1ª LISTA DE EXERCÍCIOS Amplificadores com BJT versao 1.1

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Instituto Federal do Espírito Santo – Ifes – Campus Vitória 
Engenharia Elétrica – Ricardo de Oliveira Brioschi 
 
1ª LISTA DE EXERCÍCIOS – AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA CLASSES A e B 
 
1) Considere βcc=100 no circuito da Fig. 1a, desenhe a reta de carga ca e calcule a compliance ca de saída. 
2) No circuito da Fig. 1b, desenhe a reta de carga ca e calcule a compliance ca de saída. 
3) Qual a compliance ca de saída para o circuito da Fig 1c? 
4) Desenhe a reta de carga ca para o circuito da Fig. 1d. Calcule a compliance ca de saída. 
5) Qual a compliance ca de saída para o primeiro estágio do circuito da Fig. 2? Desenhe a reta de carga ca para o 
segundo estágio. (Considere β2 = 200) 
6) Se βcc=125 na Fig. 1b, calcule: o ganho de tensão (AV), o ganho de corrente (AI), o ganho de potência (AP), a 
potência máxima na carga (PL(máx)), a potência dissipada no transistor (PD), a corrente na entrada (IF), a potência 
da fonte de entrada (PF) e o rendimento do circuito (η). 
7) Repita o exercício anterior para o circuito da figura 1d. (Considere βcc=125) 
8) Na Fig. 2, calcule a corrente drenada cc total. 
9) Qual a eficiência do segundo estágio na Fig. 2? 
10) A reta de carga ca de um seguidor de emissor push-pull classe B tem uma corrente ca de saturação de 250mA e 
uma tensão de corte de 10V. Qual a compliance ca de saída? Se a resistência de carga for de 50Ω, qual a potência 
máxima de carga? Qual a potência máxima dissipada pelo transistor? 
11) Desenhe a reta de carga ca para o circuito da Fig. 3a. Qual a compliance ca de saída? Qual a potência máxima de 
carga? No pior caso, qual a potência máxima dissipada pelo transistor? 
12) Na Fig. 3a, R é ajustada para se obter uma VBE de 0,68V e uma ICQ de 20mA. Qual a corrente drenada cc sem 
sinal do estágio? Qual a corrente drenada a pleno sinal? Qual a eficiência do estágio? 
13) Na Fig. 3b, qual a corrente através dos resistores de polarização? Se as curvas do diodo forem casadas com as 
curvas de VBE, qual o valor de ICQ? 
14) A tensão de alimentação da Fig. 3b muda de 15V para 25V. Qual o valor de ICQ? 
15) Na Fig. 4, qual o valor de R capaz de produzir VCEQ =10V para cada transistor de saída? (Use 0,7V para a queda 
dos diodos compensadores). 
16) O amplificador da Fig. 4 tem quedas iguais através dos transistores de saída. Calcule a tensão para cada nó no 
amplificador. 
17) Calcule a PL(máx) e a PD(máx) aproximadas para o estágio de saída da Fig. 4. 
18) Qual o valor de ICQ no estágio de saída da Fig. 4? 
19) Qual a máxima corrente drenada cc da Fig. 4? 
20) Você acabou de montar um circuito como o da Fig. 3a. Ajustou R para obter uma ICQ de 20mA. Cinco minutos 
depois, verificou o circuito e descobriu que o transistor superior foi danificado. Explique o que aconteceu e como 
você pode explicar o problema. 
21) Alguém está pretendendo obter a polarização de diodo com o circuito da Fig. 3b usando dois 1N914, um 2N3904 
e um 2N3906. Se ICQ for de 25mA, o que há de errado? 
22) Sob condições de sinal completo, a tensão de pico a pico através da carga de 50Ω da Fig. 4 é zero. Qual a causa 
provável? 
a) Capacitor de acoplamento da entrada em curto 
b) Tensão de alimentação de somente 15V 
c) Resistor de carga aberto 
d) Resistor de carga em curto 
23) Posicione o ponto Q ótimo na Fig. 1b para obter a máxima compliance ca na saída. Use βcc=100. 
24) Projete novamente o divisor de tensão do segundo estágio na Fig. 2 para obter a máxima compliance ca na saída. 
25) Na Fig. 3b, as curvas do diodo casam com as curvas VBE. Escolha as resistências de modo a criar uma ICQ de 
5mA. 
26) Projete um amplificador como o da Fig. 4 que preencha estas especificações: Vcc=9V e RL=3,2Ω. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Figura 1a Figura 1b 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Figura 1c Figura 1d 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Figura 2 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Figura 3a Figura 3b 
 
 
Figura 4 
 
 
 
Respostas: 1) corte CA = 8,797V; sat CA = 1,1793mA ; PP = 6,94V – 2) corte CA = 16,05V; sat CA = 3,21mA ; PP 
= 9,3V – 3) 5,2V – 4) corte CA = 10,473V; sat CA = 110,24mA ; PP = 8,166V – 5) PP1 = 7,16V; corte CA2 = 9,25V; 
sat CA2 = 7,295mA – 6) -186; 125; 23,250; 1.08mW; 10.6mW; 1,93mA; 57,9mW; 1,87% – 7) -16,21; 125; 2026,6; 
9,26mW; 279,61mW; 45,37mA; 907,32mW; 1,02% – 8) 3,5mA – 9) 2,04% – 10) 20V; 1W; 0,2W– 11) VCEQ=10V; 
ICSAT(CA)=1A; PP=20V; 5W; 1W – 12) 39,83mA; 338,14mA; 73,9% – 13) 10,97mA; 10,97mA – 14) 19mA – 15) 
74,33Ω – 16) VB1=6,75V; VE1=6,05V; VC1=15,03V; VB2=1,38V; VE2=0,684V; VC2=9,3V; VB3=10,7V; 
VE3=10V – 17) 1W; 0,2W – 18) 13,68mA – 19) 103,33mA – 20) c – 21) VF dos diodos muito maior que VBE dos 
transistores. – 22) d – 23) R1=13622Ω – 24) R1=1912,1Ω – 25) R=1360Ω – 26) Projeto.