TRABALHO ELETRONICA

Prévia do material em texto

Faculdade de Tecnologia ENSITEC
Tecnologia em mecatrônica industrial
Credenciada pela Portaria MEC n.º 72/2004 DOU 14/01/2004
Eletrônica Analógica
Rosado, Alexandre Ferreira - Ensitec
AlexadreRosadoF@gmail.com
Tecnologia em mecatrônica industrial
Terceiro Semestre Eletrônica Analógica
Orientado por: Marcos Rocha 
 
Introdução
Esse projeto, visa passar desde a parte teórica, de componentes eletrônicos como diodos e transistores, até mesmo a parte pratica, ou seja, como podemos usar esses componentes, para gerar aplicações práticas, como uma fonte variável simétrica de energia. A famosa fonte de bancada, muito usadas em qualquer projeto envolvendo a Eletrônica.
Irei começar pela, estruturas dos materiais semicondutores, passando pelos diodos e diodos especiais, tipos de retificações, filtros para fontes de alimentação e posteriormente irei falar do efeito “transistor”, como são compostos, como se comportam. E finalmente irei apresentar nosso projeto de fonte simétrica. Para a fonte utilizamos um Trafo 127:12, alguns diodos para fazer uma ponte retificada, diodos zeners para regular a tensão, transistores, lieds, resistores, capacitores, potenciômetros e também fizemos nossa própria placa, montamos a trilha e corroemos obtendo um resultado satisfatório. 
Palavras-chave: Eletrônica Analógica, Diodos, Transistores, Fonte simétrica, Retificação
Resumo
Analisando as propriedades de materiais semicondutores, nota-se que o número de elétrons ou lacunas em um semicondutor, cresce com o aumento do número de átomos de impurezas introduzidas no cristal.
Com o aumento do número de portadores de carga, aumenta-se a condutividade elétrica do material. Dessa forma, torna-se possível alterar de forma controlada a condutividade elétrica de um semicondutor, efetuando-se a dosagem adequada da quantidade de dopagem do cristal durante a etapa de fabricação.
Essa característica de controle externo de condutividade possibilita o uso de cristais semicondutores como matéria prima na fabricação de componentes eletrônicos, como diodos, transistores e circuitos integrados.
Assim podemos entender seu funcionamento e manipula-lo para um melhor uso. Sabendo desse tipo de manipulação podemos buscar reações especificas como amplificar, condicionar, regular e até mesmo diminuir um sinal. Podemos assim formar desde imagens até mesmo efeitos sonoros, e também adaptarmos ao nosso uso esses componentes que facilitam nossa vida.
Materiais Semicondutores
Física dos semicondutores 1.1
Alguns materiais apresentam propriedades de condução elétrica intermediárias entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais materiais são denominados de semicondutores.
Os materiais semicondutores mais simples são constituídos de átomos de um único elemento químico com quatro elétrons na camada de valência, ou seja, átomos tetravalentes.
Dois átomos, tetravalentes, bastante utilizados em materiais semicondutores são o germânio (Ge) e silício (Si). 
Os átomos que têm quatro elétrons na camada de valência tendem a se arranjar formando uma estrutura ou rede cristalina com átomos vizinhos compartilhando seus elétrons de valência.
Dopagem 1.2
A dopagem é um processo químico no qual
Átomos estranhos são introduzidos na estrutura
Cristalina de uma substância.
Em um cristal semicondutor a dopagem é geralmente realizada para alterar suas propriedades elétricas.
Existem dois tipos de materiais semicondutores, tipo N e tipo P, que dependem do tipo de impureza introduzida na rede.
Semicondutor tipo N:
Insere-se na estrutura cristalina, átomos contendo excesso de um elétron de valência em relação aos átomos da rede.
Semicondutor tipo P:
Insere-se na estrutura cristalina, átomos com a deficiência de um elétron em relação aos átomos da rede.
Diodo Semicondutor 1.3
O diodo semicondutor é um componente que pode comportar-se como condutor ou isolante elétrico, dependendo da forma como a tensão é aplicada aos seus terminais. Essa característica permite que o diodo semicondutor possa ser utilizado em diversas aplicações, como, por exemplo, na transformação de corrente alternada em corrente contínua.
Um diodo semicondutor é formado a partir da junção entre um semicondutor tipo P e um semicondutor tipo N.
O diodo semicondutor é representado em diagramas de circuitos eletrônicos pelo símbolo:
 O terminal da seta representa o material P, denominado de anodo do diodo, enquanto o terminal da barra representa o material N, denominado de catodo do diodo.
A aplicação de tensão sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. A tensão pode ser aplicada ao diodo pela polarização direta ou pela polarização inversa do componente.
Polarização direta é uma condição que ocorre quando o lado P é submetido a um potencial positivo relativo ao lado N do diodo.
Nessa situação, o polo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direção ao polo negativo, enquanto os elétrons livres do lado N são repelidos do polo negativo em direção ao polo positivo. A polarização inversa de um diodo ocorre quando o lado N fica submetido a um potencial positivo relativo ao lado P do componente.
Nessa situação, os polos da fonte externa atraem os portadores livres majoritários em cada lado da junção; ou seja, elétrons do lado N e lacunas do lado P são afastados das proximidades da junção, no caso do diodo semicondutor, em nível técnico, utilizam-se duas modelagens: o diodo ideal e o diodo semi-ideal.
Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta características ideais de condução e bloqueio. Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente elétrica sem apresentar resistência, comportando-se como um interruptor fechado. O interruptor fechado é, portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal em condução.
Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O interruptor aberto é, portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal na condição de corte.
Polarização Direta
Com respeito às características de condução do diodo semicondutor, deve-se levar em conta que o diodo entra em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão da fonte externa atinge um valor ligeiramente superior ao valor da barreira de potencial.
Polarização Reversa
Sempre existe uma corrente de fuga, quando o diodo é inversamente polarizado, correspondendo à passagem de portadores minoritários através da junção.
Circuitos Reguladores
Diodos especiais 2.1
Diodo Zener é um dispositivo semicondutor especialmente projetado para operar na região reversa ou reversamente polarizado. Tal como o diodo retificador ele é formado por um Junção PN. O físico responsável pela descoberta dessa propriedade foi Clarence Zener (1905-1993), e o nome do diodo zener é uma homenagem a esse cientista. O Funcionamento desse dispositivo está relacionado a dois fenômenos: efeito Zener e o efeito avalanche.
Funcionamento do Diodo Zener
Os diodos quando reversamente polarizados possuem uma corrente de fuga divido aos portadores minoritários, porém essa corrente tem valores muito pequenos para serem consideradas. Entretanto quando a diferença de potência entre os terminais do diodo reversamente polarizado atingem um valor da tensão de ruptura, ocorre um aumento abruto da corrente reversa e a destruição do dispositivo devido a elevada dissipação de energia (efeito Joule). Nos diodos zener corre a mesma coisa, porém esse componente semicondutor é fortemente dopado o que torna a tensão de ruptura (Vz) bem menor que nos diodos convencionais (zona de trabalho, figura ao lado), da mesma forma a área da junção é aumentada o que facilita a dissipação da potência.
Circuito com DiodoZener
A bateria é responsável por fornecer a energia do circuito composto pelos Resistores R e Rc e o Diodo zener. O Resistor R tem a função de limitar a corrente Iz a valores designados pelo fabricante e o resistor Rc é a carga
Efeito de zener
Ao polarizar um diodo zener com uma tensão reversa igual a Vz há o rompimento das ligações covalentes no semicondutor, esse efeito se chama ruptura zener e depende do grau de dopagem do material semicondutor.
	
Circuitos Retificadores
A tensão fornecida pela concessionária de energia elétrica é alternada ao passo que os dispositivos eletrônicos operam com tensão contínua. Então é necessário retificá-la e isto é feito através dos circuitos retificadores que convertem corrente alternada em corrente contínua. Temos os retificadores monofásicos para uso em aparelhos eletrônicos de um modo geral e os retificadores polifásicos para uso em circuitos industriais de alta potência. 
Os três tipos de retificadores monofásicos que são: 
Retificador de meia onda 3.1
O diodo tem a característica de conduzir corrente somente num sentido e devido a esta característica unidirecional, o mesmo é utilizado para retificar. 
O diodo ideal com polarização direta comporta como uma chave fechada e com polarização reversa comporta como uma chave aberta. O diodo tem resistência direta muito baixa e resistência reversa muito alta. 
Funcionamento do circuito
Para o ponto A positivo em relação a B, o diodo está polarizado diretamente e conduz.
A corrente circula de A até B passando pelo diodo e RL.
Para o ponto A negativo em relação a B, o diodo está polarizado inversamente e não conduz. Tem-se corrente em RL somente nos Semiciclos positivos de entrada.
Os semiciclos positivos passam para a saída e os semiciclos negativos ficam no
diodo. A frequência de ondulação na saída é igual à frequência de entrada.
O retificador de meia onda tem baixa eficiência.
Formas de onda considerando um diodo ideal
	
VCC = VP . 0,707 ou VCC = 0,45. Vef.
VCC é o valor médio da tensão contínua em RL.
VP é o valor de pico da tensão sendo.
Vef é o valor eficaz ou rms da tensão alternada de entrada.
IL = VCC / RL e ID = IL
IL é o valor médio da corrente em RL e ID é o valor médio da corrente no diodo.
IP = VP / RL sendo IP o valor de pico da corrente.
Tensão eficaz em RL = VP/0,707.
Retificador de onda completa. 3.2
	
Funcionamento do circuito.
Este circuito é também denominado de retificador de onda completa convencional.Há uma defasagem de 180º entre as tensões de saída do transformador, VA e VB.
As tensões VA e VB são medidas em relação ao ponto C (0V).
Quando A é positivo, B é negativo, a corrente sai de A passa por D1 e RL e chega
ao ponto C. Quando A é negativo, B é positivo, a corrente sai de B passa por D2 e RL e chega
ao ponto C. Para qualquer polaridade de A ou de B a corrente IL circula num único sentido em RL e por isto, a corrente em RL é contínua. Temos somente os semiciclos positivos
na saída. A frequência de ondulação na saída é o dobro da frequência de entrada.
Formas de onda considerando um diodo ideal
VCC = VP . 0,707 ou VCC = 0,9 . Vef
VCC é o valor médio da tensão contínua em RL.
VP é o valor de pico da tensão.
Vef é o valor eficaz da tensão de entrada (Vef = VAB / 2)
IL = VCC / RL e ID = IL / 2.
IL é o valor médio da corrente em RL e ID é o valor médio da corrente nos diodos.
IP = VP / RL onde IP é o valor de pico da corrente.
Tensão eficaz de saída =Tensão eficaz de entrada = VP /0,707
O PIV nos diodos é o pico negativo da tensão VAB.
Retificador em ponte. 3.3
Funcionamento do circuito.
O retificador em ponte dispensa o uso do transformador com tomada central. Com isto, pode-se ter um retificador de onda completa ligado diretamente à rede elétrica. Quando A é positivo em relação a B, a corrente sai de A passa por D1, RL, D3 e chega ao ponto B.
Quando A é negativo em relação a B, a corrente sai de B passa por D2, RL, D4 e chega ao ponto A. Conduzem somente dois diodos de cada vez.
Quando o ponto A é positivo D1 e D3 conduzem. Quando o ponto A é negativo D2 e D4 conduzem. Para qualquer polaridade de A ou de B a corrente IL circula num único sentido em
RL e por isto, a corrente em RL é contínua. Temos somente os semiciclos positivos
na saída. A frequência de ondulação na saída é o dobro da frequência de entrada
Formas de onda considerando um diodo ideal
	
VCC = 2.VP . 0,707 ou VCC = 0,9.Vef
VCC é o valor médio da tensão contínua em RL.
VP é o valor de pico da tensão e .
Vef é o valor eficaz ou rms da tensão de entrada (VAB).
IL = VCC / RL e ID = IL / 2.
IL é o valor médio da corrente em RL e ID é a Corrente média nos diodos.
O valor de pico da corrente IP = VP / RL.
Tensão eficaz de saída =Tensão eficaz de entrada = VP . 0,
707
O PIV nos diodos é o pico da tensão VAB.
 	
Filtros para fontes de alimentação 3.4
A ondulação na saída do circuito retificador é muito grande o que torna a tensão de saída inadequada para alimentar a maioria dos circuitos eletrônicos. É necessário fazer uma filtragem na tensão de saída do retificador. A filtragem nivela a forma de onda na saída do retificador tornando-a próxima de uma tensão contínua pura que é a tensão da bateria ou da pilha. A maneira mais simples de efetuar a filtragem é ligar um capacitor de alta capacitância em paralelo com a carga RL e normalmente, utiliza-se um capacitor eletrolítico.
A função do capacitor é reduzir a ondulação na saída do retificador e quanto maior for o valor deste capacitor menor será a ondulação na saída da fonte.
Filtro a capacitor para retificador de meia onda.
	
No semiciclo positivo o diodo conduz e carrega o capacitor com o valor de pico (VP) da tensão. Assim que a tensão de entrada cair a Zero, o diodo pára de conduzir e o capacitor mantém-se carregado e descarrega lentamente em RL. Quando a tensão de entrada fica negativa (semiciclo negativo) o diodo não conduz e ocapacitor continua descarregando lentamente em RL. O capacitor recarrega 60 vezes por segundo.
O capacitor carrega de Vmin até VP e neste intervalo de tempo o diodo conduz.
O capacitor descarregará de VP até Vmin e neste intervalo o diodo não conduzirá.
A Forma de onda na saída está mostrada abaixo.
O voltímetro de tensão contínua indica o valor médio da tensão medida.
Aumentando o capacitor, a tensão de ondulação (Vond) diminui e VCC aumenta.
Aumentando a corrente IL, a tensão de ondulação (Vond) aumenta e VCC diminui.
Se Vond tende a zero, a tensão de saída tende ao valor de pico. VCC = VP para Vond = 0V).
Desligando RL, IL será 0A, o capacitor não descarrega e tem-se Vond = 0V. Para se ter Vond com um valor baixo ao aumentar IL deve-se aumentar o valor do capacitor. O retificador de meia onda, com filtro a capacitor, é inadequado para alimentar circuitos que exigem um valor alto de corrente, pois além de se utilizar um valor 
Muito alto para o capacitor, o diodo fica sobrecarregado ao conduzir toda a corrente do circuito alimentado.
O pico inverso de tensão no diodo é o dobro da tensão de pico. PIV = --2VP
O capacitor aumenta a tensão inversa no diodo devido a que o mesmo permanece carregado quando o diodo não estiver conduzindo.
Filtro a capacitor para retificador de onda completa
 Funcionamento
A filtragem para o retificador de onda completa é mais eficiente do que para o retificador de meia onda. Em onda completa o capacitor será recarregado 120 vezes por segundo. O capacitor descarrega durante um tempo menor e com isto a sua tensão permanece próxima de VP até que seja novamente recarregado. Quando a carga RL solicita uma alta corrente é necessário que o retificador seja de onda completa.
	
As equações para onda completa são as mesmas utilizadas para meia onda, no entanto, a freqüência de ondulação para onda completa é de 120 Hz.
VCC = VP – Vond / 2
VCC é o valor médio da tensão contínua na saída.
VP= Vef/ 0,707
VP é o valor de pico da tensão no capacitor (não foi considerada a queda de tensão nos diodos).
Vef é o valor eficaz da tensão de saída do transformador (VAB)
Vond = IL / (f . C) sendo f = 120 Hz para onda completa
Vond é a tensão de ondulação ou de ripple na saída. Quanto menor Vond, mais próxima de uma tensão contínua será a tensão de saída.
IL é a corrente em RL
f é a freqüência de ondulação na saída e é igual a 120 Hz para onda completa.
C é o valor do capacitor em FARADS (2200 μF = 2200 . 10--6 F)
Se Vond tende a zero, a tensão de saída tende ao valor de pico.
VCC = VP para Vond = 0V.
Sem RL, a corrente IL será 0A, o capacitor não descarregará e tem-se Vond = 0V.
 Transistores
O transistor surgiu no ano de 1948 meio que ao acaso. Nesse ano, três cientistas norte-americanos descobriram um cristal de semicondutores e através deste apresentaram dois tipos de junções. Nas pesquisas com esse material, os cientistas perceberam que ele tinha a capacidade de fazer amplificações parecidas com as obtidas com a válvula de triodo. Dessa forma, descobriram um novo componente: o transistor. 
Transistores de junção bipolar 4.1
O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas Junções P-N, a Junção P-N entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transistor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente é produzida apenas por um único tipo de Portador de Cargas (elétrons ou lacunas), no TJB (BJT) a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (elétrons e lacunas), daí a origem do nome bipolar.
Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): NPN e PNP. O Tipo NPN consiste em duas regiões N separadas por uma Região P. O Tipo PNP consiste em duas regiões P separadas por uma região N. 
 << NPN
 PNP >>>
 
O TJB (BJT) opera em três modos diferentes: modo de Corte, modo de Amplificação Linear e modo de Saturação. 
	
Polarização 4.2
Os transistores podem ser ligados em 3 configurações básicas 
Base Comum (BC), 
Emissor Comum (EC) 
Coletor Comum (CC) 
Base Comum
O sinal é injetado entre emissor e base e retirado entre coletor e base. 
Desta forma, pode-se dizer que a base é o terminal comum para a entrada e saída do sinal. 
 
Características 
Ganho de corrente (Gi): < 1
Ganho de tensão (Gv): elevado
Resistência de entrada (Rin): baixa
Resistência de saída (Rout): alta
Emissor Comum
No circuito emissor comum, o sinal é aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e emissor. 
Características 
Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tensão (GV) elevado
Resistência de entrada (RIN) média
Resistência de saída (ROUT) alta
Coletor Comum
A configuração coletor comum também é conhecida como seguidor de emissor.
O sinal de entrada é aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor.
 
Características
Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tensão (GV): ≤ 1
Resistência de entrada (RIN): muito
elevada.
Resistência de saída (ROUT): muito baixa
Circuitos reguladores em série 4.3
O regulador série é na realidade uma fonte de alimentação regulada mais sofisticada em relação aos reguladores que utilizam apenas diodo zener. 
O diodo zener atua apenas como elemento de referência enquanto que o transistor é o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor está em série com a carga, daí o nome regulador série.
Funcionamento 
A tensão de saída estará disponível na carga (VL), então: VL = VZ - VBE 
Como VZ >> VBE podemos aproximar: 	VL = VZ 
Sendo VZ constante, a tensão no ponto "x" será constante 
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT: 
VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ 
VCE = VCB + VBE 
Portanto, quando VIN aumenta, como VZ é constante, VCB também aumentará provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variação na entrada, mantendo VL constante. 
VL = VIN - VCE 
Então: se VIN aumenta logo VCE aumenta e VL não se altera 
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo os mesmos princípios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui. 
Com a diminuição de VIN logo VCE diminui e VL não se altera.
Valores mínimos e máximos de VIN 
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR, mas IR = IZ + IB 
Então: 
VIN = R.(IZ + IB) + V.
Para VIN mínima temos: VIN.(MIN) = R.(IZ(MIN) + IB.(MAX)) 
Portanto, abaixo do valor mínimo de entrada o diodo zener perderá suas características de estabilização. 
Para VIN máxima temos: VIN.(MAX) = R.(IZ.(MAX) + IB.(MIN)) 
Acima do valor máximo de entrada o diodo zener perderá também suas características de estabilização e será danificado.
Laboratório
Todos os componentes apresentados anteriormente, ensaiamos seu funcionamento na parte pratica. E assim os resultados foram os seguintes.
Diodos 5.1
Nosso experimento com diodos foram testá-los polarizados, direto e reversamente, e assim ver na pratica seu funcionamento, nós testamos diodos de silícios (Sí). De primeiro momento fizemos o teste com ele Polarizado diretamente, ele se comportou bem, assim que ele atingiu a tensão de sua barreira (0,7v) ele acionou o restante do circuito;
Quando o mesmo foi testado de forma reversamente o resultado foi de chave aberta. 
Diodos zener 5.2
Nosso experimento com diodos zener foram testá-los polarizados, reversamente, e assim ver na pratica seu funcionamento, nós testamos um diodo zener de 12v. Colocamos esse diodo em serie com resistores e um potenciômetro de 1k (ohms), onde testamoos a tensão em dois pontos, chamados de C – A (catodo e anodo do diodo.) colocamos 5v de tensão e mensuramos nos pontos citados, se comportou como 5v, porém sem corrente.
Aumentamos para 10v de tensão e mensuramos os mesmos pontos, se comportou como 10v e sem corrente, quando subimos essa tensão para 15v e mensuramos ouve regulação nesse ponto e conseguimos o valor de 12v com corrente de 3mA(iz), o mesmo aconteceu quando aumentamos essa tensão para 20v porém a tensão se manteve em 12v e a corrente aumentou para 8mA(iz), e conforme tentávamos modificar a resistência do circuito nos potenciômetros sá se alterava a corrente (IZ) no mesmo, a tensão se mantia.
Transistor 5.3
Nosso experimento com transistores, foi em um regulador serie.
Montamos um circuito com um diodo zener de 5v em serie com um resistor e paralelo com um transistor BD135, mensuramos tensão vce (entre o coletor e o emissor do transistor) com, 2v, 4v, 6v, 8v, 10v e 12v. E constamos uma estabilidade em sua corrente de base (ib) após o zener polarizado revesamente acima de 5v, e um aumento na corrente Is e Iz do circuto, A tensão vce ficou bem baixa até a polarização do diodo zener, na casa dos milivolts, e após a sua polarização ficou com a diferença entre a entrada e o zener, nossa tensão na carga após a polarização do zener ficou regulada entre 4,24v e 4,51v, pudemos obsevar que essa tensão variava junto com a variação pequena de sua corrente (ib).
Projeto fonte 5.4
No começo do semestre, o professor Marcos Rocha, nos pediu para confeccionar uma fonte de tensão variável simétrica.
Esse projeto ele passou para entendermos o funcionamento de todos esses componentes.
Para essa fonte foram dados os componentes:
1 Transistor BDX 53 e BDX 54
2 Capacitor 2200uF, 10uF, 100nF, 10Nf.
2 Resistor  330ohms1/2w ,220k/ohms1/4w e 1k/ohms 1/4w
1 led Vermelho , Verde.
2 diodo zener de 15/1w 4 diodos para 8A
2 potenciômetros 10k/ohms 
1 trafo 127:12 de 4A
Placa de felonite, perfurador, percloreto de ferro e papel transfer. 
Eu particularmente tive problemas em achar os diodos para 8A, e também o resistor de 330ohms por 1/2w, então fizuma substituição por outros componentes equivalente.
O projeto orientado pelo professor ficou desse jeito, fizemos no proteus onde fomos ensinados a trabalhar pelo o mesmo, comecei a montar, primeiro fiz alguns testes para confeccionar pcb.
Logo depois fiz o processo de corrosão da minha placa. 
E um revestimento com estanho nas trilhas. 
Então perfurei e montei os componentes.
Logo após testei ver se o circuito montado estava ok.
E o por último fiz um acabamento na fonte, os resultados foram satisfatórios, hoje uso minha fonte para outros projetos pessoais. 
Referencias
Boylestad,Robert - Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos - 8ª Ed. 2008 
Wendling ,Marcelo - Semicondutores e diodos - Senai	2011
Corradi - < www.corradi.junior.com.br > - Unip 2008 artigo
Rocha, marcos – apostila eletrônica analógica – Ensitec – 2016
	
Rua Antonio Pietruza, 83 – Portão – Curitiba/PR – CEP 80610-320 - Telefone: (41) 3091-4500 - FAX: (41) 3091-4550 – www.ensitec.com.br