AVP. MAT ELÉTRICO

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1a Questão (Ref.:201603102724) Acerto: 1,0 / 1,0 
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos 
diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. 
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: 
 
 
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear. 
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do 
condutor. 
 
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. 
 
Somente resistência elétrica varia com a temperatura. 
 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do 
condutor. 
 
 
 
2a Questão (Ref.:201603097491) Acerto: 1,0 / 1,0 
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os 
conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, 
PODEMOS afirmar: 
 
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do 
condutor. 
 
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear. 
 
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. 
 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do 
condutor. 
 
Somente resistência elétrica varia com a temperatura. 
 
 
 
3a Questão (Ref.:201603016561) Acerto: 1,0 / 1,0 
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com 
valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do 
semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-
n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina 
do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui 
valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de 
elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta 
um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem. 
 
 
Ba+2 
 
B+3 
 
 
Al+3 
 
 
O-2 
 As+5 
 
 
 
 
4a Questão (Ref.:201603016572) Acerto: 1,0 / 1,0 
Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma 
ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de 
corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo 
elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem 
espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a 
velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito 
de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor 
expressão é dada por: 
 
 v=E.e 
 
V=R.i 
 
V=N.i.IpI.h 
 
=W.A/l 
 v=s/t 
 
 
 
5a Questão (Ref.:201603583096) Acerto: 1,0 / 1,0 
Em 1949, William O. Shockley, pesquisador da "Bell Telephone Laboratories", publicou no "Bell 
System Technnical Journal" um artigo estabelecendo a teoria referente ao comportamento de 
transistores, uma aplicação direta dos semicndutores. Estava claro que o aparecimento destes 
novos materiais havia desencadeado um imediato avanço na modelagem físico-matemática 
associada ao assunto, nos oferecendo expressões como a condutividade intrínseca, dada 
por p | e | b n | e | e.. 
Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que: 
 
 Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons. 
 
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons. 
 
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga positiva. 
 
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos. 
 
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga negativa. 
 
 
 
6a Questão (Ref.:201603016587) Acerto: 1,0 / 1,0 
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas 
variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, 
onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a 
expressão da resistividade pode assumir a forma =0+ T+T
2 , onde 0 , b 
e são constantes. 
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor 
indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado. 
 
 Parábola. 
 
Elipse. 
 
Hipérbole. 
 
Reta. 
 
Círculo. 
 
 
 
7a Questão (Ref.:201602955909) Acerto: 1,0 / 1,0 
Mediu-se um valor de resistência igual a 5,66 mΩ na temperatura de 70oC. Sabendo-se que o 
coeficiente de temperatura do material utilizado é igual a 0,0036 
o
C
-1
, determine o valor da resistência 
esperada na temperatura de 25
o
C. 
 
 
7,46 ohms 
 
5,43 ohms 
 
6,57 ohms 
 
5,41miliohms 
 4,87 ohms 
 
 
Gabarito Coment. 
 
 
 
 
 
8a Questão (Ref.:201603016634) Acerto: 1,0 / 1,0 
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na 
fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a 
seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta 
informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ 
An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
 
 
Efeito Tcherenkov. 
 Efeito Hall. 
 
Efeito Joule. 
 
Efeito Fischer. 
 
Lei de Ohm. 
 
 
 
9a Questão (Ref.:201603583109) Acerto: 1,0 / 1,0 
Uma forma de quantificar a polarização de um material dielétrico é através de seu momento de 
dipolo elétrico, dado pela expressão p=q.d, na qual "q" é a magnitude da carga do dipolo e "d" 
é a distância entre as cargas. Supondo que a manipulação físico-química do material tenha 
dobrado sua carga em alguns pequenos volumes do mesmo, assim como dividido por dois a 
distância entre as cargas de sinal oposto. 
Nos pequenos volumes do material mencionado anteriormente, determine como ficou o dipolo. 
 
 
p/4 
 
p/2 
 
2p 
 p 
 
4p 
 
 
 
10a Questão (Ref.:201602956793) Acerto: 1,0 / 1,0 
Os diversos tipos de capacitores têm as seguintes características: 
I. Os capacitores de mica são encontrados com valores altos de capacitância. 
II. O capacitor de cerâmica suporta tensões elevadas até 3 kV. 
III. O capacitor eletrolítico de alumínio é utilizado em fontes de alimentação. 
IV. Os capacitores de polyester são capacitores caros que podem funcionar em altas 
frequências. 
V. O capacitor eletrolítico de alumínio é um capacitor de alta capacitância e não suporta tensões 
elevadas. 
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as: 
 
 b. As afirmações II e III. 
 e. As afirmações II, III e V. 
 c. As afirmações I e V. 
 a. Somente a afirmação V. 
 d. As afirmações I, II e IV.