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21/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 1/3 Acadêmico: Andrei Tiago Sausen (1720912) Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123) Avaliação: Avaliação I - Individual ( Cod.:670680) ( peso.:1,50) Prova: 30274518 Nota da Prova: 9,00 Legenda: Resposta Certa Sua Resposta Errada 1. O diodo é formado por uma junção entre um cristal tipo P (lado positivo - também chamado de ânodo) e outro tipo N (lado negativo - também cham cátodo). Dentro desses cristais, compostos por silício (mais comum) ou germânio serão inseridas impurezas (prática chamada de dopagem), que são do que átomos de boro. A escolha por este elemento decorre do fato de que por ele ser impuro, um trivalente, no lado P sempre irá haver uma seja, ficará faltando 1 elétron para completar 8 e estabilizar o semicondutor. Já no lado N ocorre o inverso: Preenchido com silício (ou germânio) e fósforo, esse cristal irá sempre ter 1 elétron a mais, já que o fósforo possui 5 elétrons na última camada, restando 1 elétron após a ligação covalen base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) Um diodo que está conduzindo está inversamente polarizado. ( ) Um diodo com polarização direta possui uma corrente muito maior que se tivesse com polarização reversa. ( ) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à barreira de potencial. ( ) O diodo é um dispositivo linear. Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: a) F - V - V - F. b) V - F - V - F. c) F - V - F - V. d) V - V - F - F. 2. O diodo semicondutor é um componente eletrônico que permite a passagem de corrente somente quando está diretamente polarizado. Assim, o s de condução é marcado por uma listra cinza em seu corpo, de forma que a corrente deve fluir do lado preto para a lista cinza. Portanto, o terminal fonte deve estar ligado à listra cinza do diodo para que ele esteja diretamente polarizado. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir I- Um semicondutor do tipo p, assim como um semicondutor do tipo n, sozinho pode ser utilizado como um resistor de mercúrio. II- Um semicondutor do tipo p, assim como um semicondutor do tipo n, sozinho pode ser utilizado como um resistor de carbono. III- Quando um cristal é dopado de modo que contenha as duas características (metade do tipo p e metade do tipo n), o cristal toma característica específicas e extremamente importantes. Assinale a alternativa CORRETA: a) As sentenças I e II estão corretas. b) As sentenças II e III estão corretas. c) Somente a sentença II está correta. d) As sentenças I e III estão corretas. 3. O diodo é fabricado com silício ou germânio com uma junção de duas partes dopadas de formas diferentes. Dessa forma, cada uma dessas duas terá características um pouco diferentes. Quando o diodo está inversamente polarizado, ele se comporta como uma oposição à passagem de corr Assim, ele pode ser utilizado para evitar correntes reversas em circuitos eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: I- Ao dopar o material de modo que contenha as duas características aparecerá uma região de junção na borda onde os materiais semicondutores n se encontram. II- Entende-se por diodo a concentração de dois quadripolos. III- Um outro nome dado a junção pn é diodo de junção. Assinale a alternativa CORRETA: a) Somente a sentença II está correta. b) As sentenças II e III estão corretas. c) As sentenças I e III estão corretas. d) As sentenças I e II estão corretas. 4. O diodo "ligado" ou com polarização direta ocorre quando se aplica uma diferença de potencial entre os terminais do diodo de modo que o termina esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo esteja conectado ao material semicondutor do tipo n. Com base nesse classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacun material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução oco principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material). ( ) A redução da região de depleção resulta em um grande fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que, os elétrons do mater semicondutor do tipo n recebe uma enorme atração com o potencial positivo aplicado no material semicondutor do tipo p cada vez maior à medid camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial aplicada aos terminais. ( ) Percebemos que aplicando a polarização reversa nos terminais do diodo semicondutor, as lacunas no material semicondutor do tipo p e os el livres no material semicondutor do tipo n e se recombinarem com os íons próximos à fronteira dos dois materiais diminuindo a região de depleção ( ) O diodo de manganês real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V. Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: a) F - V - V - F. b) V - V - F - F. c) V - F - V - F. d) F - V - F - V. https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_1%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_2%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_3%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_4%20aria-label= 21/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 2/3 5. Quando falamos de eletrônica, estamos falando de uma grande área que abrange sistemas de comunicação, sistemas analógicos e digitais, instru e controle, cada uma com suas específicas aplicações. No entanto, uma parte do que se tem hoje na eletrônica é proveniente da descoberta e apli materiais semicondutores, onde pode ser notada a inserção contínua de novos componentes ao mercado, facilitando e simplificando o projeto e a de novos aparelhos. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA: a) Materiais condutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corren o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial. b) Materiais semicondutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a c elétrica o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial. c) Materiais supercondutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a c elétrica o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial. d) Materiais isolantes possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial. 6. Semicondutores são materiais com condutividade elétrica intermediária, ficando entre os condutores e os isolantes. Eles conseguem mudar sua c elétrica com facilidade, mas não são capazes de guiar a corrente elétrica em condições normais. Para que os materiais semicondutores possam c corrente elétrica, é necessário que seus átomos se agrupem para ganhar estabilidade. Isso ocorrequando há ligações químicas covalentes nas qu átomos passam a ter oito elétrons e se tornam condutores de eletricidade. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: I- Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores, um exemplo típico é o carbono (C) que dependendo da forma q pode ser tornar um material isolante como um material condutor. II- Sabemos que o diamante é formado pelo arranjo de átomos de carbono na forma cristalina, possuindo grande dureza e se trata de um material III- Já o grafite, formado pelo arranjo de átomos de carbono no formato triangular é um isolante. Assinale a alternativa CORRETA: a) As sentenças I e II estão corretas. b) As sentenças I e III estão corretas. c) Somente a sentença III está correta. d) As sentenças II e III estão corretas. 7. Os diodos Zener tem esse nome em homenagem ao físico americano Clarence Melvin Zener (1905-1993), que foi o primeiro a descrever o mecani ruptura de isoladores elétricos. Os diodos Zener são um tipo de diodo que, diferentemente da maioria das aplicações nas quais os diodos operam de condução, o diodo Zener opera sempre polarizado reversamente. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA: a) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um regulador É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto. b) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um tiristor. É se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto. c) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como uma fonte nã corrente. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto. d) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um regulador É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto. 8. O diodo semicondutor é um elemento ou componente eletrônico composto de um cristal semicondutor de silício ou germânio numa película crista faces opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a polarização de cada uma das extremidades. Com base contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de silício, onde a mesma diminui 2 milivolts para cada aumento de 1 °C. ( ) O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial (região de depleção), do ponto de vista de energia, quão maior é temperatura de junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma aproximação útil é "Is dobrar a cada aumento de 10 °C", se a variaç temperatura for menor que 10 °C é deve-se usar que a variação da corrente de saturação é de 7% para cada °C de aumento. ( ) O silício não é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs). ( ) O silício é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs). Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: a) V - V - V - F. b) V - F - V - F. c) F - V - F - V. d) F - V - V - F. 9. Diodo de Junção é uma estrutura formada a partir de uma junção PN, que por sua vez é a estrutura básica que compõe os semicondutores, tais co próprios diodos e os transistores. É o mais simples dos componentes eletrônicos, e pode servir como um isolante ou condutor, dependendo de su polarização. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA: a) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente de fuga da superfície. b) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente direta. c) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente de fuga da superfície. d) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente direta. 10.A avalanche é um mecanismo de colapso dos diodos de junção PN que possuem região mais fina. Nesta divisão, quando o campo elétrico é aplic do diodo, a velocidade da portadora de carga aumenta. Este carregador de carga colide com os outros átomos e cria os pares de buracos e elétro base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) A região de avalanche designada como região Zener possui potencial de ruptura V_BV. ( ) É possível aproximar a curva apresentada na região Zener do eixo vertical através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores do tipo n. ( ) Existe um outro mecanismo chamado de ruptura Schottky, que ocorre quando o potencial de ruptura alcançar níveis muito baixos e deste mod perturbar as forças de ligação no interior do átomo devido à grade campo elétrico na região de junção dos materiais semicondutores do tipo n e d "gerando" portadores. ( ) Mesmo que o mecanismo de ruptura Zener tenha principal relevância em baixos níveis de V_BV, a região com acentuada mudança para quais valores é conhecida como região Zener e os diodos que são embasados somente nesta região da curva são conhecidos como diodos Zener. Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_5%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_6%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_7%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_8%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_9%20aria-label= https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_10%20aria-label= 21/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 3/3 a) V - F - V - F. b) F - V - F - V. c) V - V - F - V. d) F - V - V - F.
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