Para um transistor de efeito de campo com tensão de porta fonte VGS = -1V, a tensão de dreno fonte VDS = 0,4V e corrente de dreno fonte IDS = 1,5mA...

Para calcular a resistência de dreno (RD) em um transistor de efeito de campo (FET), podemos usar a fórmula: RD = VDS / IDS Substituindo os valores fornecidos: VDS = 0,4V IDS = 1,5mA = 0,0015A RD = 0,4V / 0,0015A RD ≈ 266,67 ohms Portanto, a resistência de dreno é aproximadamente 266,67 ohms.