Classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para ...

A resposta correta é a alternativa C: F - V - V - F. Explicação: - A primeira sentença é falsa, pois a fonte de pressão de água não pode ser comparada com a tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A analogia correta seria com a tensão aplicada na porta do JFET, que controla o fluxo de elétrons do dreno para a fonte. - A segunda sentença é verdadeira, pois a porta (G - gate) é conectada na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico e o dreno (D - drain) é conectado na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico. - A terceira sentença é verdadeira, pois na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np. - A quarta sentença é falsa, pois o FET tem portadores majoritários e também portadores minoritários.