aval 01

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Acadêmico:
	Emerson Tracz (1076638)
	
		Disciplina:
	Eletrônica Analógica I (EEA123)
	Avaliação:
	Avaliação I - Individual ( Cod.:670680) ( peso.:1,50)
	Prova:
	30296540
	Nota da Prova:
	7,00
	
	
Legenda: Resposta Certa   Sua Resposta Errada  
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	1.
	Na polaridade P, a positiva, chamada anodo, geralmente composta pelo elemento índio e a polaridade N, negativa, chamada catodo. Com essa diferença em cada polo, o fenômeno de polarização acontece de acordo com o sentido da corrente. Por isso a aplicação do diodo é tão comum. Ele pode agir como um retificador de tensão, transformando a corrente alternada (AC) em corrente contínua (DC) em uma única direção. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) O diodo de silício real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V. 
(    ) É possível notar que sua corrente é medida em miliampères e possui uma subida rápida após o seu "joelho".
(    ) A equação de Chutney pode ser utilizada para definir as características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta.
(    ) O valor da corrente de saturação reversa que aparece na equação de Chutney costuma ser mensuravelmente menor que a real de um diodo comercial devido a diversos fatores dentre os quais é possível destacar a corrente de fuga, a geração de portadores na região de depleção, sensibilidade à temperatura etc.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
	a)
	V - F - V - F.
	b)
	V - V - F - F.
	c)
	F - V - V - F.
	d)
	F - V - F - V.
	2.
	Ao ocorrer a união dos dois materiais existe uma combinação entre os elétrons livres e as lacunas da região de junção, ou seja, alguns elétrons livres pertencentes ao semicondutor do tipo n atravessam a região de junção e preenchem algumas das lacunas pertencentes ao semicondutor do tipo p. Como resultado desta transição de cargas há o surgimento de uma região chamada de camada de depleção, onde se pode notar os círculos cinza que representam os as lacunas que foram preenchidas com os elétrons livres que deixam de estar disponíveis para serem portadores de corrente. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem polarização, polarização direta e polarização reversa. 
II- A região em torno da junção dos materiais n e p (camada de depleção) é uma região escassa de portadores livres.
III- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.
Assinale a alternativa CORRETA:
	a)
	Somente a sentença III está correta.
	b)
	Somente a sentença II está correta.
	c)
	Somente a sentença I está correta.
	d)
	As sentenças I, II e III estão corretas.
	3.
	O diodo é um componente eletrônico que permite a passagem de corrente elétrica somente em um sentido, de acordo com a sua polarização. A polarização pode ser de dois tipos: direta ou inversa. A polarização direta consiste em colocar um potencial maior no ânodo que no cátodo. Uma polarização inversa se consegue conectando o terminal do ânodo em um potencial negativo e o do cátodo em um potencial positivo. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) Algo importante a ser lembrado é que é possível exceder a tensão de ruptura do diodo sem que obrigatoriamente o danifique, de modo que enquanto o produto da corrente reversa pela potência reversa não for maior que a faixa de potência do diodo. 
(    ) Chamamos de tensão de pico ou tensão de pico reversa o potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado ao diodo antes de ingressar na região de saturação.
(    ) Sabemos que a temperatura ambiente e a temperatura de junção do diodo quando o mesmo está conduzindo (polarizado diretamente) são diferentes, sendo a temperatura interna superior devido ao calor gerado pela recombinação.
(    ) Podemos perceber que à medida que a temperatura aumentar, ocorrerá um aumento no número de elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas diminuindo a barreira de potencial na junção.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
	a)
	F - V - F - V.
	b)
	F - V - V - F.
	c)
	V - V - F - F.
	d)
	V - F - V - V.
	4.
	Para podermos utilizar de forma correta os dispositivos semicondutores, é necessário o conhecimento de algumas características específicas que são disponibilizadas pelo fabricante em um arquivo. Esse arquivo fornece dados que podem ser apresentados através de breve descrição (normalmente uma página, no máximo) ou através de uma análise completa (apresentando tabelas, gráficos etc.). Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	a)
	O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de deeplearning ou folha de dados.
	b)
	O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de datamining ou folha de dados.
	c)
	O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de datasheet ou folha de dados.
	d)
	O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de bigdata ou folha de dados.
	5.
	Um datasheet, folha de dados ou folha de especificações é um documento que resume o desempenho e outras características técnicas de um produto, máquina, componente, material, subsistema ou software em detalhe suficiente para que possa ser usado por um engenheiro de projeto para integrar o componente em um sistema. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	a)
	Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de potência, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
	b)
	Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de corrente, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
	c)
	Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de resistência, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
	d)
	Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de tensão, em condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
	6.
	Os semicondutores são materiais que possuem baixa condutividade elétrica. Esses elementos estão entre os condutores e isolantes, e são capazes de mudarsua condição de condução elétrica com facilidade. Eles não conseguem conduzir corrente elétrica em condições químicas normais. Os átomos dos semicondutores são tetravalentes, ou seja, possuem apenas quatro camadas de valência, o que os tornam elementos não estáveis. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Materiais condutores possuem resistividade muito baixas, permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade devido as suas propriedades intrínsecas (como disponibilidade de um grande número de elétrons livres). 
II- Materiais semicondutores possuem resistividade muito baixas, permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade devido as suas propriedades intrínsecas (como disponibilidade de um grande número de elétrons livres).
III- Materiais isolantes possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente elétrica o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
Assinale a alternativa CORRETA:
	a)
	As sentenças II e III estão corretas.
	b)
	Somente a sentença III está correta.
	c)
	As sentenças I e II estão corretas.
	d)
	As sentenças I e III estão corretas.
	7.
	O diodo é formado por uma junção entre um cristal tipo P (lado positivo - também chamado de ânodo) e outro tipo N (lado negativo - também chamado de cátodo). Dentro desses cristais, compostos por silício (mais comum) ou germânio serão inseridas impurezas (prática chamada de dopagem), que nada mais são do que átomos de boro. A escolha por este elemento decorre do fato de que por ele ser impuro, um trivalente, no lado P sempre irá haver uma lacuna, ou seja, ficará faltando 1 elétron para completar 8 e estabilizar o semicondutor. Já no lado N ocorre o inverso: Preenchido com silício (ou germânio) e com fósforo, esse cristal irá sempre ter 1 elétron a mais, já que o fósforo possui 5 elétrons na última camada, restando 1 elétron após a ligação covalente. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) Um diodo que está conduzindo está inversamente polarizado.
(    ) Um diodo com polarização direta possui uma corrente muito maior que se tivesse com polarização reversa.
(    ) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à barreira de potencial.
(    ) O diodo é um dispositivo linear.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
	a)
	F - V - V - F.
	b)
	V - F - V - F.
	c)
	F - V - F - V.
	d)
	V - V - F - F.
	8.
	O diodo semicondutor, pois é o mais popular. Por possuir um núcleo de cerâmica, ele acaba dissipando energia ao trabalhar, e esse consumo varia em conformidade com o material, silício ou germânio. Dessa forma, o silício costuma "perder" 0,7V da corrente e o germânio, em torno de 0,3V. Logo, a corrente precisa ser um pouco superior para alimentar o item final. Além da aplicação como um retificador de tensão, que estabiliza e torna mais segura a condução de energia no aparelho, outra aplicação muito comum do diodo é nas lâmpadas de LED, que podemos observar em toda parte. Isso se dá por uma reação química entre as polaridades. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) A região de ruptura está relacionada ao valor máximo de tensão que podemos aplicar quando se está inversamente polarizado sem que o danifique. 
(    ) Para uma gama grande de diodos o valor da tensão de ruptura é de 50 V, mas este valor pode ser diferente e consta no seu datasheet.
(    ) Podemos perceber que a medida que aumentamos a tensão de polarização reversa sobro o diodo a corrente de polarização reversa se mantém praticamente constante até atingir a tensão de ruptura, quando ocorre um efeito avalanche que força os portadores minoritários a se moverem mais rapidamente.
(    ) Um processo de saturação fará com que os elétrons de valência dos átomos absorvam uma quantidade de energia suficiente para que deixem o átomo de origem.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
	a)
	V - V - V - F.
	b)
	F - V - V - F.
	c)
	V - F - V - F.
	d)
	F - V - F - V.
	9.
	Os diodos podem ser classificados em real ou ideal. O diodo ideal tem esse nome por existir somente na teoria, ou seja, ele não é real. Existe somente para que os criadores de diodos, técnicos em eletrônicas tenham um norte a seguir, por exemplo, quanto às características, limites, capacidades etc. Este diodo conduz a partir de 0 volts quando polarizado diretamente (fato que só é possível por ele ser perfeito e existir apenas no mundo teórico). Já o diodo real existente e palpável apresenta as características que de fato ocorrem. Por exemplo, quanto à condução, como vimos, se dá a partir de 0,7 volts se for de silício e 0,3 volts se for de germânio. Com base no exposto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
(    ) Um diodo de silício polarizado diretamente quando analisado como um diodo ideal apresenta uma queda de tensão de 0,7 V.
(    ) Diodo pode ser definido como um componente de dois terminais que permite que a corrente circule em um único sentido.
(    ) A polarização direta do diodo expande a camada de depleção.
(    ) Temperaturas elevadas aumentam o número de portadores minoritários e a corrente de fuga do diodo.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
	a)
	F - F - V - V.
	b)
	F - V - F - V.
	c)
	V - F - V - F.
	d)
	V - V - F - F.
	10.
	Diodo de Junção é uma estrutura formada a partir de uma junção PN, que por sua vez é a estrutura básica que compõe os semicondutores, tais como os próprios diodos e os transistores. É o mais simples dos componentes eletrônicos, e pode servir como um isolante ou condutor, dependendo de sua polarização. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
	a)
	A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente direta.
	b)
	A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente direta.
	c)
	A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente de fuga da superfície.
	d)
	A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente de fuga da superfície.
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