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2o Experiência: Comportamento Elétrico do Inversor CMOS OBS. Preencha este RELATÓRIO na forma digital, isto é, diretamente no WORD. Anexar gráficos e figuras em páginas adicionadas a este arquivo. Objetivo: Projetar um inversor CMOS avaliando o comportamento estático e dinâmico e simulá-lo com o microwind2. Procedimento experimental: Parte 1 – Projetar a partir das dimensões e avaliar os parâmetros elétricos a) Projetar um inversor CMOS a partir das dimensões dos componentes desenvolvidos por você. A Tabela abaixo apresenta as parâmetros obrigatórios: VDD = 5 V VTP = -0,76 V VTN = 0,7 V Lmin = 2,4 m a= 12 m Figura 1 - Vista superior do transistor, indicando a variável a. b) Calcular os parâmetros dos transistores nMOS e pMOS deste inversor para satisfazer a característica elétrica fornecida. Adotar Ln=Lp. Preencher a Tabela 1 com os valores obtidos. Anexar os cálculos realizados ao relatório (use o verso). βP = 10,77 βN = 13,81 VINV= 2,3 V MRH= 2,5 V MRL= 2,3 V c) A tensão de inversão está entre 2 e 3 V? Resp: Sim d) Utilizando o programa Microwind2, Simular o leiaute do inversor CMOS desenvolvido e obter a partir da análise gráfica os parâmetros da tabela (os três últimos). Executar a simulação na opção Tensão x Tensão, para a determinação do comportamento estático, tensão de inversão lógica (VINV) e margens de ruído em nível alto e baixo. Comparar os valores obtidos na simulação com os calculados. TECNGIA. EM ELETRÔNICA INDUSTRIAL Disciplina: Projeto de Circuitos Integrados Profs. Leonardo Frois e Victor Sonnenberg Nome do alunos: N° Mat: Nota: Data: a a Si-poli Diff P ou N Parte 2 – Projetar a partir de características elétricas pré-definidas e) A partir de parâmetros elétricos pré-definidos, obter as dimensões necessárias do nMOS e pMOS através das equações fornecidas. A tabela a seguir apresenta os parâmetros elétricos necessários: VINV= 2,36 V MRH= 2,1 V MRL= 1,94 V Lmin = 2,4 m a= 12 m f) Obter a partir de cálculo os seguintes valores: βP = 0,0092u βN = 0,0138u WP = 10,2 m WN = 4,8 m g) Compatibilizar os valores calculados (em m) com os possíveis de se implementar no Microwind2, sempre múltiplos inteiros de e recalcular as características elétricas do comportamento estático do inversor, preenchendo os valores obtidos na tabela 1. Anexar os cálculos realizados ao relatório (pode ser na forma de figura). h) Utilizando o programa Microwind2, projetar o leiaute do inversor CMOS, a partir das dimensões compatibilizadas no item f). i) Apresentar uma cópia do leiaute final marcando as dimensões dos transistores com o botão Measure Distance da barra de comandos. j) A partir do leiaute obtido, executar a simulação do circuito, na opção Tensão x Tensão, para a determinação do comportamento estático, tensão de inversão lógica (VINV) e margens de ruído em nível alto e baixo. Conclusões Que a alteração de w e L fazem com que o comportamento característico do transistor tenha mudanças. Dados: n=500 cm 2/Vs ; p=156 cm 2/Vs ; ox= 3,9*8,85·10-14 F/cm ; xox=25nm ;VDD=5 V; VTp= - 0,76 V; VTn=0,70 V Equações: P N1 P N Tn V Tp V DD V INV V + ++ = = . OX OXX . W L MR V V MR V V H DD INV L INV DD − − 0 9 0 1 , . , .
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