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Eletrônica Analógica I (EEA123) Avaliação II - Individual

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22/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 1/3
Acadêmico: Galtiele Barbosa de Paula (1719650)
Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123)
Avaliação: Avaliação II - Individual ( Cod.:670677) ( peso.:1,50)
Prova: 30961555
Nota da Prova: 10,00
Legenda: Resposta Certa   Sua Resposta Errada  
1. O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido 
MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transist
MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação com
chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam tal operação. Com base nesse contexto, classifique V para as sen
verdadeiras e F para as falsas:
(    ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do ti
canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
(    ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
(    ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
(    ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os
tensão e corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - F - F - V.
 b) F - V - V - F.
 c) F - V - F - V.
 d) V - V - F - F.
2. O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras. Diferentemente dos transistores de junção, que são a
uma corrente elétrica, os FETs são ativados por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. Esses tra
são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, sendo largamente utilizados em chips eletrônicos. Com base ness
contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a 
diferença para os MOSFETs tipo n.
II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transis
muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre
carga.
III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podend
substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transis
bipolares.
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) Somente a sentença II está correta.
 b) As sentenças I e II estão corretas.
 c) As sentenças I e III estão corretas.
 d) As sentenças II e III estão corretas.
3. O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato dire
seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplica
uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a pa
da corrente no canal N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as ca
imersas de material do tipo p. 
(    ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D -  drain) e na parte inferior do mesmo atr
outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). 
(    ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
(    ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - V - V - F.
 b) V - F - V - F.
 c) F - V - V - F.
 d) F - V - F - V.
4. Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes. Dependendo de sua estrutura, qua
elemento pode ser classificado como isolante, semicondutor ou condutor. Atualmente, os principais componentes dos equipamentos eletrônicos sã
dispositivos semicondutores tais como: diodos, transistores e circuitos integrados. Seu emprego deve-se à habilidade de controlar o fluxo de corren
executando as mesmas funções das válvulas eletrônicas, porém com grandes vantagens como tamanho, peso e durabilidade. Por estas razões o e
dos dispositivos semicondutores trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica. Os primeiros conceitos de dispositivos semicondutores datam do
século. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) O primeiro diodo (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade d
aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potên
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor.
 b) O primeiro tiristor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade 
aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potên
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor.
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22/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 2/3
 c) O primeiro LED (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade d
aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potên
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor.
 d) O primeiro transistor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessida
aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potên
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor.
5. Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os 
falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas 
transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente in
com relação ao transistor de canal-N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor.
(    ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET. 
(    ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada
material do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a port
isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
(    ) O nome agorafaz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e
semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - F - V - V.
 b) V - V - F - F.
 c) F - V - F - V.
 d) V - F - V - F.
6. Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se assemelham tanto quanto possível ao funcionamento
um dispositivo semicondutor sob condições específicas de operação. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo re, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido
equivalente.
 b) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ra, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido
equivalente.
 c) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ry, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido
equivalente.
 d) Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo rh, o modelo pi híbrido e o modelo hibrido
equivalente.
7. Fontes e espelhos de corrente são subcircuitos eletrônicos que funcionam como cargas ativas em arquiteturas analógicas modernas. Podem ser c
com transistores de efeito de campo, JFET ou MOS, ou com transistores bipolares, BJT. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de condução para um ou mais ramos, criando correntes contínuas co
iguais ou proporcionais ao da corrente de condução.
 b) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de referência para um ou mais ramos, criando correntes de espelham
valores iguais ou proporcionais ao da corrente de referência.
 c) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente eddy para um ou mais ramos, criando correntes alternadas com valo
ou proporcionais ao da corrente eddy.
 d) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de Foucault para um ou mais ramos, criando correntes de condução 
valores iguais ou proporcionais ao da corrente Foucault.
8. O transistor FET, do inglês "Field Effect Transistor", ou, em português Transistor de Efeito de Campo, funciona através do efeito de um campo elétr
junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores, em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga. Com bas
contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do inglês) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o T
dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão.
(    ) O nome "efeito de campo" é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas carga
presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e
controladoras.
(    ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáve
termos de temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados.
(    ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p, porém os transistores bipolares de junção, assim co
nome diz, são bipolares (condução por dois portadores de carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipola
(dependem unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) V - F - F - V.
 d) V - V - F - F.
9. A sigla JFET significa Junction Field Effect Transistor (transistor de junção com efeito de campo). E um tipo unipolar de transistor. Este nome deriva
de que a maioria dos portadores de cargas fluindo através do Transistor são somente elétrons (como no caso do transistor JFET com canal N) ou a
lacunas (como no caso do transistor JFET com canal P). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas
(    ) Como qualquer outro componente eletrônico, a folha de dados de um JFET é de grande importância na hora da escolha e utilização de um co
em um projeto. 
(    ) Muitas características como especificações máximas (normalmente apresentados no início da folha de especificações de um JFET e para um 
projeto é recomendado não ultrapassar, podendo danificar de forma definitiva o componente), características térmicas (apresenta variações das
características do componente pela variação da temperatura de uso), características elétricas (características de estado "ligado", "desligado" e peq
sinais) e características usuais (variedade de curvas que demonstram como parâmetros importantes se comportam de acordo com variação de ten
corrente, temperatura e frequência).
(    ) Existe uma forma mais rápida para se obter a curva de um JFET através da curva de Schockley, onde podemos pré-determinar quatro valores
relacionas entre Vd E ID.
(    ) O número de pontos deve ser dois, é possível melhorar a precisão da curva determinando mais pontos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
22/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
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 a) F - V - F - V.
 b) V - F - V - F.
 c) V - V - F - F.
 d) F - V - V - F.
10.Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de comp
nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. Com ba
contexto, analise as sentenças a seguir:
I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de m
semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semico
tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).
II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bip
possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas.
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) Somente a sentença II está correta.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) As sentenças I e II estão corretas.
 d) As sentenças II e III estão corretas.
Prova finalizada com 10 acertos e 0 questões erradas.

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