A diferença entre o MOSFET-D e o MOSFET-E está relacionada à estrutura interna dos dispositivos. O MOSFET-D pode ser usado tanto com tensões positivas quanto negativas devido à sua estrutura simétrica, que permite a condução de corrente em ambas as polaridades. Já o MOSFET-E só irá tolerar uma polaridade, dependendo do tipo de canal, devido à sua estrutura assimétrica. Quanto às afirmações apresentadas: - MOSFET-C tem uma camada de dopagem a mais que: Essa afirmação está incorreta. A diferença entre o MOSFET-C e o MOSFET-E não está relacionada ao número de camadas de dopagem. - MOSFET-E tem uma camada de dopagem a mais que: Essa afirmação está incorreta. A diferença entre o MOSFET-D e o MOSFET-E não está relacionada ao número de camadas de dopagem. - MOSFET-E só poderá reduzir a região do substrato, enquanto MOSFET-D pode tanto aumentar quanto: Essa afirmação está incorreta. A diferença entre o MOSFET-D e o MOSFET-E não está relacionada à capacidade de reduzir ou aumentar a região do substrato. - Somente os terminais dreno e fonte do MOSFET-D são: Essa afirmação está incompleta. Por favor, forneça mais informações para que eu possa responder adequadamente.
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