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Iniciado em
	sábado, 3 Abr 2021, 21:04
	Estado
	Finalizada
	Concluída em
	sábado, 3 Abr 2021, 21:07
	Tempo empregado
	2 minutos 41 segundos
	Avaliar
	10,00 de um máximo de 10,00(100%)
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Questão 1
Correto
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Texto da questão
Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino. Ou seja, não basta apenas colocar em contato íntimo os tipos de semicondutores, pois além da presença de impurezas e defeitos nas superfícies, existem também filmes de óxidos que cobrem essas superfícies, mudando totalmente a interface dos semicondutores.
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Questão 2
Correto
Atingiu 2,00 de 2,00
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Texto da questão
A região em torno da junção onde se encontram esses íons é chamada de camada de depleção. A passagem de elétrons do lado N para o lado P e de lacunas no sentido contrário é chamada de difusão através da junção.
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Questão 3
Correto
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Texto da questão
Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.
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Questão 4
Correto
Atingiu 2,00 de 2,00
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Texto da questão
O que é um material semicondutor?
Escolha uma opção:
caracterizado pela sua boa condutividade térmica e elétrica, geralmente apresentando uma cor prateada ou amarelada, e uma elevada dureza. 
São sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes.  
Elementos químicos mostrados acima, isto é, carbono, nitrogênio, fósforo, oxigênio, enxofre, selênio, flúor, cloro, bromo, iodo e astato. O hidrogênio, muitas vezes, também é listado nesse grupo.
Questão 5
Correto
Atingiu 2,00 de 2,00
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Texto da questão
Dopagem eletrônica ou simplesmente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
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