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AVALIAÇÃO PARCIAL - MATERIAIS ELÉTRICOS

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15/11/2019 EPS
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Disc.: MATERIAIS ELÉTRICOS 
Aluno(a): FABIO HERPIS XIMENES 201707267677
Acertos: 10,0 de 10,0 15/11/2019
 
 
1a Questão (Ref.:201707535593) Acerto: 1,0 / 1,0
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de
resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
Respondido em 15/11/2019 15:39:58
 
2a Questão (Ref.:201707394026) Acerto: 1,0 / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será u�lizado um fio cilíndrico cuja
resis�vidade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção
reta deste fio.
0,84 cm2
0,97 cm2
 0,53 cm2
0,72 cm2
0,65 cm2
Respondido em 15/11/2019 15:41:58
 
3a Questão (Ref.:201707454674) Acerto: 1,0 / 1,0
Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos
padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido
através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a
velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity,
cuja melhor expressão é dada por:
V=R.i
r.=W.A/l
 v=E.me
v=s/t
V=N.i.IpI.mh
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Respondido em 15/11/2019 15:43:14
 
4a Questão (Ref.:201707394023) Acerto: 1,0 / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38
mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
 1,44 x 10-6 Ω.cm
1,88x 10-6 Ω.cm
0,99 x 10-6 Ω.cm
1,22x 10-6 Ω.cm
1,11 x 10-6 Ω.cm
Respondido em 15/11/2019 15:45:14
 
Gabarito
 Coment.
 
5a Questão (Ref.:201707454694) Acerto: 1,0 / 1,0
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados
com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem
seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou
seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a
incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
 O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um
semicondutor extrínseco.
Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente
se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma
diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
Respondido em 15/11/2019 15:46:52
 
Gabarito
 Coment.
 
6a Questão (Ref.:201707454689) Acerto: 1,0 / 1,0
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a
expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir
a forma r=r0+ bT+aT2 , onde r0 , b e a são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no
último caso citado.
 Parábola.
Círculo.
Reta.
Elipse.
Hipérbole.
Respondido em 15/11/2019 15:47:57
 
7a Questão (Ref.:201707876670) Acerto: 1,0 / 1,0
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)-1. Sabendo que a
concentração de buracos é de 2 x 1020 m-3 e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09
m2/V.S e 0,28 m2/V.S, a concentração de elétrons é:
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541,05 x 1019 m-3
412,88 x 1019 m-3
140,25 x 1019 m-3
 618,57 x 1019 m-3
715,78 x 1019 m-3
Respondido em 15/11/2019 15:48:53
 
Gabarito
 Coment.
 
8a Questão (Ref.:201707454732) Acerto: 1,0 / 1,0
Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do
século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a
partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
Respondido em 15/11/2019 15:51:51
 
9a Questão (Ref.:201707394622) Acerto: 1,0 / 1,0
Um capacitor com dielétrico de ar possui um valor de 0,025 mF. Quando este capacitor é
mergulhado em óleo de transformador sua capacitância passa a ser de 0,08 mF. Qual a constante
dielétrica do óleo do transformador?
b) Єr = 8,85 x 10-12.
 d) Єr = 3,2.
e) Єr = 3,1.
c) Єr = 0,31.
a) Єr = 0,32.
Respondido em 15/11/2019 15:54:30
 
Gabarito
 Coment.
 
15/11/2019 EPS
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10a Questão (Ref.:201707890347) Acerto: 1,0 / 1,0
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os
itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de carbono sobre um
substrato ou base.
 No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato
cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos.
A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato.
No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído.
No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso e
materiais cerâmicos.
Respondido em 15/11/2019 15:57:38
 
Gabarito
 Coment.

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