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CURSO DE ENGENHARIA DE TELECOMUNICAÇÕES 
 
 
 Disciplina: Eletrônica (Laboratório) - Turma: ______ - Data: ___/___/___ 
 
 
 Alunos: ________________________________ 
 ________________________________ 
 ________________________________ 
 
 
 
 Prática 05: TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR (BJT) 
 
 
 Objetivos 
 
 Determinação dos terminais e do tipo do transistor BJT. Medição de seu ganho 
intrínseco (beta “β” ou hFE). 
 
 Introdução teórica 
 
 O transistor BJT é um semicondutor de Silício formado por duas junções PN, por 
isso é chamado de BIPOLAR. 
 Possui três terminais: Base (B), Coletor (C) e Emissor (E). 
 Pode ser de dois tipos: NPN e PNP. 
 A seguir o símbolo e as junções internas do transistor NPN: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
(E) 
(B) 
(C) 
 
 
 
 
 Vejamos agora o símbolo e as junções internas do transistor PNP: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Podemos identificar a pinagem e o tipo de qualquer Transistor Bipolar e ainda se está 
em bom estado de funcionamento, para o teste estático, utilizando o Multímetro Digital na 
escala de Teste de Semicondutor ( ), ou o Multímetro Analógico (de ponteira) na 
escala ôhmica (Ω) mais baixa. 
 Procedimento para identificação da pinagem e do tipo de Transistor Bipolar: 
 1º) Desenhar o componente, numerando os seus terminais: 1, 2 e 3; 
 2º) Fazer uma tabela com as combinações possíveis para esses terminais, como a 
tabela a seguir: 
 Obs.: No caso da utilização da Escala do Semicondutor ( ), o multímetro 
mostrará o valor de tensão (Volt ou mV) da junção medida. 
 
V1 2 = _______ V2 1 = _______ V3 1 = _______ 
V1 3 = _______ V2 3 = _______ V3 2 = _______ 
 
 3º) Efetuar as medições para a tabela anterior, observando que a primeira referência 
do terminal a ser medido deverá receber a ponteira positiva (cor vermelha) do Multímetro 
Digital. 
 Obs.: Utilizando o Multímetro Analógico, a primeira referência de medição deverá 
 receber a ponteira negativa (cor preta), devido a ligação interna com a 
bateria. 
 
 4º) Analisar as medições anotadas na tabela da seguinte forma: 
a) O terminal comum às duas medições baixas é a BASE; 
b) A junção de menor valor medido é BASE/COLETOR; 
c) O EMISSOR é o terminal presente na outra medição baixa; 
d) Se a BASE recebeu a Ponteira Positiva nas duas medições baixas, o 
Transistor Bipolar é do tipo NPN; 
 
(B) 
(E) 
(C) 
 
 
e) Se a BASE tiver recebido a Ponteira Negativa nas duas medições baixas, o 
 Transistor Bipolar é do tipo PNP; 
 O beta (β ou hFE) do Transistor Bipolar é o ganho intrínseco de corrente do transistor. 
 
 Pode-se medir o “β” (hFE) do Transistor Bipolar da seguinte forma: 
 1º) Posicionar a chave seletora do Multímetro digital em NPN/PNP ou hFE; 
 2º) Encaixar os terminais do transistor nos respectivos bornes de contato do multi 
metro: “E”, “B” e “C”. 
 Obs(1); O “β” é adimensional (não tem unidade de medida); 
 Obs(2): O “β” tem valor entre 100 e 500. 
 
 Material utilizado 
 
 Transistor: BC 548 (um) e BC 557 (um); 
 Matriz de contatos (Protoboard) (um). 
 
 
 Instrumentos utilizados 
 
 Multímetro digital (um) e/ou Multímetro Analógico (um). 
 
 
 Parte Prática 
 
1) Desenhar os seguintes transistores bipolares, numerando seus terminais: 
 
a) BC 548 b) BC 557 
 
 
 2) Fazer uma tabela para cada transistor, com as possíveis combinações para seus 
 terminais, medir e anotar os valores medidos respectivamente: 
 
 a) 
 
 
 
 b) 
 
 
 
3) Analisando as medições das tabelas, responda para cada transistor, respectiva 
respectivamente: 
 
o Qual é o terminal da BASE? 
a) _________________________ b) _________________________ 
 
 
 
o Qual é o terminal do COLETOR? 
 a) _________________________ b) _________________________ 
 
 
o Qual é o terminal do EMISSOR? 
 a) _________________________ b) _________________________ 
 
o Qual é o tipo do Transistor Bipolar? 
 a) _________________________ b) _________________________ 
 
4) Medir e anotar o valor de “β” (hFE), respectivamente: 
 
a) _________________________ b) _________________________ 
 
 
5) O(s) transistor(s) está(ão) bom(ns) ou ruim(s)? Por quê?

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