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Prova Eletronica analogica 1

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21/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 1/3
Acadêmico: Andrei Tiago Sausen (1720912)
Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123)
Avaliação: Avaliação I - Individual ( Cod.:670680) ( peso.:1,50)
Prova: 30274518
Nota da Prova: 9,00
Legenda:   Resposta Certa    Sua Resposta Errada  
1. O diodo é formado por uma junção entre um cristal tipo P (lado positivo - também chamado de ânodo) e outro tipo N (lado negativo - também cham
cátodo). Dentro desses cristais, compostos por silício (mais comum) ou germânio serão inseridas impurezas (prática chamada de dopagem), que 
são do que átomos de boro. A escolha por este elemento decorre do fato de que por ele ser impuro, um trivalente, no lado P sempre irá haver uma 
seja, ficará faltando 1 elétron para completar 8 e estabilizar o semicondutor. Já no lado N ocorre o inverso: Preenchido com silício (ou germânio) e
fósforo, esse cristal irá sempre ter 1 elétron a mais, já que o fósforo possui 5 elétrons na última camada, restando 1 elétron após a ligação covalen
base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
(    ) Um diodo que está conduzindo está inversamente polarizado.
 (    ) Um diodo com polarização direta possui uma corrente muito maior que se tivesse com polarização reversa.
 (    ) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à barreira de potencial.
 (    ) O diodo é um dispositivo linear.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - V - F.
 b) V - F - V - F.
 c) F - V - F - V.
 d) V - V - F - F.
2. O diodo semicondutor é um componente eletrônico que permite a passagem de corrente somente quando está diretamente polarizado. Assim, o s
de condução é marcado por uma listra cinza em seu corpo, de forma que a corrente deve fluir do lado preto para a lista cinza. Portanto, o terminal 
fonte deve estar ligado à listra cinza do diodo para que ele esteja diretamente polarizado. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir
I- Um semicondutor do tipo p, assim como um semicondutor do tipo n, sozinho pode ser utilizado como um resistor de mercúrio.
 II- Um semicondutor do tipo p, assim como um semicondutor do tipo n, sozinho pode ser utilizado como um resistor de carbono.
 III- Quando um cristal é dopado de modo que contenha as duas características (metade do tipo p e metade do tipo n), o cristal toma característica
específicas e extremamente importantes.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças I e II estão corretas.
 b) As sentenças II e III estão corretas.
 c) Somente a sentença II está correta.
 d) As sentenças I e III estão corretas.
3. O diodo é fabricado com silício ou germânio com uma junção de duas partes dopadas de formas diferentes. Dessa forma, cada uma dessas duas 
terá características um pouco diferentes. Quando o diodo está inversamente polarizado, ele se comporta como uma oposição à passagem de corr
Assim, ele pode ser utilizado para evitar correntes reversas em circuitos eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- Ao dopar o material de modo que contenha as duas características aparecerá uma região de junção na borda onde os materiais semicondutores
n se encontram.
 II- Entende-se por diodo a concentração de dois quadripolos.
 III- Um outro nome dado a junção pn é diodo de junção. 
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) Somente a sentença II está correta.
 b) As sentenças II e III estão corretas.
 c) As sentenças I e III estão corretas.
 d) As sentenças I e II estão corretas.
4. O diodo "ligado" ou com polarização direta ocorre quando se aplica uma diferença de potencial entre os terminais do diodo de modo que o termina
esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo esteja conectado ao material semicondutor do tipo n. Com base nesse 
classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
(    ) O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacun
material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução oco
principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
 (    ) A redução da região de depleção resulta em um grande fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que, os elétrons do mater
semicondutor do tipo n recebe uma enorme atração com o potencial positivo aplicado no material semicondutor do tipo p cada vez maior à medid
camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial aplicada aos terminais.
 (    ) Percebemos que aplicando a polarização reversa nos terminais do diodo semicondutor, as lacunas no material semicondutor do tipo p e os el
livres no material semicondutor do tipo n e se recombinarem com os íons próximos à fronteira dos dois materiais diminuindo a região de depleção
(    ) O diodo de manganês real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - V - F.
 b) V - V - F - F.
 c) V - F - V - F.
 d) F - V - F - V.
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjgw&action4=MjAyMS8x&prova=MzAyNzQ1MTg=#questao_1%20aria-label=
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21/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
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5. Quando falamos de eletrônica, estamos falando de uma grande área que abrange sistemas de comunicação, sistemas analógicos e digitais, instru
e controle, cada uma com suas específicas aplicações. No entanto, uma parte do que se tem hoje na eletrônica é proveniente da descoberta e apli
materiais semicondutores, onde pode ser notada a inserção contínua de novos componentes ao mercado, facilitando e simplificando o projeto e a
de novos aparelhos. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) Materiais condutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corren
o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
 b) Materiais semicondutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para  que a c
elétrica o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
 c) Materiais supercondutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a c
elétrica o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
 d) Materiais isolantes possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente
percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
6. Semicondutores são materiais com condutividade elétrica intermediária, ficando entre os condutores e os isolantes. Eles conseguem mudar sua c
elétrica com facilidade, mas não são capazes de guiar a corrente elétrica em condições normais. Para que os materiais semicondutores possam c
corrente elétrica, é necessário que seus átomos se agrupem para ganhar estabilidade. Isso ocorrequando há ligações químicas covalentes nas qu
átomos passam a ter oito elétrons e se tornam condutores de eletricidade. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores, um exemplo típico é o carbono (C) que dependendo da forma q
pode ser tornar um material isolante como um material condutor.
II- Sabemos que o diamante é formado pelo arranjo de átomos de carbono na forma cristalina, possuindo grande dureza e se trata de um material 
III- Já o grafite, formado pelo arranjo de átomos de carbono no formato triangular é um isolante.
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças I e II estão corretas.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) Somente a sentença III está correta.
 d) As sentenças II e III estão corretas.
7. Os diodos Zener tem esse nome em homenagem ao físico americano Clarence Melvin Zener (1905-1993), que foi o primeiro a descrever o mecani
ruptura de isoladores elétricos. Os diodos Zener são um tipo de diodo que, diferentemente da maioria das aplicações nas quais os diodos operam 
de condução, o diodo Zener opera sempre polarizado reversamente. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um regulador
É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto.
 b) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um tiristor. É 
se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto.
 c) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como uma fonte nã
corrente. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto.
 d) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um regulador
É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto.
8. O diodo semicondutor é um elemento ou componente eletrônico composto de um cristal semicondutor de silício ou germânio numa película crista
faces opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a polarização de cada uma das extremidades. Com base 
contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de silício, onde a mesma diminui 2 milivolts para cada aumento de 1
°C.                                                             
(    ) O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial (região de depleção), do ponto de vista de energia, quão maior é 
temperatura de junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma aproximação útil é "Is dobrar a cada aumento de 10 °C", se a variaç
temperatura for menor que 10 °C é deve-se usar que a variação da corrente de saturação é de 7% para cada °C de aumento.
(    ) O silício não é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).
(    ) O silício é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - V - V - F.
 b) V - F - V - F.
 c) F - V - F - V.
 d) F - V - V - F.
9. Diodo de Junção é uma estrutura formada a partir de uma junção PN, que por sua vez é a estrutura básica que compõe os semicondutores, tais co
próprios diodos e os transistores. É o mais simples dos componentes eletrônicos, e pode servir como um isolante ou condutor, dependendo de su
polarização. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente de fuga da superfície.
 b) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente direta.
 c) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente de fuga da superfície.
 d) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente direta.
10.A avalanche é um mecanismo de colapso dos diodos de junção PN que possuem região mais fina. Nesta divisão, quando o campo elétrico é aplic
do diodo, a velocidade da portadora de carga aumenta. Este carregador de carga colide com os outros átomos e cria os pares de buracos e elétro
base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) A região de avalanche designada como região Zener possui potencial de ruptura V_BV.
(    ) É possível aproximar a curva apresentada na região Zener do eixo vertical através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores do
tipo n. 
(    ) Existe um outro mecanismo chamado de ruptura Schottky, que ocorre quando o potencial de ruptura alcançar níveis muito baixos e deste mod
perturbar as forças de ligação no interior do átomo devido à grade campo elétrico na região de junção dos materiais semicondutores do tipo n e d
"gerando" portadores.
(    ) Mesmo que o mecanismo de ruptura Zener tenha principal relevância em baixos níveis de V_BV, a região com acentuada mudança para quais
valores é conhecida como região Zener e os diodos que são embasados somente nesta região da curva são conhecidos como diodos Zener.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
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21/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
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 a) V - F - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) V - V - F - V.
 d) F - V - V - F.

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