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Questão 05: Escolha a alternativa que complete a frase corretamente: "A junção das pastilhas semicondutoras de silício, tipo-N e tipo-P, promovem o surgimento de um componente eletrônico denominado _______________ e que entra em condução direta quando a tensão da camada de depleção é rompida por uma diferença de potencial aplicada entre ___________ e _____________" Questão 12: Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui sua rede de átomos cristalina inserida com a presença de átomos pentavalentes ou trivalentes em suas ligações, do tipo covalentes, permitindo a presença de elétrons livres ou a ausência deles (buracos)" Questão 14: Na configuração de coletor-comum, quanto maior a tensão coletor-emissor _____________ a corrente de coletor. Complete a frase com uma das alternativas. Questão 18: Dado o circuito abaixo, escolha a alternativa que corresponde, respectivamente a: a) tensão média na carga b) corrente média na carga c) tensão média na carga d) tensão eficaz na carga e) frequência do sinal na carga Questão 19: Considere uma fonte de 9VDC ligada a um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência? Questão 20: Observe o gráfico abaixo e escolha a alternativa que contempla a região em que o TJB pode trabalhar como saturação. Questão 21: Escolha a alternativa que representa, respectivamente, os nomes das regiões indicadas por A, B e C: Questão 32: Escolha a alternativa abaixo que representa o valor aproximado da corrente de coletor para VCE = 10V e Ib = 40uA Questão 04: Escolha a alternativa correta para a frase: "Na condução direta do diodo de silício a camada de depleção não se altera de tamanho fazendo com que os elétrons percorram as pastilhas por meio de diversas recombinações com lacunas/buracos através do sentido ____________ da corrente elétrica"
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