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P2 2020.1 ECE Dispositivos Eletrônicos Prof. Marcelo Perotoni Considerar vbe=0.7 PS. Explique os passos, só com simulação darei zero. [1] Para o Enhancement NMOS temos k=1mA/V 2, Vt = 3V e tensão da fonte VDD 15 V. Escolha um VDS=7V e calcule os resistores para ele operar saturado com corrente de 16 mA. ID = k(VGS − Vt)2 e para estar saturado deve obedecer VDS > VGS − Vt. [2] Para o JFET temos que IDSS vale 30 mA e Vp = −3V . Calcule os valores dos resistores para posicionar o a tensão no dreno VD em 6 V e ID com 10 mA. [3] [a] Calcule a corrente que circula no resistor de carga RL. DICA: considere que todos transistores estão ON. [b] Até quando podemos aumentar RL de maneira que o circuito ainda funcione (i.e. todos semicondutores na região ativa). 1 [4] O E-NMOS opera como amplificador, possui Vt = 2V , k=0.5mA/V 2, fonte VDD = 10V , VGS = 4V e resistores RD = 3600 e interno ro = 50K. Calcule a tensão DC VD, a transcondutância gm e o ganho de tensão Av. Considere iD = k(VGS − Vt)2 e gm = ∂iD ∂vGS 2
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