20_1-AP1-EA - online

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Avaliação: ( X ) AP1 ( ) AP2 ( ) Sub-AP1 ( ) Sub-AP2 ( ) Exame Final 
Disciplina: Eletrônica Analógica 
Código da turma: 03 5ELAO-NT1 
Professor: Elyr Teixeira Data: / /2020 
 
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Nome do aluno 
 
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Assinatura do aluno 
INSTRUÇÕES: 
1. Esta prova compõe-se de 4 páginas. Confira! 
2. Leia atentamente toda a prova antes de iniciá-la. Informe imediatamente qualquer erro na 
impressão ou constituição. 
3. Preencha a prova com caneta azul ou preta. Respostas preenchidas a lápis não serão consideradas 
na correção. 
4. Na parte objetiva assinale a resposta no local a isto destinado e não rasure, pois caso o faça a 
questão não será considerada. 
5. Ocorrendo erro no preenchimento de respostas dissertativas, risque a parte errada, coloque-a 
entre parênteses e, a seguir, escreva a resposta correta. NÃO UTILIZE TINTA OU FITA CORRETIVA, pois 
se o fizer sua resposta não será considerada na correção. Exemplo: ...isto (pôsto) posto podemos 
concluir que... 
6. Início da prova às 19h com término às 21h. 
7. A prova é individual. Qualquer comunicação a terceiros ensejará a atribuição de grau 0 (ZERO) ao(s) 
aluno(s). Apenas com AUTORIZAÇÃO antes do início da resolução poderá ser feita CONSULTA à 
legislação, bibliografia ou qualquer espécie de apontamento. Caso isto ocorra o (s) aluno (s) deverão 
acatar a ordem do aplicador da prova, sair da sala sem atrapalhar os colegas, devendo procurar o seu 
coordenador para manifestar qualquer insatisfação. 
8. Envie suas respostas para o e-mail: elyr.alves@unifbv.edu.br 
9. O aluno não pode desistir de fazer a prova após tê-la recebido. 
 
BOA PROVA! 
 
Valor da avaliação: 10 (Dez) 
 
Obs: 
1) essa prova utiliza sua matrícula para cálculo das questões. Caso seu 
número de matrícula tenha 9 dígitos, acrescente um zero ao final para que 
ele tenha 10 dígitos. Aos alunos que já tenham 10 dígitos, nada precisa ser 
feito. 
 
2) Todas as contas desta prova são suficientes com até 2 casas decimais. 
 
mailto:elyr.alves@unifbv.edu.br
 
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1. (Pontuação = 1,0) Entre os tipos de Transistores de Efeito de Campo vistos 
(JFET, MOSFET e MESFET), qual deles é o mais indicado tecnicamente para se 
trabalhar com sinais de entrada muito pequenos? Explique o porquê. 
 
 
2. (Pontuação = 1,0) Qual a diferença construtiva existente entre um MOSFET do 
tipo Depleção e Intensificação? Melhore sua explicação desenhando essa 
diferença construtiva. 
 
 
 
3. (Pontuação = 1,0) No 
projeto de amplificadores 
operacionais é possível se 
utilizar FETs. Ao lado é 
possível notar a 
configuração por divisor 
de tensão tão utilizada no 
mercado. O emprego dos 
resistores nessa 
configuração é de livre 
escolha do projetista, 
você. 
 
Em um determinado projeto todos os valores de resistores, e o FET em 
questão, já foram definidos, cabendo a você apenas a escolha do Rs. Lhe 
interessa aumentar o máximo possível a corrente que passa no Dreno (ID). 
Explique qual a relação que existe (se existir) entre Rs e a Corrente de Dreno 
(ID) provando matematicamente sua afirmação. 
 
 
4. (Pontuação = 3,0) Determine os seguintes parâmetros para a configuração 
abaixo. Além das informações já contidas no próprio esquemático, saiba que: 
 
- o valor de Vp é o oitavo dígito de sua matrícula. Caso esse valor seja zero, 
substitua por -5V, e 
 
 3 
- o valor de Idq = novo dígito de sua matrícula. Caso esse valor seja zero (0), 
substitua por 4mA. 
a) (Pontuação = 0,5) VGSQ= ? 
b) (Pontuação = 0,5) Rs = ? 
c) (Pontuação = 1,0) VS = ? 
d) (Pontuação = 1,0) VDS = ? 
 
 
 
 
 
 
 
5. (Pontuação = 4,0) Deseja-se projetar um amplificador a FET, cujas 
características são apresentadas a seguir. No seguinte circuito existem dois FET 
em cascata. Sabe-se que o ponto de trabalho do segundo circuito (mais à 
direita) é ID = 1mA e VDS = 5V. Pede-se então as seguintes características 
elétricas todas referentes a este segundo circuito (mais à direita): 
 
a) (Pontuação = 2,0) O valor de RS e RD. 
 
b) (Pontuação = 2,0) Os valores de RB1 
 
Obs.: 
Para o 1⁰ FET (mais à esquerda) adote: 
VDD1 = 23V; Vp = -6V; Vbateria = [últimos 2 dígitos de sua matrícula +3] V; 
IDSS1 = 10mA. 
 
Para o 2⁰ FET (mais à direita) adote: 
IRB1 = IRB2 = 0,7mA; VDD2 = 21V; VP = -4V e 
IDSS = [sétimo dígito de sua matrícula +1] mA. 
 
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