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1a Questão (Ref.:201601869916)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	
	
	2a Questão (Ref.:201601728343)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
		
	
	0,99 ohms
	 
	1,11 ohms
	
	4,44 ohms
	
	3,33 ohms
	
	2,22 ohms
	
	
	
	3a Questão (Ref.:201601728351)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	8,33 cm
	
	7,33 cm
	 
	5,33 cm
	
	4,33 cm
	
	6,33cm
	
	
	
	4a Questão (Ref.:201601728352)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	20,15 cm
	
	19,12 cm
	
	16,24 cm
	 
	18,27 cm
	
	15,26 cm
	
	
	
	5a Questão (Ref.:201602355521)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Em 1949, William O. Shockley, pesquisador da "Bell Telephone Laboratories", publicou no "Bell System Technnical Journal" um artigo estabelecendo a teoria referente ao comportamento de transistores, uma aplicação direta dos semicndutores. Estava claro que o aparecimento destes novos materiais havia desencadeado um imediato avanço na modelagem físico-matemática associada ao assunto, nos oferecendo expressões como a condutividade intrínseca, dada por p | e | b n | e | e..
Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que:
		
	
	Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos.
	
	Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga negativa.
	 
	Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons.
	
	Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga positiva.
	
	Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons.
	
	
	
	6a Questão (Ref.:201601789011)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constante.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	
	Círculo.
	 
	Reta.
	
	Elipse.
	
	Parábola.
	
	Hipérbole.
	
	
	
	7a Questão (Ref.:201601789038)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por  n=(RH I e I)-1, onde  l e l =1,6.10 -19C.
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3.
		
	
	20 . 1015
	 
	2,0 1029.
	
	1,5 . 1026
	
	20 . 1030
	
	1,5 . 1025
	
	
	
	8a Questão (Ref.:201601789056)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos (impureza) na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	9a Questão (Ref.:201602224669)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
		
	
	cerâmica e fio enrolado
	
	CERMET e filme de carbono
	
	composição de carbono e plástico
	
	fio enrolado e CERMET
	 
	filme de madeira (wood film) e filme de metal
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	10a Questão (Ref.:201601789091)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.