Materiais Elétricos

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	Avaliação: CCE0252_AV1_201201225442 » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV1 
	Aluno: 201201225442 - DANIEL PAIVA CORREA 
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9001/A
	Nota da Prova: 3,0 de 8,0        Nota do Trabalho:        Nota de Participação: 2        Data: 15/04/2013 08:10:52
	
	 1a Questão (Cód.: 86563)
	5a sem.: Propriedade dos Materiais Elétricos
	Pontos: 0,0  / 0,5 
	O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
 
		
	
	Quadrática
	
	Logarítmica
	
	Linear
	
	Trigonométrica
	
	Exponencial 
 
	
	
	 2a Questão (Cód.: 160235)
	2a sem.: Propriedades dos Materiais Elétricos e Semicondutividade
	Pontos: 0,0  / 1,0 
	A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
		
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga. 
	
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. 
	
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material. 
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material. 
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n. 
	
	
	 3a Questão (Cód.: 160286)
	4a sem.: Semicondutividade (parte 2)
	Pontos: 0,0  / 1,0 
	Os semicondutores extrínsecos são essenciais para a fabricação de microcomponentes utilizados na eletrônica moderna. O semicondutores extrínsecos de Silício podem ser obtidos a partir da dopagem do mesmo com átomos de Boro ou de Fósforo, dependendo da intenção de se "produzirem" buracos ou elétrons como portadores de carga.
Entre as expressões a seguir, qual está relacionada a um experimento que determine a concentração de cargas por m3.
		
	
	V=R.i
	
	VH=(RH.Ix.Bz) / d
	
	
V=N.i.IeI.e
	
	i=N.IeI.e + PIeI.P
	
	
=R A/l
	
	
	 4a Questão (Cód.: 8310)
	3a sem.: Segunda Lei de Ohm
	Pontos: 0,0  / 0,5 
	A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3  oC-1).
		
	
	6,8 Ω
	
	4,35 Ω
	
	4,19 Ω
	
	3,89 Ω
	
	3,4 Ω
	
	
	 5a Questão (Cód.: 99583)
	1a sem.: Condutores
	Pontos: 0,0  / 1,0 
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,19 cm2
	
	0,27 cm2
	
	0,23 cm2
	
	0,21 cm2
	
	0,25 cm2
	
	
	 6a Questão (Cód.: 160245)
	3a sem.: Semicondutividade (parte 1)
	Pontos: 0,5  / 0,5 
	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
		
	
	Elipse. 
	
	Círculo. 
	
	Hipérbole. 
	
	Reta. 
	
	Parábola.
	
	
	 7a Questão (Cód.: 98327)
	5a sem.: Condutores
	Pontos: 0,0  / 1,0 
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m. 
		
	
	6,4 V
	
	1,2 V
	
	640 mV
	
	64 mV
	
	120 mV
	
	
	 8a Questão (Cód.: 160210)
	1a sem.: Propriedades dos Materiais Elétricos
	Pontos: 1,0  / 1,0 
	Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
		
	
	V=N.i.E 
	
	V=R i.A/l 
	
	V=R.i 
	
	P=U.i 
	
	F=m.a 
	
	
	 9a Questão (Cód.: 160288)
	4a sem.: Semicondutividade (parte 2)
	Pontos: 1,0  / 1,0 
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
	
	
	 10a Questão (Cód.: 160239)
	3a sem.: Semicondutividade (parte 1)
	Pontos: 0,5  / 0,5 
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
		
	
	
σ = 2 P ІeІ µh 
	
	
σ = N ІeІ µh. 
	
	σ = P ІeІ µh.
	
	
A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	
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	Avaliação: CCE0252_AV2_201201225442 » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV2 
	Aluno: 201201225442 - DANIEL PAIVA CORREA 
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9001/A
	Nota da Prova: 4,0 de 8,0        Nota do Trabalho:        Nota de Participação: 2        Data: 07/06/2013 20:11:35
	
	 1a Questão (Cód.: 160331)
	6a sem.: Comportamento elétrico dos materiais isolantes
	Pontos: 1,0  / 1,0 
	Está provado que correntes superiores a 20mA são capazes de causar paradas respiratórias, conduzindo algumas vezes a morte. 
Um dos objetivos de se utilizar equipamento de proteção individual composto de materiais isolantes elétricos é evitar este tipo de acidente. 
Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente só apresenta materiais isolantes elétricos.
		
	
	Silício, Prata, água pura salgada. 
	
	Ferro, madeira porosa e borracha. 
	
	Madeira, borracha, Platina e isopor. 
	
	Borracha, isopor, madeira e cerâmica genérica.
	
	Cobre, Ouro Níquel e Nitrato de Manganês. 
	
	
	 2a Questão (Cód.: 160338)
	7a sem.: Ferroeletricidade e piezoeletricidade e Características dos Fios e Cabos Telefônicos
	Pontos: 1,0  / 1,0 
	Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico. Define-se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por C=0(A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e o é a permissividade do vácuo. 
Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor com r =2 e l=1mm quando for utilizado um dielétrico de r =4, considerando-se que a capacitância não deve ser alterada.
		
	
	2 mm
	
	1 mm 
	
	4 mm 
	
	2,5 mm 
	
	0,5 mm 
	
	
	 3a Questão (Cód.: 160613)
	8a sem.: Ferroeletricidade e piezoeletricidade e Características dos Fios e Cabos Telefônicos
	Pontos: 0,0  / 0,5 
	O titanato de bário, mostrado na figura a seguir, é um material que apresenta polarização espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, este material apresenta dipolos elétricos. 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Com relação a este tipo material, podemos afirmar:
 
 
		
	
	São denominados de diamagnéticos. 
	
	São denominados de ferromagnéticos. 
	
	São denominados de ferroelétricos.
	
	São denominados de ferrimagnéticos. 
	
	São denominados de magnéticos. 
	
	
	 4a Questão (Cód.: 160626)
	9a sem.: Características dos Cabos Metálicos para transmissão de dados em redes locais, Cabos Coaxiais e Fibras Ópticas
	Pontos: 0,0  / 0,5 
	Diversos materiais exibem a propriedade de manter a polarização elétrica a nível microsestrutural na ausência de campos elétricos externos, tais como o sal de Rochelle, o di-hidrogeno fosfato de potássio, o niobato de potássio entre outros. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Com relação a estes materiais, podemos afirmar:
		
	
	São denominados ferroelétricos.
	
	São denominados ferrimagnéticos. 
	
	São denominados diaelétricos. 
	
	São denominados paramagnéticos. 
	
	São denominados ferromagnéticos.
	
	
	 5a Questão (Cód.: 160624)
	10a sem.: Características dos Cabos Metálicos para transmissão de dados em redes locais, Cabos Coaxiais e Fibras Ópticas
	Pontos: 0,5  / 0,5 
	A utilização de fibras óticas na transmissão de dados apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relação ao material metálico que normalmente era utilizado, o Cobre.
O gráfico a seguir contém informações quanto às bandas de freqüência utilizadas.
 
Podemos afirmar que:
		
	
	Na frequência média de 1,3 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,3.
	
	Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8. 
	
	Na frequência média de 1,55 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	
	 6a Questão (Cód.: 160650)
	11a sem.: Resistores
	Pontos: 0,5  / 0,5 
	Os resistores são componentes eletrônicos que transformam energia elétrica em calo. Isto ocorre porque durante a movimentação dos elétrons ao longo do volume do material condutor, ocorrem milhares de choques com as diversas estruturas (discordâncias, inclusões, contornos de grão etc) e partículas que compõem o material (prótons, nêutrons e elétrons). Ao colidirem com as estruturas e partículas que compõem o condutor, os elétrons transferem parte de sua energia cinética, aumentando o estado vibratório de toda rede "cristalina" que constitui o material, o que se traduz em aumento de temperatura. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20).
Com relação aos tipos de resistores, podemos afirmar, com exceção de:
		
	
	Os resistores ajustáveis são resistores que possuem o valor da resistência previamente determinados pelo fabricante antes da operação, podendo ser modificado posteriormente. 
	
	A produção de calor é tanto maior quanto maior for a resistência interna do material a passagem de elétrons. 
	
	Os defeitos na rede cristalina de um condutor não interferem no valor da resistividade, uma vez que possuem ordem de grandeza inferior ao tamanho do elétron.
	
	Os resistores variáveis possuem uma variação conhecida no valor da resistência durante a operação. Esta variação pode ser linear, logarítmica ou seguir outro padrão matemático de variação. 
	
	Os resistores fixos possuem um valor da resistência fixo durante a operação. 
	
	
	 7a Questão (Cód.: 86555)
	3a sem.: Materiais Elétricos
	Pontos: 1,0  / 1,0 
	Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
		
	
	Resistência
	
	 Resistividade
	
	Indutância
	
	Condutância
	
	Condutividade
	
	
	 8a Questão (Cód.: 160211)
	1a sem.: Propriedades dos Materiais Elétricos
	Pontos: 0,0  / 1,0 
	Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade de Munique, publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi somente nas décadas seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4).
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade:
		
	
	V=R i.A/l
	
	P=U.i 
	
	F=m.a
	
	V=R.i
	
	V=N.i.E 
	
	
	 9a Questão (Cód.: 160286)
	4a sem.: Semicondutividade (parte 2)
	Pontos: 0,0  / 1,0 
	Os semicondutores extrínsecos são essenciais para a fabricação de microcomponentes utilizados na eletrônica moderna. O semicondutores extrínsecos de Silício podem ser obtidos a partir da dopagem do mesmo com átomos de Boro ou de Fósforo, dependendo da intenção de se "produzirem" buracos ou elétrons como portadores de carga.
Entre as expressões a seguir, qual está relacionada a um experimento que determine a concentração de cargas por m3.
		
	
	
V=N.i.IeI.e
	
	i=N.IeI.e + PIeI.P
	
	V=R.i
	
	VH=(RH.Ix.Bz) / d
	
	
=R A/l
	
	
	 10a Questão (Cód.: 13512)
	5a sem.: Lei de Ohm
	Pontos: 0,0  / 1,0 
	Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmicado mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 
		
	
	13,5 m
	
	5 m 
	
	10 m
	
	12 m
	
	15 m