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Universidade Federal do Rio de Janeiro Instituto de F´ısica F´ısica III – 2011/1 Primeira Prova (P1) – 04/05/2011 Versa˜o: A Aluno: Assinatura: DRE: Professor: Turma: Sec¸a˜o Nota original Iniciais Nota de revisa˜o Parte objetiva (total) Parte discursiva: Questa˜o 1 Parte discursiva: Questa˜o 2 Total INSTRUC¸O˜ES: LEIA COM CUIDADO! 1. Preencha correta, leg´ıvel e totalmente os campos em branco (Aluno, Assinatura, DRE, Professor e Turma) do cabec¸alho acima. Sem isso, a correc¸a˜o de sua prova podera´ ficar prejudicada! 2. A prova constitui-se de duas partes: • uma parte objetiva, perfazendo um total de 5,0 pontos, consitut´ıda por dez (10) questo˜es objetivas (de mu´ltipla escolha), cada uma das quais valendo 0,5 ponto, sem penalizac¸a˜o por questa˜o errada. • uma parte discursiva, perfazendo um total de 5,0 pontos, constitu´ıda por duas (2) questo˜es discursivas (ou argumentativas ou dissertativas), a primeira valendo 3,0 pontos e a segunda, 2,0 pontos. 3. A parte objetiva deve ser preenchida a caneta. 4. E´ vedado o uso de qualquer instrumento eletro-eletroˆnico (calculadora, celular, iPod, etc) Formula´rio F e = qE , E = 1 4pi�0 q r2 rˆ , ∮ S E ·dA = Qint �0 , ∮ C E ·d` = 0 , E = −∇V , U = 1 4pi�0 qq′ r C = Q/V , E = E0 K 1 Sec¸a˜o 1. Mu´ltipla escolha (10×0,5 = 5,0 pontos) 1. Numa regia˜o do espac¸o de interesse, existe um campo ele´trico constante (uniforme e esta- ciona´rio), na direc¸a˜o e sentido de xˆ. Nessa mesma regia˜o, temos uma superf´ıcie cu´bica abstrata, que encerra uma part´ıcula (pontual) de carga Q > 0 localizada no seu centro. Treˆs das faces do cubo esta˜o assinaladas na figura: as faces 1 e 3 sa˜o para- lelas ao plano Y Z, ao passo que a face 2 e´ paralela ao plano XZ. Em relac¸a˜o ao fluxo Φi (i = 1, 2, 3) do campo ele´trico atrave´s de cada uma dessas fa- ces (com orientac¸a˜o do vetor normal para fora, como usual), qual das alternativas abaixo e´ a cor- reta? (a) Φ1 > Φ2 > Φ3. (b) Φ1 > Φ2 = Φ3. (c) Φ1 = Φ2 > Φ3. (d) Φ1 = Φ2 = Φ3. (e) Φ1 < Φ2 < Φ3. 2. Qual dos gra´ficos abaixo melhor representa o po- tencial eletrosta´tico de uma esfera de raio R e carga Q > 0 uniformemente distribu´ıda em todo o seu interior, supondo o potencial zero no infi- nito? (a) (b) (c) (d) (e) (f) 2 3. Um capacitor de placas planas e paralelas, de a´rea A, a distaˆncia D, e´ “recheado” por uma chapa condutora, tambe´m de a´rea A, e espessura d < D. A capacitaˆncia de tal capacitor e´: (a) 2�0 A a . (b) �0 A d . (c) �0 A 2a . (d) �0 A D . (e) 2�0 A d . 4. Treˆs ane´is circulares, de mesmo raio, cujos quadrantes foram carregados uniformemente com cargas positivas e negativas, de mesmo mo´dulo, esta˜o representados na figura abaixo. Considere as seguintes afirmac¸o˜es: (A) o campo ele´trico no centro do anel I e´ nulo; (B) o campo ele´trico no centro do anel II tem direc¸a˜o e sentido de −yˆ ; (C) o campo ele´trico no centro do anel III tem direc¸a˜o e sentido de −xˆ− yˆ . (a) Somente a afirmac¸a˜o A esta´ correta. (b) Somente a afirmac¸a˜o B esta´ correta. (c) Somente a afirmac¸a˜o C esta´ correta. (d) Somente as afirmac¸o˜es A e B esta˜o corre- tas. (e) Somente as afirmac¸o˜es A e C esta˜o corre- tas. (f) Somente as afirmac¸o˜es B e C esta˜o corre- tas. (g) Todas as treˆs afirmac¸o˜es (A, B e C) esta˜o corretas. 5. Duas esferas condutoras, carregadas, de raiosR1 e R2 esta˜o afastadas a uma distaˆncia muito grande, de modo que o campo ele´trico na vizinhanc¸a de cada esfera pode ser considerado como somente devido a` distribuic¸a˜o de carga uniforme da pro´pria esfera. As esferas esta˜o ligadas por um fio con- dutor fino que simplesmente promove o contato ele´trico entre elas. Se R2 = 3R1, qual e´ a afirmac¸a˜o verdadeira? (a) E2 = 3E1. (b) E1 = 9E2. (c) E2 = E1. (d) E1 = 3E2. (e) E2 = 9E1. 6. Uma esfera so´lida meta´lica de raio a e uma casca esfe´rica bidimensional, de raio b > a sa˜o conceˆntricas e esta˜o, cada uma, em equil´ıbrio ele- trosta´tico (sem contato). Na esfera interna, existe uma carga q, ao passo que, na casca externa, existe uma carga −q. Qual das afirmativas abaixo corresponde ao potencial eletrosta´tico desse sis- tema nas regio˜es: (i) 0 ≤ r ≤ a; (ii) a ≤ r ≤ b; (iii) b ≤ r <∞? Considere o potencial como zero no infinito. (a) Vi = q 4pi�0 ( 1 a − 1 b ) ; Vii = q 4pi�0 ( 1 r − 1 b ) ; Viii = q 4pi�0 ( 1 b − 1 a ) . (b) Vi = q 4pi�0 ( 1 a − 1 b ) ; Vii = q 4pi�0 ( 1 r − 1 b ) ; Viii = 0. (c) Vi = q 4pi�0 ( 1 a − 1 b ) ; Vii = 0; Viii = q 4pi�0 ( 1 b − 1 a ) . (d) Vi = 0; Vii = q 4pi�0 ( 1 r − 1 b ) ; Viii = q 4pi�0 ( 1 b − 1 a ) . (e) Vi = 0; Vii = q 4pi�0 ( 1 r − 1 b ) ; Viii = 0. (f) Vi = 0; Vii = 0; Viii = 0. 3 7. A figura representa o perfil de uma placa con- dutora de espessura d finita e demais dimenso˜es muito maiores que d. A densidade superfi- cial de carga σ em ambas as faces da placa e´ constante (uniforme e estaciona´ria). Conside- rando as treˆs superf´ıcies cil´ındricas indicadas na figura, qual das afirmativas abaixo e´ correta? (a) E1 > E2 > E3. (b) E1 > E2 = E3. (c) E1 = E2 > E3. (d) E1 < E2 < E3. (e) E1 = E2 = E3. 8. Duas part´ıculas (pontuais), separadas por uma distaˆncia d, com cargas ele´tricas q1 e q2 dife- rentes (q1 6= q2), produzem um potencial nulo num ponto P do espac¸o. Tomando o potencial como zero no infinito, isso significa necessaria- mente que (a) na˜o ha´ forc¸a ele´trica atuando sobre uma outra part´ıcula de teste colocada no ponto P . (b) as cargas q1 e q2 devem ter o mesmo sinal. (c) o trabalho para colocar a part´ıcula de carga q1 a uma distaˆncia d da part´ıcula de carga q2 e´ zero. (d) o trabalho para trazer uma part´ıcula de teste carregada, desde o infinito ate´ o ponto P , e´ zero. 9. Temos treˆs distribuic¸o˜es na˜o homogeˆneas de carga: (1) uma distribuic¸a˜o linear num fio de comprimento R, cuja densidade linear de carga e´: λ(x) = α1x (0 ≤ x ≤ R); (2) uma distribuic¸a˜o su- perficial sobre um disco de raio R, cuja densidade superficial e´: σ(r) = α2r (0 ≤ r ≤ R); (3) uma distribuic¸a˜o volumar numa esfera de raio R, cuja densidade volumar e´: ρ(r) = α3r (0 ≤ r ≤ R). Aqui, αi (i = 1, 2, 3) sa˜o constantes. A carga total de cada uma dessas treˆs distribuic¸o˜es e´ a mesma, Q. Qual das afirmativas abaixo e´ a correta? (a) α1 = 2Q R2 ; α2 = 3Q 2piR3 ; α3 = Q piR4 . (b) α1 = Q 2R2 ; α2 = Q 6piR3 ; α3 = Q 16piR4 . (c) α1 = 2Q R2 ; α2 = Q 6piR3 ; α3 = Q 16piR4 . (d) α1 = 2Q R2 ; α2 = 3Q2 2piR3 ; α3 = Q3 piR4 . (e) α1 = Q 2R2 ; α2 = Q2 6piR3 ; α3 = Q3 16piR4 . (f) α1 = QR; α2 = QpiR 2; α3 = Q4piR3 3 . 10. Qual das seguintes afirmativas e´ falsa? (a) No processo de carregamento de um ca- pacitor, cria-se um campo ele´trico entre suas placas. (b) O trabalho necessa´rio para se carregar um capacitor pode ser pensado como o trabalho necessa´rio para se criar um campo ele´trico entre suas placas. (c) A densidade de energia na regia˜o entre as placas de um capacitor depende line- armente do mo´dulo do campo ele´trico. (d) A diferenc¸a de potencial entre as placas de um capacitor plano-paralelo depende linearmente do mo´dulo do campo ele´trico. (e) Ao dobrarmos a carga em cada uma das placas de um capacitor dado, dobramos a diferenc¸a de potencial entre suas placas. 4 Sec¸a˜o 2. Questo˜es discursivas (3,0+2,0 = 5,0 pontos) 1. [3,0 pontos] Uma esfera, de raio a e carga total Q, possui uma densidade volumar (resultante)de carga estaciona´ria, mas na˜o uniforme, dada por ρ = Ar (r < a) , onde A e´ uma constante e r e´ a distaˆncia ate´ o seu centro. Essa esfera esta´ envolta por uma casca esfe´rica condutora, conceˆntrica, de raio interno b e raio externo c, com carga total −2Q, em equil´ırio ele- trosta´tico (cf. figura ao lado). (a) Expresse a constante A como func¸a˜o de a e Q. [0,3 ponto] (b) Quais sa˜o as densidades superficiais de carga na casca esfe´rica condutora? [0,3 ponto] (c) Determine o campo ele´trico nas quatro regio˜es: (I) 0 ≤ r ≤ a, (II) a ≤ r < b, (III) b < r < c, e (IV) c < r <∞. [1,2 ponto] (d) Determine o potencial eletrosta´tico nas quatro regio˜es supracitadas, tomando-o como zero no infi- nito. [1,2 ponto] 5 2. [2,0 pontos] Um capacitor plano-paralelo tem placas ideˆnticas de a´rea A, cada uma, com separac¸a˜o L en- tre elas (cf. parte superior da figura ao lado). Numa primeira etapa, tal capacitor e´ ligado a uma bateria ate´ atingir um mo´dulo de diferenc¸a de potencial V0 entre suas placas e, imediatamente, desconectado da bateria. (a) Determine o mo´dulo E0 do campo ele´trico e a energia eletrosta´tica armazenada U0. [0,5 ponto] Numa segunda etapa, um isolante de constante diele´trica K e´ inserido no capacitor, preenchendo pela metade a regia˜o entre suas placas, conforme mostrado na parte inferior da figura ao lado. (b) Determine o mo´dulo V da nova diferenc¸a de po- tencial entre as placas. [0,5 ponto] (c) Determine o mo´dulo Ei (i = 1, 2) do novo campo ele´trico em cada uma das duas “metades” (1 e 2) en- tre as placas. [0,5 ponto] (d) Determine a nova energia eletrosta´tica armaze- nada U . [0,5 ponto] 7 Gabarito para Versa˜o A Sec¸a˜o 1. Mu´ltipla escolha (10×0,5 = 5,0 pontos) 1. (e) 2. (a) 3. (c) 4. (g) 5. (d) 6. (b) 7. (e) 8. (d) 9. (a) 10. (c) 1 Sec¸a˜o 2. Questo˜es discursivas (3,0+2,0 = 5,0 pontos) 1. Resoluc¸a˜o: (a) Por simetria esfe´rica, temos que a carga total, informada como sendo Q, para a esfera interna, de raio a, deve ser dada por Q = ∫ a r=0 ρ(r)4pir2dr = 4piA ∫ a r=0 r3dr = piAa4 . Logo, A = Q pia4 . (1) � (b) Como a casca esfe´rica encontra-se em equil´ıbrio eletrosta´tico, so´ pode haver densidades superficiais de carga (se for o caso), em suas superf´ıcies interna e externa. Concretamente, como consequ¨eˆncia imediata da lei de Gauss aplicada para uma gaussiana ligeiramente maior que a superf´ıcie interna da casca, de raio b, necessariamente a´ı deve surgir uma densidade superficial igual a σb = − Q 4pib2 . Portanto, devido a` informac¸a˜o de que ha´ uma carga total −2Q na casca (que se conserva no processo de redistribuic¸a˜o das cargas na casca ate´ o alcance do equil´ıbrio), surgira´ uma densidade superficial na sua superf´ıcie externa, de raio c, igual a σc = − Q 4pic2 . � (c) • 0 ≤ r ≤ a: Devido a` simetria esfe´rica, sabemos que o campo ele´trico dentro da esfera (e, na verdade, em qualquer ponto do espac¸o, mesmo nas outras treˆs regio˜es), so´ pode ter componente radial, sendo essa dependente somente da distaˆncia r, ou seja: E(r) = Er(r) rˆ , onde, e´ claro, r = rrˆ. Destarte, somos levados a usar a lei de Gauss para calcular tal campo, escolhendo como gaussiana uma superf´ıcie esfe´rica, conceˆntrica com a esfera interna, de raio a, e tendo (a gaussiana) raio gene´rico r, tal que, obviamente, 0 ≤ r ≤ a. Com isso, o fluxo do campo ele´trico 2 pode-se expressar como ΦE [S] := ∫ S E · nˆdA = ∫ S Er(r)rˆ · nˆdA = ∫ S Er(r)rˆ · rˆdA = ∫ S Er(r)dA = Er(r) ∫ S dA = 4pir2Er(r) . (2) Para aplicarmos, de fato, a lei de Gauss, precisamos agora calcular o quanto de carga existe dentro da gaussiana escolhida. Isso e´ ana´logo a`s passagens do item (a). De fato, agora, Qint[S] = ∫ r r′=0 ρ(r′)4pir′2dr′ = piAr4 = Q ( r a )4 . (3) Usando, enta˜o, (2) e (3), obtemos, finalmente, E(r) = Ar2 4�0 rˆ = Qr2 4pi�0a4 rˆ . (4) • a ≤ r < b: Nesta regia˜o, vazia, e´ como se o campo fosse devido a uma part´ıcula (pontual) no centro de simetria (a origem) de carga Q (a carga encerrada por uma correspondente gaussiana). Logo, E(r) = 1 4pi�0 Q r2 rˆ . (5) • b < r < c: Nesta regia˜o, por ser condutora e estar em equil´ıbrio eletrosta´tico, devemos ter campo nulo: E(r) = 0 . (6) • c < r <∞: Nesta regia˜o, por analogia com a segunda, com r entre a e b, temos um campo como que devido a uma part´ıcula (pontual) no centro de simetria (a origem) de carga, agora, Q+ (−2Q) = −Q; ou seja: E(r) = − 1 4pi�0 Q r2 rˆ . (7) � (d) Neste tipo de problema, em que o zero do potencial e´ tomado no infinito, conve´m ir determinando ou “encaixando” o potencial de fora para dentro. Destarte, seguiremos a ordem inversa do item precedente. Ale´m disso, outro ponto-chave e´ a exigeˆncia de continuidade do potencial. 3 • c < r <∞: Nesta regia˜o, o campo ele´trico cai com 1/r2, mais exatamente conforme (7); logo o potencial sera´: V (r) = − 1 4pi�0 Q r , onde ja´ impusemos a condic¸a˜o de potencial zero no infinito. • b < r < c: Nesta regia˜o, temos um condutor em equil´ıbrio eletrosta´tico; logo, o potencial deve ser constante e, por continuidade no ponto r = c, igual a: V (r) = − 1 4pi�0 Q c . • a ≤ r < b: Nesta regia˜o, o campo cai, de novo, com 1/r2, mais exatamente conforme (5); logo, o potencial sera´: V (r) = 1 4pi�0 Q r + k1 . onde k1 e´ uma constante de integrac¸a˜o. O valor da constante e´ determinado, de novo, pela exigeˆncia de continuidade, desta feita, no ponto r = b; obtemos, pois: V (r) = Q 4pi�0 ( 1 r − 1 b − 1 c ) . (8) • 0 ≤ r ≤ a: Nesta regia˜o o campo cresce com r2, mais exatamente conforme (4); logo, o potencial sera´: V (r) = − Q 12pi�0 r3 a4 + k2 . (9) A exigeˆncia de continuidade em r = a determina o valor da constante de integrac¸a˜o. De fato, fazendo r = a em (8), depois em (9) e igualando as correspondentes expresso˜es, temos − Q 12pi�0a + k2 = Q 4pi�0 ( 1 a − 1 b − 1 c ) . Resolvendo para k2 e substituindo de volta em (9), obtemos, finalmente, V (r) = Q 4pi�0 ( − r 3 3a4 + 4 3a − 1 b − 1 c ) . � 2. Resoluc¸a˜o: (a) Faremos a hipo´tese usual de que efeitos de borda podem ser desprezados. Com isso, o campo ele´trico de cada placa podera´ ser bem aproximado como o campo devido a um plano muito extenso com carga uniformemente distribu´ıda sobre ele. Cada placa criara´, pois, um campo constante, de mo´dulo igual a σ0/�0, onde σ(> 0) e´ a densidade superficial de carga em cada uma das placas do capacitor. Isso decorre 4 imediatamente da simetria plana e da lei de Gauss.1 Ora, conforme o enunciado, a diferenc¸a de potencial correspondente entre as placas e´ V0, logo o campo constante e´ tal que V0 = E0L , ou seja, E0 = V0 L . Ja´ para determinar a energia armazenada, podemos usar uma qualquer das treˆs expresso˜es para tal grandeza: U0 = 1 2 Q0V0 = 1 2 C0V 2 0 = 1 2 Q20 C0 . onde C0 = �0A L ; (10) Q0 = C0V0 = �0V0A L . (11) (12) O resultado final e´, de qualquer forma, dado por U0 = 1 2 �0A L V 20 . � (b) • Maneira 1: No novo capacitor (semi-recheado de isolante), o mo´dulo da diferenc¸a de potencial entre as placas sera´, obviamente, a soma dos mo´dulos das diferenc¸as de potencial entre as interfaces da regia˜o 1 e das interfaces da regia˜o 2, ou seja, V = V1 + V2 . Naturalmente, V1 = V0/2 e V2 = V0/(2K) . Logo, V = V0 2 ( 1 + 1 K ) = 1 +K 2K V0 . • Maneira 2: O novo capacitor pode ser pensado como uma associac¸a˜o em se´rie de dois capacitores: um totalmente vazio, com distaˆncia L/2 entre as placas,e outro totalmente preenchido com o isolante de constante diele´trica K, tendo distaˆncia tambe´m L/2 entre as placas. Assim: C1 = �0A L/2 , 1A rigor, devemos impor tambe´m a simetria especular com respeito ao plano. 5 e C2 = K�0A L/2 , de modo que a nova capacitaˆncia e´ dada por C = 2K 1 +K C0 = 2K 1 +K �0A L . Como a carga nas placas permanece a mesma, igual a Q = Q0 = C0V0 = �0AV0 L , o novo mo´dulo da diferenc¸a de potencial resulta ser V = 1 +K 2K V0 . � (c) Os mo´dulos dos campos nas novas regio˜es 1 e 2 sa˜o dados por E1 = E0 = V0 L . e E2 = E0 K = V0 KL . � (d) A nova energia armazenada pode, mais uma vez, ser calculada por qualquer uma das seguintes treˆs expresso˜es: U = 1 2 QV = 1 2 CV 2 = 1 2 Q2 C . O “novo” mo´dulo Q de carga nas placas, de fato, e´ igual ao mo´dulo antigo Q0, dado no item (a), visto que, apo´s o processo de carga, a bateria foi desconectada do capacitor. O novo mo´dulo V da diferenc¸a de potencial foi calculado no item (b). Finalmente, a nova capacitaˆncia C, como ja vimos no item (b) e vemos de novo agora, pode ser obtida pensando-se o capacitor semi-recheado como uma associac¸a˜o em se´rie de dois capacitores, nas regio˜es 1 e 2 da parte inferior da figura do enunciado. Conclu´ımos, enta˜o, C1 = �0A L/2 ; C2 = K �0A L/2 . Logo, a capacitaˆncia nova e´, de qualquer maneira, C = 2K 1 +K C0 = 2K 1 +K �0A L . Substituindo tais informac¸o˜es em (2), deduzimos que U = 1 +K 2K U0 = (1 +K)�0A 4KL V 20 . � 6
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