4) Juntura MOS real: Escriba la expresión de la tensión de umbral referida a la correspondiente de una juntura MOS ideal e indique a que se debe ca...

A expressão da tensão de limiar (ou tensão de umbral) em uma junção MOS real é dada por: Vth = Vth0 + γ(√|2φf + Vsb| - √|2φf|) + (2φf + Vsb - 2φf)Cox(2εsiqNsub)^-1/2 Onde: - Vth é a tensão de limiar na junção MOS real. - Vth0 é a tensão de limiar na junção MOS ideal. - γ é o coeficiente de modulação de comprimento de canal. - φf é o potencial de Fermi. - Vsb é a tensão de substrato. - Cox é a capacitância de óxido por unidade de área. - εsi é a constante dielétrica do silício. - q é a carga do elétron. - Nsub é a concentração de dopagem no substrato. Cada termo na expressão representa uma contribuição específica para a tensão de limiar em uma junção MOS real.