avaliação parcial MATERIAIS ELÉTRICOS

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MATERIAIS ELÉTRICOS
	
	Avaiação Parcial: CCE0252_SM_201409073521 V.1 
	 
	Aluno(a): CESAR SALGADO CLAUDIO
	Matrícula: 201409073521
	Acertos: 10,0 de 10,0
	Data: 13/10/2017 00:38:01 (Finalizada)
	
	 1a Questão (Ref.: 201409179199)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	120 Ω
	
	3,4 Ω
	
	12,0 Ω
	
	34 Ω
	 
	0,12 Ω
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201409241083)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
		
	 
	V=R.i
	
	F=m.a
	
	P=U.i
	
	V=N.i.E
	
	V=R i.A/l
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201409241103)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	
	V=N.i.IpI.h
	 
	v=E.e
	
	v=s/t
	
	=W.A/l
	
	V=R.i
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201409180458)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	15,26 cm
	
	19,12 cm
	
	16,24 cm
	
	20,15 cm
	 
	18,27 cm
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201409241120)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Do ponto de vista tecnológico,  a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
		
	
	Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou portadores de carga positivas.
	 
	A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
	
	Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
	
	A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201409241543)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Materiais cristalinos possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Esta estrutura, aliada aos defeitos microestruturais que porventura se originam no processo de fabricação, não permitem o deslocamento retilíneo dos elétrons livres quando submetidos a um campo elétrico. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron.
Uma conseqüência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é:
		
	
	Aumento da aceleração eletrônica.
	
	Aumento da resistividade elétrica do material.
	
	Diminuição da resistência elétrica do material
	 
	Geração de calor.
	
	Deformação mecânica do material.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201409241162)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201409241142)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Dos componentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o mais utilizado; consiste de um componente microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu precursor da era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício.
Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas por =n.l e l.e, calcule a condutividade de um semicondutor de Silício dopado com 1023 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se que l e l =1,6.10 -19C e .e = 0,14m2/V.s.
		
	 
	2.240 (ohm.m) -1
	
	2.000 (ohm.m) -1
	
	2.500 (ohm.m) -1
	
	11,43 (ohm.m) -1
	
	1.500 (ohm.m) -1
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201409180463)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um capacitor de 18 nF utilizando-se duas placas paralelas com 240 cm2 de área cada uma e espaçadas de 0,02 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser utilizado.
		
	
	1,9
	
	1,3
	
	1,5
	 
	1,7
	
	2,1
		
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201409676775)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
		
	
	fio enrolado e CERMET
	
	cerâmica e fio enrolado
	
	CERMET e filme de carbono
	
	composição de carbono e plástico
	 
	filme de madeira (wood film) e filme de metal
		 Gabarito Comentado.
		  MATERIAIS ELÉTRICOS
	
	Avaiação Parcial: CCE0252_SM_201409073521 V.1 
	 
	Aluno(a): CESAR SALGADO CLAUDIO
	Matrícula: 201409073521
	Acertos: 10,0 de 10,0
	Data: 04/11/2017 14:39:09 (Finalizada)
	
	 1a Questão (Ref.: 201409327255)Acerto: 1,0  / 1,0
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica.
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201409321989)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Após completar a disciplina Materiais Elétricos, você compreende os parâmetros que determinam a resistência elétrica de um material. Desta forma, desejando aumentar a resistência elétrica de uma bobina em 20% através da diminuição da seção reta do condutor que a compõe (mantendo-se o comprimento do fio), expresse a diminuição porcentual da nova seção reta em relação a seção reta original.
		
	 
	16,7%
	
	25%
	
	12%
	
	15%
	
	18%
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201409181059)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Considere as seguintes afirmações:
I.       Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
II.       Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
III.       A condutividade é o inverso da resistividade.
IV.       A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
V.       Resistividade é a resistência específica de um material.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	
	As afirmações I, IV e V.
	
	As afirmações III e IV.
	
	As afirmações I, II e IV.
	
	Somente a afirmação III.
	 
	As afirmações III e V.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201409180453)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	 
	4,75 x 10-6 Ω.cm
	
	3,21 x 10-6 Ω.cm
	
	3,95 x 10-6 Ω.cm
	
	7,81 x 10-6 Ω.cm
	
	6,45 x 10-6 Ω.cm
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201409089183)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3  oC-1).
		
	
	4,35 Ω
	
	3,89 Ω
	
	6,8 Ω
	 
	4,19 Ω
	
	3,4 Ω
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201409807625)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Em 1947, pesquisadores da "Bell Telephone Laboratories" obtiverem em laboratório um dispositivo amplificador a partir da imersão de uma placa de silício em uma solução alcalina. Um mês depois, introduziram na placa de silício, o germânio em quantidades pequenas, como impureza, melhorando ainda mais o desempenho do dispositivo. Estava iniciada a era dos semicondutores extrínsecos. A tecnologia criada nesta época originou materiais constituídos de uma matriz "pura" de um determinado elemento com pequeníssimas quantidades de impurezas de outro elemento, como, por exemplo, uma matriz de Si, que apresenta quatro elétrons em sua última camada, com átomos de P inseridos, os quais possuem valência 5.
Com relação ao material descrito anteriormente, PODEMOS descrevê-lo como:
		
	
	Semicondutor extrínseco tipo-n de fósforo
	
	Semicondutor intrínseco de silício
	 
	Semicondutor extrínseco tipo-n de silício
	
	Semicondutor extrínseco tipo-p de fósforo
	
	Semicondutor extrínseco tipo-p de silício
		
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201409327257)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
		
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
	 
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
	
	a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201409241142)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Dos componentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o mais utilizado; consiste de um componente microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu precursor da era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício.
Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas por =n.l e l.e, calcule a condutividade de um semicondutor de Silício dopado com 1023 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se que l e l =1,6.10 -19C e .e = 0,14m2/V.s.
		
	
	1.500 (ohm.m) -1
	
	2.500 (ohm.m) -1
	
	11,43 (ohm.m) -1
	 
	2.240 (ohm.m) -1
	
	2.000 (ohm.m) -1
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201409807643)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Ao projetarmos aparatos elétricos, devemos prever que existirão partes deste equipamento em que a condução elétrica é essencial e outras partes nas quais a condução não só é desnecessária, mas altamente inconveniente devido ao perigo de choque elétrico. Para excluir ou minimizar as possibilidades de descargas elétricas deletérias a vida, utilizam-se materiais isolantes como os polímeros e os cerâmicos, que possuem algumas propriedades características, entre as quais só NÃO podemos citar:
		
	
	Os polímeros apresentam grande facilidade de se ajustar aos formatos solicitados, devido a grande ductilidade.
	 
	Os cerâmicos são materiais capazes de absorver energia sem fragmentação fácil, apresentando baixa fragilidade.
	
	Os cerâmicos possuem não só baixa condutividade elétrica, mas também baixa condutividade térmica.
	
	Os polímeros são compostos de grandes cadeias moleculares, apresentando baixo ponto de fusão.
	
	Os cerâmicos existem em grande abundância na natureza, tendo como exemplos os nitretos e silicatos.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201409167436)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?Exponencial
 
	
	Quadrática
	 
	Linear
	
	Trigonométrica
	
	Logarítmica
		  MATERIAIS ELÉTRICOS
	
	Avaiação Parcial: CCE0252_SM_201409073521 V.1 
	 
	Aluno(a): CESAR SALGADO CLAUDIO
	Matrícula: 201409073521
	Acertos: 10,0 de 10,0
	Data: 04/11/2017 14:51:36 (Finalizada)
	
	 1a Questão (Ref.: 201409241083)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
		
	
	V=N.i.E
	
	P=U.i
	 
	V=R.i
	
	F=m.a
	
	V=R i.A/l
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201409322022)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201409241108)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
		
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n.
	
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material.
	 
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201409241102)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico.  Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhordescreve este fenômeno é:
		
	 
	Mobilidade elétrica.
	
	Condutividade elétrica.
	
	Resistência elétrica.
	
	Resistividade elétrica.
	
	Supercondutividade elétrica.
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201409241543)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Materiais cristalinos possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Esta estrutura, aliada aos defeitos microestruturais que porventura se originam no processo de fabricação, não permitem o deslocamento retilíneo dos elétrons livres quando submetidos a um campo elétrico. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron.
Uma conseqüência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é:
		
	
	Deformação mecânica do material.
	
	Diminuição da resistência elétrica do material
	 
	Geração de calor.
	
	Aumento da aceleração eletrônica.
	
	Aumento da resistividade elétrica do material.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201409241112)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
		
	
	σ = N ІeІ (µe + µh).
	 
	σ = P ІeІ µh.
	
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	
	σ = 2 P ІeІ µh
	
	σ = N ІeІ µh.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201409241125)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
 
 
 
 
 
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
		
	
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da temperatura.
	
	A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do semicondutor.
	 
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura.
 
	
	A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam.
	
	As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam.
		
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201409807629)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A condutividade de um semicondutor varia com diversos parâmetros, entre os quais podemos citar a concentração de portadores de carga, a mobilidade destes portadores, o estado de deformação plástica do material e a temperatura, entre outros parâmetros. Com relação a dependência da temperatura em particular, tem-se que a condutividade varia segundo a expressão  = Cn T-3/2 e (-Eg/2kT), na qual "C" é uma constante associada ao material, "T" é a tempera em Kelvin, "Eg" é a "energia de gap" e "k" é a constante de Boltzmann, igual a 8,62 x 10-5 eV/K.
Com base na expressão anterior, PODEMOS afirmar que:
		
	
	A expressão apresentada possui um ponto de mínimo, indicando que até determinada temperatura a condutividade diminui, aumentando logo depois.
	
	O efeito da condutividade na temperatura é desprezível, de tal forma que podemos considerá-la constante a medida que a temperatura aumenta
	
	A expressão apresentada possui um ponto de máximo, indicando que até determinada temperatura a condutividadeaumenta, diminuindo logo depois
	 
	A medida que a temperatura aumenta, a condutividade diminui.
	
	A medida que a temperatura aumenta, a condutividade aumenta.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201409241197)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
		
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201409180467)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um capacitor de 1,2 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
		
	
	180 cm2
	 
	120 cm2
	
	100 cm2
	
	160 cm2
	
	140 cm2