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1a Questão Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm 2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado. 1,11 x 10 -6 Ω.cm 0,99 x 10 -6 Ω.cm 1,88x 10 -6 Ω.cm 1,22x 10 -6 Ω.cm 1,44 x 10 -6 Ω.cm Ref.: 201601411312 2a Questão Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado. 7,81 x 10 -6 Ω.cm 4,75 x 10 -6 Ω.cm 6,45 x 10 -6 Ω.cm 3,21 x 10 -6 Ω.cm 3,95 x 10 -6 Ω.cm Ref.: 201601411317 3a Questão Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio. 18,27 cm 16,24 cm 20,15 cm 15,26 cm 19,12 cm Ref.: 201601411316 4a Questão Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio. 6,33cm 5,33 cm 8,33 cm 4,33 cm 7,33 cm Ref.: 201601471961 5a Questão Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é: Mobilidade elétrica. Supercondutividade elétrica. Resistência elétrica. Condutividade elétrica. Resistividade elétrica. Ref.: 201601471945 6a Questão Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron. Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade elétrica é igual a e=0,0012m 2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons. 500.000 m/s 50 m/s 7,2 m/s 5 m/s 0,72 m/s. Ref.: 201601471949 7a Questão Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por =p.I e I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .h é mobilidade dos buracos. Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3 átomos de Boro, considerando h = 0,05m 2/V.s 200 (ohm.m) -1 50 (ohm.m) -1 4 (ohm.m) -1 100 (ohm.m) -1 400 (ohm.m) -1 Ref.: 201601471967 8a Questão A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática. Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais. Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga. Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material. A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n. Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material.
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