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O Estudo da Memória RAM Dinâmica (DRAM)
 Chrystian Luiz de Melo e Silva Borges*
José de Ribamar Braga Pinheiro Junior**
Resumo: Apesar da maioria das pessoas desconhecerem, acham-se duas variedades de memória distintos agindo no ligamento de um computador. A memória RAM que é a mais conhecida, geralmente compramos e colocamos no computador, é chamada de dinâmica, a outra memória que encontramos está no cache de processadores, conhecida como estática. O coração do computador, memória de entrada aleatório, ou RAM, vem em diversas tipos. Um tipo muito conhecido é a memória de acesso aleatório dinâmico, ou DRAM (Dynamic RAM), que é achado em diversos computadores como essencial modo de memória. DRAM apresenta vários padrões fortes que diferenciam de outros tipos de memória RAM, e muitas qualidades de sua origem, que correspondam às necessidades específicas em todo tipo de sistemas. 
Palavras chave: Memória RAM, DRAM, memória dinâmica
1.INTRODUÇÃO
De uma forma simples, o sistema operacional e seus processos, além dos programas utilizados, todos necessitam ser executados e guardados durante seu funcionamento.
O computador retira os dados fixos do disco rígido, processa e guarda tudo em funcionamento por meio da memória, no qual vai sempre se atualizando conforme com o que acontece nele. No momento que o programa é fechado, as informações são excluídas abrindo espaço para novos programas.
A memória RAM é constituída por circuitos de memória dinâmica, chamada DRAM. O DRAM armazena os bits de informação mediante a minúsculos capacitores. O capacitor é uma parte facilmente construída, é feito por duas placas condutoras paralelas. No qual expressa que pode conter diversas células capacitivas em um ambiente físico pequeno, isto é, pequenos circuitos com capacidade de armazenamento alta. 
O problema do capacitor é que eles descarregam, assim, precisará ter momentos de recarga, chamada refresh. Durante esse momento que é administrado pelo controlador de memória existente no chipset da placa-mãe, as memórias são verificadas posição por posição.
No decorrer do refresh, a memória normalmente não é capaz de ser acessada. Na memória dinâmica há imposição física para sua velocidade, por causa do refresh que deve ser executado
em certos momentos.
2. MEMÓRIA DINÂMICA
__________
*Graduando em Engenharia Elétrica, 2º Período, na Universidade Federal do Maranhão.
**Professor doutor José de Ribamar Braga Pinheiro Junior
A memória RAM dinâmica, conhecida como DRAM, é a que mais se utiliza no dia-dia, e é encontrada em lojas especializadas com a intenção de equipar nossas placas mães. Na sua composição, dentro das células, possuem um capacitor e um transistor, sendo este possuir uma característica de um portão, isto é, tem objetivo de barrar ou deixa a passagem do pulso elétrico. Já o capacitor este é o responsável pela armazenagem de todas as informações, com os estados de sua dinâmica de processo de 0 a 1.
Assim que toda a vez o capacitor perde a carga durante um período, é fundamental deixa-lo sempre alimentando. Pois estes circuitos integrados são organizados com uma formação de linhas e colunas, com intuito dos dados serem acessados, escritos e lidos utilizando interseções.
O fato é que este tipo de formato é considerado mais barato e compacto, comparando com a memória estática, pois abriga muito mais capacidade no seu armazenamento por centímetro quadrado, assim temos na sua contrapartida a necessidade de localizar posições de uma constante alimentação e de uma própria mudança de fase do estado, que levam a uma latência maior na leitura.
3.REFRESH DA DRAM
A memória RAM de um micro é composta por circuitos de memória dinâmica, sendo a mesma abreviada por DRAM (Dynamic RAM). Circuito desse tipo, grava os bits de informação por meio de pequenos capacitores: um capacitor carregado corresponde a um dado “1” e um capacitor descarregado a um “0”.
O capacitor é um elemento extremamente fácil de ser arquitetado, sendo formado simplesmente por duas placas condutoras paralelas, o que significa dizer, que se pode ter muitas células capacitivas em um espaço físico pequeno, ou seja, circuitos pequenos com alta capacidade de armazenamento.
O problema mais comum enfrentado é que, após algum tempo, os capacitores começam e se descarregar. Logo, necessitará existir momentos de recarga dos capacitores da memória, ocasião essa, chamado de refresh. Ao longo do refresh, onde é comandado através do controlador de memória atualizada no chipset da placa-mãe, todas as disposições de memória são “limpas”. Logo que um capacitor carregado é achado, recebe uma nova carga, mantendo o valor “1”, onde o mesmo continua sendo perfeitamente armazenado, evitando que este se altere, em um valor “0”.
Ao longo do momento de refresh, a memória na maior parte das vezes não pode ser acessada. Assim como uma decorrência objetiva, a memória dinâmica tem uma prescrição física para a sua rapidez. Desse modo, não podendo ser mais rápida, pois o refresh carece de ser executado constantemente.
4.MÓDULO DE MEMÓRIA
4.1. DRAM FPM
Em tempo recorde o FPM se tornou o procedimento mais frequente de ascensão para DRAM's, sendo usado ainda em múltiplos sistemas. O melhoramento do FPM é o gasto reduzido de força, especialmente porque os fluxos de sinal e a recuperação dos mesmos não são imprescindíveis para as entradas das páginas. A despeito de que o FPM foi uma grande inovação, ainda assim, possui uma certa desvantagem. A mais expressiva são os buffers de saída, que são automaticamente desligados quando o sinal CAS ascende. O período mínimo de tempo antes que os buffers de saída sejam desligados é de 5ns, o que basicamente acrescenta em torno de 5ns o tempo do ciclo.
4.2. DRAM EDO
Os pentes de memória EDO são completamente idênticos aos da memória FPM. As memórias EDO atuam muito bem com velocidades de bus de 83MHz sem perder o desempenho, e se por um acaso os chips estiverem rápidos o suficiente (55ns ou mais rápidos), a EDO pode ser empregada até em placas-mãe com bus de 100MHz. Em relação ao clocks de até 83MHz, a disputa de velocidade entre EDO’s e SDRAM's é pouca, mas em relação a100MHz é que a EDO é inteiramente derrotada em atuação pelas SDRAM's, devido à precisão de mais ciclos de máquina. 
4.3. SDRAM
Nas memórias SDRAM as informações válidas são credenciadas por um relógio no interior do sistema (no espaço do sinal CAS) em rajadas de instalações da memória dentro da mesma página. As SDRAMs possuem dois bancos interiores, sendo lidos de modo alternativo, consentindo maior agilidade de leitura. Seu circuito interior é mais complicado em relação aos modelos de memórias, o que as torna com os custos mais altos, entretanto, dispensam a obrigação de circuitos externos de apoio para as outras funções da memória.
4.4 DDR SDRAM
O padrão principal e atual de memória vem do enriquecimento tecnológico, onde trabalha juntamente com o DDR convencional (Discagem Direta por Ramal), diante isso houve uma série de alterações nas suas particularizações, com a finalidade de somar mais velocidade e a diminuição do consumo de energia, como também do aquecimento e das interferências dadas por ruídos elétricos e a elevação da densidade. Isto é, o aumento de mais memória total por pente ou chip.
 A DDR tem a finalidade de elevar consideravelmente o desempenho das memórias atuais, onde busca reduzir o consumo e elevando sua aceleração, com isso a capacidade de acesso é muito rápida no armazenamento dos dados. O fato que sua banda de transferência de dados tem uma duplicação superior referente as memórias, mas uma única situação idêntica encontrada é sobre sua latência. Temos que ressaltar neste trabalho que este tipo de memória já está uso, trabalhando nos processadores da Intel i7 com as placas de mães especificas para este fim.
4.5. SLDRAM 
A tecnologia concorrente da RDRAM, é aguentada por um consórcio de fabricantes, e sendo um padrão aberto, seu uso não força o pagamentode royalties. A SLDRAM e igualmente fundamentada em protocolo, usando pacotes para a transmissão de endereços, dados e sinais de controle. A SLDRAM pode também operar em condutor mais ligeiro que o protótipo SDRAM, inclusive cerca de 200MHz. A saída de dados pode atuar com a duplicação da velocidade do clock do sistema, podendo chegar de 400MHz a 800MHz num futuro bem próximo.
O processo de tarefas da SLDRAM não demanda o redesenho dos chips de memória, e com a sua operação em frequências inferior à da RDRA, apresenta menos problemas de barulho e interposições nos sinais. A SLDRAM além disso prevê o emprego de mais 16 bancos de memória.
Embora a Intel almeje suportar apenas o padrão RDRAM em chipsets posteriores, fabricantes adversários de chipsets e de memória, podem forçar a Intel a incluir também suporte a SLDRAM.
4.6. DRDRAM 
 A DRDRAM, desenvolvido pela Rambus, utiliza um "canal" de transmissão de dados, sendo bastante rápida, sendo pelo menos 10 vezes mais veloz que o DRAM convencional. Sendo esse canal menor em largura, no entanto (16 bits contra 64 bits), o que faz a RDRAM ser cerca de duas vezes mais ligeira que a SDRAM comum. A RDRAM atua caracteristicamente com 800MHz.
A velocidade alta ocasiona problemas, devido a necessidade de cabeamento mais curta dentro do chip e maior encapamento, de modo a precaver intromissão eletromagnética. Em ampliação, a RDRAM é uma tecnologia de patenteada pela Rambus, e a Intel adquiriu os direitos da tecnologia, assim sendo, os fabricantes precisam pagar royalties para essas duas companhias, mais não terão domínio sobre a tecnologia.
5.METODOLOGIA
Para o avanço deste trabalho, foram selecionados diversos materiais sobre o tema, com o embasamento no livro de Sistema Digitais: Princípios e Aplicações, do autor Ronald J. Tocci e Neal S.Widmer. 
Foi necessário realizar uma pesquisa bibliográfica, o que proporcionou aprofundamento e ampliação dos conhecimentos acerca do tema estudado, abordando assuntos sobre os tipos de memórias e as suas diferenças, no foco da memória dinâmica.
Feita a análise de todo material colhido, o mesmo foi separando por itens e descartando aqueles que não condiziam dentro do tema proposto, dando início para o decorrer do trabalho.
6. CONCLUSÃO
Nos estudos bibliográficos realizados, podemos afirmar que a memória RAM é um componente de grande importância no recebimento, no armazenamento das informações processadas. E desta forma sua essência construtiva está na formação das quantidades de células que atuam como micro condensadores, estes capazes de reter as cargas de eletricidades e indicar cada bit de informação.
Assim, quando falamos de memória dos computadores, estamos fazendo a referência a memória RAM, que significa Random Acces Memory, isto é, memória de acesso aleatório, que tem como objetivo fazer parte da zona de trabalho do microprocessador. Assim todos os programas e dados manipulados pelo processador, de certo modo ficam armazenados temporariamente nessa memória, com a capacidade de acessar com rapidez de forma aleatória, como também de conservar, qualquer dado.
Existem também um grande número de modelos de memória RAM, como também outras variedades, que possuem características especiais de processamento, onde podem cumprir várias funções no PC. No mercado há existência de vários componentes e periféricos que possuem na sua composição eletrônica algum tipo de memória.
Assim, na memória DRAM, as células que trabalham no armazenamento de informações, são como diminutos acumuladores, que atuam na retenção de cargas dos bits que circulam pelos barramentos.
Com isso a carga armazenada em cada célula, acaba se consumindo com muita rapidez e desta forma é preciso fazer o refrescamento e recarregar seu conteúdo de modo constante, buscando evitar a perca dos dados armazenados. É considerado o maior inconveniente operacional do DRAM. Com isso no seu funcionamento dinâmicos, o processador é obrigado fazer pausas a cada momento, para acessar todas as posições da memória, e com isso fazer o refrescamento do conteúdo das células.
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICA
BARREIRA, V. L. Aquisição e análise de memória RAM em ambiente Windows. Ciberforense, 10 jul. 2015. Disponível em:<http://www.ciberforense.com.br/aquisicao-e-analise-de-memoria-ram-em-ambiente-windows>. Acesso em: 01 jul. 2019.
TANEMBAUM, A. Organização Estruturada de Computadores. 5. ed. São Paulo: Person Education do Brasil, 2007. 
TOCCI, R.J, WIDMER, S. N.; Sistemas digitais: princípios e aplicações. 8. Ed. São Paulo: Prentice Hall, 2003
VELLOSO, F. DE C. Informática: conceitos básicos. 8. ed. Rio de Janeiro: Editora Campos, 2011.