Para que o cristal de silício tenha aplicação prática para a área de Elétrica, precisa passar por um procedimento chamado dopagem, que é um process...

Para que o cristal de silício tenha aplicação prática para a área de Elétrica, precisa passar por um procedimento chamado dopagem, que é um processo químico utilizado para adicionar quantidades bem reduzidas de impurezas ao Si. No processo de dopagem, surgem os materiais do tipo N e do tipo P, com características específicas. Baseando-se nisso, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas.

I. No processo de dopagem as impurezas difundidas com cinco elétrons de valência são chamadas de átomos doadores e as impurezas difundidas com três elétrons de valência são chamadas de átomos aceitadores ou receptores.

PORQUE

II. Em um material do tipo N, o elétron é chamado de portador majoritário e a lacuna de portador minoritário e, em um material do tipo P, a lacuna é o portador majoritário e o elétron é o portador minoritário.

A respeito dessas asserções, assinale a opção correta:

a.

As asserções I e II são proposições falsas.

b.

A asserção I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.

c.

As asserções I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.

d.

A asserção I é uma proposição verdadeira, e a II é uma proposição falsa.

e.

As asserções I e II são proposições verdadeiras, mas a II não é uma justificativa da I.