15. Variações de Configuração - Eletrônica III - POLI-USP-Eng. Elétrica

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Universidade de São Paulo
PSI3421 - João A. Martino – PSI/EPUSP
Configuração Darlington
b=b1.b2
b=b1.b2
14.7 As variações na configuração classe AB
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14.7 As variações na configuração classe AB
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14.7.3 A proteção contra curto-circuito
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LM380
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LM380
Classe AB
Universidade de São Paulo
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Classe AB
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14.9 Os Transistores de Potência MOS
N+ N+
P
Porta
(G-Gate)
Dreno
(D-Drain)
Fonte
(S-Source)
Substrato
(B-Body)
Metal
Óxido
Sem.
Transistor MOS convencional Transistor MOS de potência
(DMOS) 
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14.9 Os Transistores de Potência MOS
Transistor MOS de potência (DMOS) 
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14.9 Os Transistores de Potência MOS
Transistor MOS de potência (DMOS) 
Apresenta um ponto invariante com a temperatura 
(ZTC: Zero Temperature Coefficient)
ZTC
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14.9.5 Estágio de saída classe AB utilizando 
MOSFETs
• Transistor de potência MOS 
apresenta, em geral, uma 
velocidade de operação mais 
rápida que o TBJ de potência
• MOS é especialmente escolhido 
para aplicações de chaveamento
(controle de motor etc...)