A condutividade elétrica para o silício pode ser alterada mediante a implantação de impurezas. Com base nessa afirmação marque a alternativa corret...

A condutividade elétrica para o silício pode ser alterada mediante a implantação de impurezas. Com base nessa afirmação marque a alternativa correta.
a. O silício que recebe apenas fósforo é dito silício dopado com excesso de portadores positivos.
b. O silício que recebe apenas boro é dito silício dopado com excesso de portadores negativos.
c. A condutividade do silício sem qualquer dopagem é maior do que a condutividade do silício dopado.
d. O silício dito extrínseco contém impurezas de fósforo e boro implantado em sua estrutura cristalina por difusão.
e. O silício dito intrínseco contém impurezas de fósforo e boro implantado em sua estrutura cristalina por difusão.

A condutividade elétrica para o silício pode ser alterada mediante a implantação de impurezas.
O silício que recebe apenas fósforo é dito silício dopado com excesso de portadores positivos.
O silício que recebe apenas boro é dito silício dopado com excesso de portadores negativos.
A condutividade do silício sem qualquer dopagem é maior do que a condutividade do silício dopado.
O silício dito extrínseco contém impurezas de fósforo e boro implantado em sua estrutura cristalina por difusão.
O silício dito intrínseco contém impurezas de fósforo e boro implantado em sua estrutura cristalina por difusão.
a. O silício que recebe apenas fósforo é dito silício dopado com excesso de portadores positivos.
b. O silício que recebe apenas boro é dito silício dopado com excesso de portadores negativos.
c. A condutividade do silício sem qualquer dopagem é maior do que a condutividade do silício dopado.
d. O silício dito extrínseco contém impurezas de fósforo e boro implantado em sua estrutura cristalina por difusão.
e. O silício dito intrínseco contém impurezas de fósforo e boro implantado em sua estrutura cristalina por difusão.