ELETRONICA ANALOGICA APOL 5

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Questão 1/5 - Eletrônica Analógica 
Em um determinado circuito constatou-se que o dispositivo responsável pelo controle 
da potência entregue a uma carga deve ser substituído. 
Assinale a alternativa que contém o circuito que pode ser empregado para substituir um 
TRIAC. 
Nota: 20.0 
 A 
 
 B 
 
 C 
 
 D 
 
Você acertou! 
O TRIAC foi desenvolvido para controlar potências em corrente alternada e 
atuar em baixas frequências. Assim como os DIACs, o TRIAC pode conduzir 
correntes em ambos os sentidos. O controle é realizado com a injeção de um 
sinal na porta do dispositivo, de forma semelhante a um SCR. Portanto o circuito 
equivalente de um TRIAC é composto por dois SCR’s em antiparalelo, ou seja, 
o circuito representado na alternativa d. 
 E 
 
 
Questão 2/5 - Eletrônica Analógica 
Um engenheiro projetou um circuito igual ao da figura abaixo. Determine a perda de 
potência durante o tempo de desligamento do IGBT. 
 
 
Considere que a frequência do chaveamento de controle é de 10 kHz, RL = 10 Ohms, o 
tempo no estado desligado é toff = 0,5us e a corrente de fuga do coletor para emissor é 
de 5 µA 
Nota: 20.0 
 A 750 mW 
 B 0,15 mW 
 C 15 mW 
 D 
7,5 µW 
Você acertou! 
 
 E 6,25mW 
 
Questão 3/5 - Eletrônica Analógica 
Um professor de Engenharia pediu aos seus alunos que construíssem um circuito 
equivalente para o dispositivo IGBT. Para a construção o professor pediu para que os 
alunos desconsiderassem o efeito parasita. 
Assinale a alternativa que contém o circuito equivalente de um IGBT. 
Nota: 20.0 
 A 
 
 B 
 
Você acertou! 
Através do conhecimento da estrutura de um IGBT, sabe-se que existem três 
camadas de semicondutores formando uma junção PNP. Esta mesma camada é 
encontrada em um transistor bipolar de potência, cuja base é conectada à região 
central e os terminais de coletor e emissor são conectados do mesmo modo que 
no BJT. Na parte superior da estrutura encontrasse uma camada que possui o 
mesmo modo de operação de um MOSFET, onde a corrente de dreno será 
injetada na região de arrastamento, região essa que corresponde à base do 
transistor PNP. Por sua vez, a corrente de dreno do MOSFET atuará como 
disparo do transistor. 
 C 
 
 D 
 
 E 
 
 
Questão 4/5 - Eletrônica Analógica 
Analise as afirmações sobre os IGBTs abaixo. 
Assinale a alternativa que contem a sequência correta. 
( ) O IGBT é um dispositivo controlado por tensão 
( ) A velocidade de chaveamento de um IGBT é superior à alcançada pelos 
MOSFETs. 
( ) Um IGBT possui as características de comutação de um BJT bom como a 
elevada impedância de entrada dos MOSFETs 
( ) O IGBT foi projetado para aplicações em baixa corrente 
( ) O IGBT é um dispositivo de 3 terminais denominados Coletor, Porta e Emissor 
Nota: 0.0 
 A V-F-F-F-F 
 B F-F-V-V-V 
 C V-V-F-F-V 
 D 
V-F-V-F-V 
V) CORRETO 
(F) FALSO - A velocidade de chaveamento de um IGBT é superior à alcançada 
pelos TJBs, porém inferior aos MOSFETs. 
(V) CORRETO 
(F) FALSO - Os IGBTs foram projetados para aplicações que demandam altas 
correntes. 
(V) CORRETO 
 E V-F-F-F-V 
 
Questão 5/5 - Eletrônica Analógica 
O IGBT no circuito a seguir é controlado por um sinal de chaveamento com frequência 
de 6 kHz. A tensão de alimentação VS do circuito é de 220 V. Sabendo que VCE sat = 2V, 
R = 5 Ohms , e o tempo de condução é ton = 1us, 
 
determine a perda de potência no IGBT durante o tempo no estado de condução 
(“ligado” - Pon). 
Nota: 20.0 
 A Pon = 87,2mW 
 B Pon = 45,232mW 
 C Pon = 57,55mW 
 D 
Pon = 523,2mW 
Você acertou! 
 
 E Pon = 781,2mW