Avaliação II - Individual - EAI

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GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:1632911)
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Prova 123731986
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 10/0
Nota 10,00
Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. 
Seu uso mais comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças a sua 
capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. 
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser 
constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma 
camada de material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de 
material semicondutor do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo 
chamado de transistor pnp).
II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles 
contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto 
elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores 
tripolares de junção pois têm três pernas.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e II estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
D As sentenças II e III estão corretas.
O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em 
circuitos eletrônicos e em chips de computador. Com base nesse contexto, analise as sentenças a 
seguir:
I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a 
troca de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos 
tipos possui uma polarização característica. 
II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente 
polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação à 
base e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base.
III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores 
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tetrapolares de junção pois têm quatro pernas.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e II estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças II e III estão corretas.
D As sentenças I e III estão corretas.
O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados 
Unidos na década de 1950, tornando-a uma das mais promissoras do mundo até hoje. Essa região 
abrigou e abriga as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores, como Intel, 
AMD, Dell, IBM e Apple, e depois de softwares que iriam executar nesses computadores, como 
Microsoft, Oracle e Google. Essa região é chamada de Vale do Silício. O silício possui várias 
aplicações nos componentes semicondutores em eletrônica, uma das suas aplicações se dá nos 
diversos tipos de transistores. Um dos TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração base-
comum. Com base nessa configuração base-comum dos TBJs, analise as sentenças a seguir:
I- O nome base-comum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a 
ambas), além disso, normalmente possui o menor potencial, próximo ao terra, quando não está 
efetivamente conectada ao terra. 
II- Por convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional de elétrons, e não ao 
fluxo de lacunas, deste modo, para um TBJ, a seta define a direção da corrente de emissor (fluxo 
convencional).
III- Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos 
de curvas características, um que represente a saída e um que represente a entrada (ou o 
acionamento).
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B As sentenças I e II estão corretas.
C As sentenças I e III estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.
Fontes e espelhos de corrente são subcircuitos eletrônicos que funcionam como cargas ativas 
em arquiteturas analógicas modernas. Podem ser construídas com transistores de efeito de campo, 
JFET ou MOS, ou com transistores bipolares, BJT. Com base no exposto, assinale a alternativa 
CORRETA:
A
Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de Foucault para
um ou mais ramos, criando correntes de condução com valores iguais ou proporcionais ao da
corrente Foucault.
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B
Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de referência para
um ou mais ramos, criando correntes de espelhamento com valores iguais ou proporcionais ao
da corrente de referência.
C
Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente eddy para um ou
mais ramos, criando correntes alternadas com valores iguais ou proporcionais ao da corrente
eddy.
D
Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de condução para
um ou mais ramos, criando correntes contínuas com valores iguais ou proporcionais ao da
corrente de condução.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através 
da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor 
para realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e 
selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o sistema 
montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível 
realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter
apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto
que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto
que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter
apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se 
assemelham tanto quanto possível ao funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob 
condições específicas de operação. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
modelo ra, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
B Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
modelo re, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
C Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
modelo rh, o modelo pi híbrido e o modelo hibrido equivalente.
D Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
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modelo ry, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um dispositivo 
semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um JFET com uma junção Schottky 
(metal - semicondutor) em vez de uma junção p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos 
em tecnologias de semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, 
como arseneto de gálio, fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais rápidos, e mais caros 
do que JFETs ou MOSFETsbaseados em silício. Os MESFETs de produção são operados até 
aproximadamente 45 GHz, e são comumente usados para radares e comunicações de frequência de 
microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 e, um ano depois, seu 
desempenho de microondas RF de frequência extremamente alta foi demonstrado. Com base nesse 
contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal 
como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo 
n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências 
que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito 
de campo metal-semicondutor (MESFETs).
( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no 
MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET 
tipo depleção, porém sem o de canal p.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B V - V - F - F.
C V - F - V - F.
D F - V - V - F.
Os transistores são capazes de atuar como controlador de corrente, o que lhe possibilita ser 
utilizado como amplificações de sinais em equipamentos de som e imagem, ou como chave 
eletrônica para processamento de sinais em controles industriais, calculadoras, máquinas, 
computadores, entre outros.
Os transistores são divididos basicamente em três grupos:
- Transistores bipolares: são divididos entre NPN e PNP.
- Transistores unipolares: transistor de unijunção (UJT).
- Transistores de efeito de campo: são divididos entre FET e MOSFET (Metal Oxide 
Semicondutor Field Effect Transistor).
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
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A
A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir
correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto,
quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC
será o mesmo.
B
A análise CC do MOSFET nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir
correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto,
quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos, o circuito CA
será o mesmo.
C
A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir
correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto,
quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o
circuito CA será o mesmo.
D
A análise CA do JFET nas configurações npnp e pnpn são bem diferentes devido a possuir
correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto,
quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC
será o mesmo.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através 
da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor 
para realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e 
selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 10 kohms. Com o sistema 
montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível 
realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.
Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter
apagado. Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.
Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no
multímetro será de 69,43 mA.
O transistor PNP possui suas junções PN uma voltada contra a outra, com o cristal N 
(negativo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) 
PNP. Esse é acionado com carga negativa em relação ao emissor. Com base nesse contexto, analise 
as sentenças a seguir:
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I- A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o transistor npn. 
Primeiramente o valor de IB é determinado e, em seguida, aplicamos as relações apropriadas ao 
transistor e obtemos os restantes das incógnitas necessárias. 
II- Ao se observar as equações resultantes é possível perceber que a diferença entre a utilização de 
um transistor npn por um pnp será o sinal associado a algumas quantidades específicas.
III- O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) 
para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é 
acionado com carga positiva em relação ao emissor.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças I e II estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.
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