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Questão 1 \u2013 Alternativa A T=125/24 = 5,2 segundos. O pulso deve durar 2,6 segundos, e a parte referente sem o pulso deve durar 2,6 segundos, gerando assim uma tensão de 24V para alimentar corretamente a carga. Questão 2 \u2013 Alternativa D A tensão de pico ou máxima é dada por VM= Vef*v2\u37e Então: VM= 127*v2 VM= 179,6 Volts Questão 3 \u2013 Alternativa D A equação que representa o gráfico da função: Convertendo HZ para radianos: 1HZ = 2p rad/s 60HZ= X Então X= 376,99 rad/s Sabendo que VM = 127*v3. Sendo então VM = 179,6, então concluímos que a resposta correta é a letra D. Questão 4 \u2013 Alternativa A As fases devem possuir 120º de defasagem entre elas. Sendo: V20(wt) = VM.sen(wt 4p/3) e V10(wt) = VM. sen(wt 2p/3 ), devido o angulo de defasagem que é de 120º. Assim, a resultante entre elas é a tensão de linha, que é dada por: V12 = 1,73.VM.sen(wt 2p/3 + p/6), defasada 30º a frente de V10. Questão 5 \u2013 Alternativa D As fases devem possuir 120º de defasagem entre elas. Sendo: V30(wt) =VM.sen(wt 4p/3) Então: V10 = VM.sen(wt), devido o angulo de defasagem que é de 120º. Assim, a resultante entre elas é a tensão de linha, que é dada por: V12 = 1,73.VM.sen(wt + p/6) defasada 30º a frente de V10. Questão 6 \u2013 Alternativa C sendo a tensão de fase V20, a forma de onda que representa a tensão de linha V12 será uma forma de onda 90º graus atrasada de T, e 30º a frente de S, que é a tensão de fase V10, sendo assim, a forma de Onda de V12 será a representada pela letra C. Questão 7 \u2013 Alternativa E T sendo a tensão de fase V20, a forma de onda que representa a tensão de linha V12 será uma forma de onda 90º graus atrasada de T, e 30º a frente de S, que é a tensão de fase V10, sendo assim, a forma de Onda de V12 será a representada pela letra E. Questão 8 \u2013 Alternativa A Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à elevada impedância de entrada dos MOSFET\u2019s, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada, porém, não pode ser considerado a base da eletrônica industrial, pois existem faixas de potência que é necessário a utilização de outros componentes como Tiristores de maior potência, SCRs e etc... Questão 9 \u2013 Alternativa C Rja = Rjb + Rbd Rja = 1,8 + 2,0 Rja = 3,80 °C/W Tvj = Ta + P.Rja 125 = 40 + P. 3,8 85 = P.3,8 P = 22,36W Questão 10 \u2013 Alternativa D Ief = ILef * FF * FS Ief = 30 * pi/2 * 1,5 Ief = 70,68A Questão 11 \u2013 Alternativa C VCC = VP / p VCC = 220/ p VCC = 70V IL= VCC/RL = 70/10 = 7A IL deve ser igual à ID, neste caso, o Diodo está dimensionado de maneira errada, pois a corrente média nos mesmos deveriam ser de 7A. Questão 12 \u2013 Alternativa D Vm = 0,827*(220*²v2) Vm = 257,30V IL = 257,30/10 = 25,73A ID = IL/3 = 25,73/3 = 8,58A Ief = IL/²v3 Ief = 15,06A Questão 13 \u2013 Alternativa C VM = (440*²v3)/3 VM = 762,10/3 VM = 254,59V X*IL = VM * sin(pi/6) * [1 cos(a+y)] 1,5 * 60 = 254,59 * 0,5 * [1 cos(y)] 90 = 127,21 * [1 Cos(y)] 0,707 =cos(y) Cos(y) = 0,7 Y = 45º Questão 14 \u2013 Alternativa C Vm = 3*220/pi Vm = 660/pi Vm = 210,08V Questão 15 \u2013 Alternativa D Ief = ILef * FF * FS Ief = 30 * pi/2 * 1,5 Ief = 70,68A
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