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Fechar Avaliação: CCE0252_AV2_201202374921 » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV2 Aluno: ROCKY BALBOA 1234561789 Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9004/G Nota da Prova: 5,5 de 8,0 Nota do Trab.: 0 Nota de Partic.: 2 Data: 14/06/2014 18:19:45 1a Questão (Ref.: 201202573581) Pontos: 1,5 / 1,5 Considerando o gráfico a seguir, que mostra a relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente, aquele que pode ser denominado de ôhmico. Justifique a sua resposta. Resposta: Seria a reta A, pois a relação entre a corrente e a resistencia, formam um grafico linear,como em uma equação do primeiro grau. Gabarito: O condutor A é ôhmico, pois a relação entre V e i é linear. 2a Questão (Ref.: 201202573613) Pontos: 1,5 / 1,5 Explique sucintamente o que é diamagnetismo. Resposta: São materiais que colocados na presença de um campo magnético tem seu imãs elementares orientados no sentido do contrario ao campo magnético aplicado. Assim estabelece-se um campo magnético na substância que possui sentido contrario ao campo aplicado. EX: o Bismuto, o cobre, a prata e o chumbo. Gabarito: Diamagnetismo: é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente durante a aplicação de um campo magnético externo, H. Os dipolos magnéticos induzidos são contrários ao campo magnético e estritamente pequenos. A permeabilidade magnética é ligeiramente inferior a 1 e a susceptibilidade magnética é negativa. 3a Questão (Ref.: 201202511994) Pontos: 0,0 / 0,5 Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio. 3,09 cm2 4,09 cm2 0,09 cm2 1,09 cm2 2,09 cm2 4a Questão (Ref.: 201202572640) Pontos: 0,5 / 0,5 O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos. Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4). Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas. Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4). A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem. Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 5a Questão (Ref.: 201202572657) Pontos: 0,5 / 0,5 A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes. Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura. Círculo. Parábola. Reta. Hipérbole. Elipse. 6a Questão (Ref.: 201202572703) Pontos: 0,0 / 0,5 A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 7a Questão (Ref.: 201202572732) Pontos: 0,0 / 0,5 Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa-se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a alternativa correta: A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos. Provavelmente 1 e 2 são semicondutores. O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico. Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre. 8a Questão (Ref.: 201202572741) Pontos: 0,5 / 0,5 A Itália também teve seu expoente científico nos primórdios da pesquisa com eletricidade, seu nome era Luigi Galvani (1737-1798). Embora atuasse na área hoje conhecida como biomédica, como professor de anatomia da Universidade de Bolonha, foi um dos primeiros cientistas a relatar o efeito de correntes elétricas na musculatura de um ser vivo, quando acidentalmente durante a dissecação de um sapo o aproximou de um instrumento elétrico. Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente só apresenta materiais isolantes elétricos. Nitrato de Prata, madeira porosa e borracha. Silício, Prata, água salgada. Madeira, borracha, Platina e isopor. Isopor, madeira e cerâmica. Cobre, Ouro, Ferro e Níquel. 9a Questão (Ref.: 201202658807) Pontos: 0,0 / 1,0 Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta frequência e energia quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, PODEMOS afirmar que: Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial. Provavelmentea energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. 10a Questão (Ref.: 201202573059) Pontos: 1,0 / 1,0 Resistores são dispositivos eletrônicos que dissipam energia na forma de calor e cujas características seguem um padrão de cores determinado na tabela a seguir. (GUSSOW, Milton. Eletricidade básica. 2.ed. SÃO PAULO: Makron-Books, 1996). Com relação às características dos resistores, não podemos afirmar que: Quanto menor a constante dielétrica do resistor maior sua capacidade de armazenar carga. Os resistores são imunes a sinais de freqüência até 500 kHz. Acima deste valor, começam a ter comportamento capacitivo. O terceiro anel laranja significa que o resistor possui fator multiplicativo igual a 103. Os resistores cujos valores de tolerância variam entre 0,1 e 2% são os mais precisos e, portanto, os mais caros. Os resistores podem sem também especificados observando-se o valor da potência elétrica dissipada durante a operação.
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