Prova Final Objetiva - Eletrônica Analógica I

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Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123) 
Avaliação: Avaliação Final (Objetiva) 
Nota da Prova: 10,00 
Legenda: Resposta Certa Sua Resposta Errada 
1. O Transistor Bipolar de Junção (TBJ ou BJT, do inglês: bipolar junction transistor) é formado por duas 
junções pn. Há duas possibilidades básicas de TBJs que são: NPN e PNP. O terminal central, 
denominado base, "controla" a corrente que circula pelos dois terminais principais, emissor e coletor. O 
TBJ pode ser empregado como um dispositivo amplificador de modo que o sinal senoidal de saída é 
maior que o sinal senoidal de entrada em amplitude. Com base no exposto, assinale a alternativa 
CORRETA: 
 a) Como a amplitude do sinal de saída é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior 
que a potência de entrada. 
 b) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de entrada é 
maior que a potência de saída. 
 c) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de saída é maior 
que a potência de entrada. 
 d) Como a amplitude do sinal de entrada é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior 
que a potência de entrada. 
 
2. Polarizar um transistor, FET ou bipolar, significa estabelecer valores de tensões e correntes contínuas 
para que ao ser aplicado um sinal alternado, as variações aconteçam ao redor dos valores CC e uma 
região de comportamento linear para não haver distorção. Existem vários circuitos de polarização, aqui 
consideraremos apenas os circuitos de polarização fixa, autopolarização e por divisor de tensão. Com 
base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: 
 
I- A polarização por divisor de tensão tem por objetivo estabilizar o ponto Q contra variações nos 
parâmetros (troca de transistor) e temperatura. 
II- A polarização fixa é a mais simples dos circuitos, mas necessita de duas fontes de tensão fixa. 
III- No circuito de autopolarização se usa uma única fonte para polarizar o FET e consiste em usar a 
queda de tensão na resistência RS. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) As sentenças I, II e III estão corretas.
 b) Somente a sentença I está correta. 
 c) Somente a sentença II está correta. 
 d) Somente a sentença III está correta. 
 
3. Os diodos podem ser classificados em real ou ideal. O diodo ideal tem esse nome por existir somente na 
teoria, ou seja, ele não é real. Existe somente para que os criadores de diodos, técnicos em eletrônicas 
tenham um norte a seguir, por exemplo, quanto às características, limites, capacidades etc. Este diodo 
conduz a partir de 0 volts quando polarizado diretamente (fato que só é possível por ele ser perfeito e 
existir apenas no mundo teórico). Já o diodo real existente e palpável apresenta as características que de 
fato ocorrem. Por exemplo, quanto à condução, como vimos, se dá a partir de 0,7 volts se for de silício e 
0,3 volts se for de germânio. Com base no exposto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para 
as falsas: 
 
( ) Um diodo de silício polarizado diretamente quando analisado como um diodo ideal apresenta uma 
queda de tensão de 0,7 V. 
( ) Diodo pode ser definido como um componente de dois terminais que permite que a corrente circule 
em um único sentido. 
( ) A polarização direta do diodo expande a camada de depleção. 
( ) Temperaturas elevadas aumentam o número de portadores minoritários e a corrente de fuga do 
diodo. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - F - V - V.
 b) F - V - F - V.
 c) V - F - V - F.
 d) V - V - F - F.
 
4. Amplificadores operacionais são amplificadores diferenciais com ganho muito alto, impedância de 
entrada alta e impedância de saída baixa. Suas principais aplicações, como o próprio nome diz, são 
realizar operações matemáticas (integração, diferenciação, soma, multiplicação/amplificação etc.), 
quando operando na região linear (região ativa). Na região de saturação, este dispositivo pode ser 
utilizado como comparador, gerador de onda quadrada, dente de serra, filtros, osciladores etc. Possui três 
modos de entrada: entrada inversora, entrada não inversora e entrada diferencial, quando as entradas 
inversora e não inversora são utilizadas simultaneamente. A maioria dos amplificadores operacionais são 
internamente compensados, o que significa que incluem um capacitor de desvio dominante que provoca o 
decaimento do ganho de tensão a uma taxa de 20 dB por década. Com base no exposto, assinale a 
alternativa CORRETA: 
 a) O efeito Miller é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante. 
 b) O efeito Thevenin é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante. 
 c) O efeito Norton é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante. 
 d) O efeito Millmann é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
 
5. O transistor convencional é um dispositivo que permite amplificar um sinal, e cujas propriedades 
elétricas são essencialmente controladas pela corrente injetada em um de seus terminais. Existe uma outra 
classe de transistores de importância em eletrônica, denominados de transistores de efeito de campo, 
cujas propriedades elétricas são controladas pela tensão presente em um de seus terminais. Com base 
nesse contexto, analise as sentenças a seguir: 
 
I- A configuração do FET com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC. A 
tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rs. 
II- O transistor de efeito de campo é geralmente designado pela abreviação FET cujas letras 
correspondem às iniciais do termo inglês "field ejection transistor". 
III- A configuração com Polarização Fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver pelo 
método matemático e pelo método gráfico. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) As sentenças I e II estão corretas. 
 b) Somente a sentença II está correta. 
 c) As sentenças I e III estão corretas. 
 d) As sentenças II e III estão corretas. 
 
6. Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situa-se entre a dos condutores e a dos 
isolantes. Dependendo de sua estrutura, qualquer elemento pode ser classificado como isolante, 
semicondutor ou condutor. Atualmente, os principais componentes dos equipamentos eletrônicos são 
dispositivos semicondutores tais como: diodos, transistores e circuitos integrados. Seu emprego deve-se à 
habilidade de controlar o fluxo de corrente, executando as mesmas funções das válvulas eletrônicas, 
porém com grandes vantagens como tamanho, peso e durabilidade. Por estas razões o emprego dos 
dispositivos semicondutores trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica. Os primeiros conceitos de 
dispositivos semicondutores datam do início do século. Com base no exposto, assinale a alternativa 
CORRETA: 
 a) O primeiro transistor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 b) O primeiro diodo (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 c) O primeiro tiristor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 d) O primeiro LED (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menore mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 
7. O JFET é constituído por um substrato de material semicondutor exibindo um tipo de dopagem, no qual é 
formado, por técnicas de implantação iônica, um canal de dopagem distinta daquela correspondente ao 
substrato. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método 
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. 
( ) Os JFETs possuem três terminais. Dois terminais estão ligados às extremidades do canal e são 
denominados de fonte e dreno. 
( ) O terminal fonte do JFET é identificado pela letra S (do inglês source) e o terminal dreno pela letra 
D (do inglês drain). O terceiro terminal, denominado de porta é identificado pela letra G (do inglês gate), 
sendo conectado diretamente ao substrato. 
( ) Um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um MESFET é uma impedância. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - V - F - V. 
 b) V - V - V - F.
 c) V - F - V - V.
 d) F - V - V - F. 
 
8. O diodo semicondutor, pois é o mais popular. Por possuir um núcleo de cerâmica, ele acaba dissipando 
energia ao trabalhar, e esse consumo varia em conformidade com o material, silício ou germânio. Dessa 
forma, o silício costuma "perder" 0,7V da corrente e o germânio, em torno de 0,3V. Logo, a corrente 
precisa ser um pouco superior para alimentar o item final. Além da aplicação como um retificador de 
tensão, que estabiliza e torna mais segura a condução de energia no aparelho, outra aplicação muito 
comum do diodo é nas lâmpadas de LED, que podemos observar em toda parte. Isso se dá por uma 
reação química entre as polaridades. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças 
verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) A região de ruptura está relacionada ao valor máximo de tensão que podemos aplicar quando se está 
inversamente polarizado sem que o danifique. 
( ) Para uma gama grande de diodos o valor da tensão de ruptura é de 50 V, mas este valor pode ser 
diferente e consta no seu datasheet. 
( ) Podemos perceber que a medida que aumentamos a tensão de polarização reversa sobro o diodo a 
corrente de polarização reversa se mantém praticamente constante até atingir a tensão de ruptura, quando 
ocorre um efeito avalanche que força os portadores minoritários a se moverem mais rapidamente. 
( ) Um processo de saturação fará com que os elétrons de valência dos átomos absorvam uma 
quantidade de energia suficiente para que deixem o átomo de origem. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - V - F - V. 
 b) F - V - V - F. 
 c) V - V - V - F.
 d) V - F - V - F. 
 
9. Semicondutores são materiais com condutividade elétrica intermediária, ficando entre os condutores e os 
isolantes. Eles conseguem mudar sua condução elétrica com facilidade, mas não são capazes de guiar a 
corrente elétrica em condições normais. Para que os materiais semicondutores possam conduzir corrente 
elétrica, é necessário que seus átomos se agrupem para ganhar estabilidade. Isso ocorre quando há 
ligações químicas covalentes nas quais os átomos passam a ter oito elétrons e se tornam condutores de 
eletricidade. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: 
 
I- Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores, um exemplo típico é o 
carbono (C) que dependendo da forma que se liga pode ser tornar um material isolante como um material 
condutor. 
II- Sabemos que o diamante é formado pelo arranjo de átomos de carbono na forma cristalina, possuindo 
grande dureza e se trata de um material isolante. 
III- Já o grafite, formado pelo arranjo de átomos de carbono no formato triangular é um isolante. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) As sentenças I e III estão corretas. 
 b) As sentenças I e II estão corretas. 
 c) Somente a sentença III está correta.
 d) As sentenças II e III estão corretas. 
 
10.O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de 
Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o 
terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores 
MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores MOSFET são largamente 
utilizados em fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo 
consumo facilitam tal operação. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F 
para as falsas: 
 
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de 
canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos 
terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos. 
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC. 
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD. 
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para 
o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - V - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) V - F - F - V.
 d) V - V - F - F.