pode-se dezenergizá-la sem perder a informação armazenada), e é 
utilizada para o armazenamento de programas e dados que serão utilizados continuamente 
em um sistema sem a necessidade de alteração, como é o caso do programa BIOS (Basic 
Input Output System) de um computador. O programa armazenado não necessita ser 
carregado toda vez que se liga o sistema. A evolução deste tipo de memória deu origem às 
memórias dos tipos PROM, EPROM, EEPROM e FLASH, discutidas mais adiante. 
0
10
SRAM
A0/2047
[PWRDWM]
G1
G2
1,2EN [read]
1C3 [write]
A,3D A,Z4
4
A0
A10
.
.
.
PWRDWN/CS
OE
R/W
SRAM 6116
2K X 8
I/O0
I/O7
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3.1. ROM programada por máscara 
 
 ROM "programada" pelo fabricante. Quando se deseja uma ROM, estabelece-se o 
programa interno e encomenda-se o dispositivo ao fabricante. O fabricante criará então 
uma máscara que determinará as conexões elétricas de uma matriz de elementos 
semicondutores (diodos fusíveis) para produzir o chip encomendado. Este processo é caro, 
sendo viável somente para construção em larga escala. 
 
3.2. ROM programável (PROM) 
 
 A PROM é uma ROM programável uma única vez, pelo usuário. Este tipo de 
memória é comprada virgem e o usuário efetua a gravação através de um gravador de 
PROMs. A memória é uma matriz de diodos e a gravação mantém ou queima um "diodo-
fusível" desta matriz padrão, conforme se queira o 1 ou o 0numa determinada posição.. 
Exemplos Comerciais: 74186 (64x8) ® tempo de acesso » 50 ns; 
 TMS27C256 (32kx8) ® tempo de acesso » 120 a 250 ns; 
 
 
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V
D0D1
A0
A1
D3 D2 
 
3.3. ROM programável Apagável (EPROM) 
 
 A EPROM é o tipo de ROM mais utilizada. Igualmente à PROM, é uma matriz 
virgem que pode ser gravada. A diferença é que ela pode ser “apagada” (ou recondicionada 
ao seu estado “virgem”) através de radiação ultravioleta (UV). Esta memória tem uma 
janela de quartzo, transparente ao UV, para este fim. Num dia ensolarado de verão, com Sol 
do meio dia, pode-se apagar uma EPROM em uns vinte minutos, se esta for colocada sob os 
raios do Sol. Normalmente são utilizadas lâmpadas fluorescentes sem a camada de cristais 
de fósforo para apagar EPROMS. O tempo típico de apagamento através de um dispositivo 
apagador de EPROMs é de 15 a 20 minutos. 
 
 
Existem vários e baratos dispositivos no mercado capazes de gravarem os mais 
variados tipos de EPROM. Esta memória é por definição somente para leitura e sua 
gravação inicial é efetuada através de tensões bem acima de sua tensão nominal de 
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funcionamento (5V). É muito importante saber a tensão exata de gravação de uma memória. 
Tipicamente a tensão tem passos de 0,5 volts e vai de 8 a 28 volts. Atualmente esta tensão 
tende a ficar num valor padronizado pela maioria dos fabricantes, mas ainda existem muitos 
problemas de diferenças de tensões de gravação. 
 
3.4.1. ROM programável apagável eletricamente (EEPROM=E2PROM) 
 
 É idêntica à EPROM, com a vantagem adicional poder ser apagada ou reprogramada 
eletricamente. Muito utilizada em sistemas de BIOS juntamente com as RAMs-não-
voláteis. 
 
3.4.2. FLASH 
 
 São memórias permanentes utilizadas geralmente em computadores e no interior de 
microcontroladores, cuja função é a de guardar os programas principais das máquinas. Ao 
contrário das outras ROM’s, esta pode funcionar com tensão de gravação de 5,0 volts. 
 
3.5. Aplicações: 
a) FirmWare; b) BootStrap; c) Tabela de Dados; d) Conversores de Dados; e) Geradores de 
caracteres; f) Geradores de funções etc. 
 
3.6. Memórias: algumas definições e comentários: 
 
Acessar uma memória em estado sólido é mais rápido do que acessar um disco 
rígido. O comum é passar arquivos muito acessados para memória em estado sólido e 
deixar outros arquivos em disco (CDs etc). Um índice é um bom exemplo de um arquivo 
muito acessado. 
 Por exemplo, um processamento de vídeo com 30 frames por segundo requer 
aproximadamente 27MB/s; alta resolução (1280x1024) aproximadamente 120 MB/s e alta 
definição, cerca de 190 MB/s. 
 
As DRAMs representam 50-80% do custo total de um sistema de memória. A 
capacidade da DRAM tem se quadruplicado a cada 3 anos. Neste passo, em 2002 uma 
simples DRAM terá capacidade de 1Gbit. O preco por bit está caindo 30% a cada ano. 
A RAM pode ser comparada com a memória de curto termo dos humanos e o HD a 
memória de longo termo 
 
Comparar capacidades atuais de HD e MEMÓRIAS 
 início dos anos 90 50USD/1MB 
 out/2000 66USD/64MB 
 dez/2001 33USD/128MB 
 ou seja, em uma década as memórias de massa ficaram quase 200 vezes mais baratas. 
 
Comumente um computador tem uns 64 MB de RAM mas pode-se acrescentar mais, 
conforme o desejo do usuário e a capacidade da placa. Quando se tem mais memória, o 
sistema precisa executar menos vezes as operações de busca de dados no HD, atividade 
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muito mais lenta que o acesso à memória. Por este motivo é que os programas são 
transferidos para a RAM para serem processados. 
 
O termo memória de acesso direto seria mais apropriado do que acesso aleatório. A própria 
IBM prefere o primeiro ao segundo. 
 
As memórias do tipo ROM, PROM, EPROM são mais caras e, por isso, existem em menor 
quantidade no computador. Num computador existe somente a quantidade de ROM (não é 
volátil) suficiente para conter um programa que faça o sistema operacional ser carregado 
(do disco) para a RAM, toda vez que o computador é ligado. 
 
A SRAM é mais cara, 4 vezes mais volumosa, não precisa de refresh, seu acesso é no pior 
caso em 25ns e a DRAM é de 60 ns (atualmente as velocidades absolutas mudam muito 
mais rapidamente do que a relação de velocidades. A memória PC 133 já funciona com 
tempos de acesso da ordem de 7,5 ns). A DRAM é mais barata e por isso mais utilizada nos 
computadores, mesmo sendo quase três vezes mais lenta. 
A SRAM é usada principalmente para caches de nível 1 (embarcada no chip do 
microprocessador) e 2 (primeiro nível da memória RAM externa), onde o 
microprocessador olha antes de procurar na DRAM 
Burst or SynchBurst SRAM (sincronizada com o sistema de clock) facilita a sincronização 
com os dispositivos que a acessam 
Fast page mode DRAM (FPM DRAM). Page mode DRAM essencialmente acessa uma 
fileira (linha ou conjunto) de RAM acessando-a sem ter que continuamente ficar 
reespecificando esta linha. Ou fileira. Row access strobe (RAS) do conjunto fica ativo 
enquanto o column access strobe (CAS) é acionado para captura do dado. Isto reduz o 
tempo de acesso e a potência requerida 
Enhanced DRAM (EDRAM) (uma combinação de DRAM e SRAM usada para cache (nivel 
2) Neste caso, o processador procura primeiro no banco estático (tipicamente 256B) e se 
não acha lá vai procurar na parte dinâmica, 3 vezes mais lenta. 
Extended Data Output RAM ou DRAM (EDO RAM ou EDO DRAM) 
Cerca de 25% mais rápida que a DRAM normal, reduz a necessidade de memórias (de nivel 
2) cache. 
Burst Extended Data Output DRAM (BEDO DRAM) um pouco mais lenta no acesso da 
fileira que a FPM DRAM, mas mais rápida depois, na hora do acesso a dados da mesma 
fileira. Não é muito usada. 
Ram não volátil (NVRAM) alimentada por uma bateria do computador ou internada no 
encapsulamento. 
Synchronous DRAM (SDRAM) nome genérico dado a DRAMs que estão sincronizadas 
com o mesmo clock que o processador está usando externamente. Isto aumenta o número 
de instruções que o processador pode efetuar num dado tempo. Neste tipo, era comum 
falar-se de RAMs de 83 MHz no lugar das de 12 ns, pois a frequência externa do 
processador era a informação mais relevante. 
Double data rate SDRAM teoricamente aumenta a velocidade de uma PC100 para 
200MHz. Seria acionada tanto pela borda de subida quanto pela de descida do clock, 
dobrando assim sua velocidade. 
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Video RAM: RAM utilizada para armazenar dados de imagem do monitor de vídeo. 
(VRAM). Todos os tipos de VRAM são arranjos especiais de DRAM. É, de fato, um buffer 
entre o processador e o monitor, chamado de frame buffer. O processador primeiramente 
lê os dados de imagem da RAM principal e passa pra a VRAM e daí os dados são 
processados pela RAM DAC (veja abaixo) e passados para o monitor de video. Da VRAM, 
os dados são convertidos por uma RAM digital-to-analog converter (RAMDAC) que são 
enviados para o tubo de raios catódicos. Usualmente vêm em forma de 1 ou 2 MBytes. A 
maioria da VRAM são dual-ported (podem ser acessadas por dois sistemas separados de 
endereçamento), enquanto o processador está escrevendo uma nova imagem na VRAM, o 
sistema de display está lendo do vídeo para efetuar um refresh no conteúdo atual do display. 
O design dual-port é a principal diferença entre VRAM e a RAM. 
Digital-to-Analogic Converter RAMDAC éum microchip que transforma imagem digital 
em informação analógica necessária ao sistema de display. Combina uma pequena SRAM 
contendo uma tabela de cores com três conversores D/A (DACs) (red, green, blue) cujas 
saídas analógicas excitam o tubo de imagem. 
Syncronous Graphics RAM (SGRAM) usada para memória de video. 
Flash RAM. Tipo de RAM não volátil, como uma EEPROM. Geralmente usado para 
guardar códigos como o Basic Input-Output System (BIOS), usadas também em celulares, 
câmeras digitais, PC cards para notebooks etc. 
 
 
Texto: 
Bertoldo Schneider Jr. 
Fábio Kurt Schneider 
Colaborador: material coletado:Valfredo Pila.