GABARITO DE MATERIAIS ELÉTRICOS rev. 1.0

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GABARITO DE MATERIAIS ELÉTRICOS 
(86561) – Da presença de um campo magnético 
(86588) – São condutores e isolantes 
(99575) – 12 mili ohms 
(86563) – Linear 
(99576) – 1,11 ohms 
(86556) – Inclui as dimensões físicas dos dispositivos 
(99579) – 1,44 x 10-6 Ω.cm 
(86555) – Resistência 
(99581) – 0,09 cm2 
(99583) – 0,27 cm2 
(99585) – 18,27 cm 
(99586) – 0,11 cm 
(160289) – A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-N 
(8310) – 4,19 Ω 
(160204) – 12R 
(99577) – 347,4 mili ohms 
(98327) – 64 mV 
(100186) – As afirmações III e V. 
(160210) – V=R.i 
(160235) – Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um 
material. 
(160244) – Reta 
(160292) – Efeito Hall 
(161201) - O Paramagnetismo é uma tendência que os dipolos magnéticos atômicos têm de se alinhar paralelamente 
na presença de um campo magnético. 
Os materiais paramagnéticos são os que têm elétrons desemparelhados, que alinham seus domínios quando 
expostos a um campo magnético, podendo até aumentar a intensidade do campo em algum ponto, mas que perdem 
a magnetização quando o campo se afasta, as substâncias paramagnéticas mais usadas são os metais (platina, 
potássio, sódio, alumínio, cromo, entre outros) algumas ligas e também alguns gases. 
(161189) – 1 0 x 0,1 ... 4% = 1Ω 4% 
(160328) – Isopor, madeira e cerâmica. 
(160338) – 2mm 
(160567) – Polarização 
(160627) – ferroelétrico 
(160635) – (1) Fibra ótica e (2) Cabo Coaxial 
(160646) – Quanto menor a constante dielétrica do resistor maior sua capacidade de armazenar carga. 
(99600) – 2,4 mm 
(160672) – B+3 
(160352) – 25,0 . 10-8 C/m² 
(160620) – Geralmente possuem estruturas cristalinas complexas e com baixo grau de simetria. 
(160626) – São denominados ferroelétricos 
(160624) – Na frequência média de 0,85u, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8 
(160650) – A produção de calor é tanto maior quanto maior for a resistência interna do material a passagem de elétrons. 
(160730) – 54 pF 
(160670) – Geração de calor. 
(160207) – O novo comprimento deverá ser 7,5 m 
(160209) – Isopor, madeira água destilada e deionizada. 
160211 v=r.i.A/L 
160221 A uma mesma temperatura, o semicondutor A possui menor resistividade que o condutor B 
160230 v=E.me 
160233 Temperatura, impureza e deformação mecânica. 
160242 s = N ?e? µh. 
160245 Parábola. 
160246 A condutividade elétrica nos semicondutores é influenciada pela variação de temperatura... 
160247 A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas 
160249 A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de impurezas de difícil execução 
denominadas dopagem. 
160250 O efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritaria ... 
160252 A condutividade elétrica do semicondutor intrinseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura 
160650 Os defeitos de rede cristalina de um condutor.... 
161174 - A maioria dos metais normais tem resistividade que aumentam linearmente com a temperatura. Na 
realidade, porém, há sempre uma região não linear, em temperaturas muito baixas. Com o aquecimento, as 
moléculas que constituem aumentam seu grau de agitação e, consequentemente, sua resistividade também 
aumenta. O que dificulta a passagem da corrente elétrica.