Atividade de Pesquisa - Principios de Eletrônica Analógica

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Princípios de Eletrônica Analógica - ELE/ELT
Data: 18/ 02 / 2021.
Aluno (a): JULIO FERNANDO MOREIRA RIBEIRO
Atividade de Pesquisa
NOTA:
INSTRUÇÕES:
· Esta Avaliação contém 8 (oito) questões, totalizando 10 (dez) pontos;
· Baixe o arquivo disponível com a Atividade de Pesquisa;
· Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação: 
· Nome / Data de entrega.
· As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta;
· Ao terminar grave o arquivo com o nome Atividade Prática;
· Envio o arquivo pelo sistema no local indicado;
· Em caso de dúvidas consulte o seu Tutor.
1. Considere o circuito da Figura abaixo e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na carga RL.
VP = 110 V
VS1	= VS2	= 15 V 
RL = 100 Ω
C = 1000 µF
Na equação 1, foi substituído os valores de Vp e C, e como é de onda e c completa f= 12 0 
Vrpp = 11 0 V / (1000 *1 0-6 )F* 120 Hz *10 0\u2 12 6 
Vrpp = 9,17 V 
 
Na equação 3, para achar Vmáx , vamos utilizar ar V s1 e 1,2 por ser onde completa a. 
Vmáx = 15,0-1, 2 = 13, 8 V 
 
E por fim substituir em 2. 
Vl = 13, 8\u2013 9,17/ 2 
Vl = 9, 21 V
2. Qual é o valor do capacitor que, submetido a uma tensão de 100 V, armazena 10 µC de carga?
C = Q/V
C = 10*10-6/100
C = 100 nF
3. Um capacitor de 100 nF está carregado com 50 µC. Qual é a tensão entre os seus terminais?
V = Q/C
V = 50*10-6/100*10-9
V = 500 V
4. Especifique os capacitores abaixo conforme os dados dos seus encapsulamentos:
a) 0,47 µF ± 10% 250V
b) 47000 pF ± 10% 250V
c) 47000 pF ± 20% 50V
5. Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas principais especificações, obtidas em um manual, são: 
IFmáx = 1 A 
VRmáx = 400 V
A Tensão de condução vale aproximadamente 0,6 V, pois o diodo é de silício. A corrente IFMÁX corresponde à corrente direta máxima e vale 1A. E VRMAX é a tensão reversa máxima e vale 400V. O esboço da curva característica desse diodo é representa da abaixo.
	
6. O que é dopagem?
Dopagem é o nome do processo utilizado para constituir os semicondutores P e N por meio da adição a o Si ou ao Ge de quantidade bem reduzidas de impurezas. Entende-se por impureza todo átomo diferente do Si e do Ge.
7. Considere um transformador especificado para operar com tensão 110 V no primário e 15 V no secundário com capacidade de corrente de 1 A. Determine:
a) A tensão eficaz no secundário (Vef) ao aplicar-se 127 V no primário. 
Vp/Vs = Is/Ip = Np/Ns
Como a relação entre ele é linear então. 
110/15 = 7,33
Agora com Vp = 127v
127/Vs = 7,33
Vs = 17,32v
b) A corrente no primário quando o transformador estiver fornecendo a corrente máxima no secundário (1 A).
Is/Ip = 7,33
1/Ip = 7,33
Ip = 0,136A = 136mA
8. Dados os sinais a seguir, determine os valores solicitados a partir dos valores fornecidos:
	
Vcd = max/ = 2*12/ = 7,64V
Vef = Vmax/√2 = 12/√ = 8,46V
T = 50ms
f =1/T = 1/50*10-³ = 20Hz
w = 2/f = 125,66 rad/s
Vdc= 0
Vmax = Vmax/√2 = 50/√2 = 35,35V
T= 2µs
f = 1/T = ½*10-6 =500 kHz
W = 2f = 3141rad/s
	
Imax = Idc * =1*3,14 = 3,14A
Ief = Imax/2 = 3,14/2 = 1,57ª
T = 1/f = 1/400000 = 2,5µs
W = 2f = 2513rad/s
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